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碳化硅如何為電機(jī)驅(qū)動(dòng)賦能
近年來(lái),電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶(WBG)材料的興起,即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。WBG材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG功率器件已經(jīng)對(duì)從普通的電源和充電器到太陽(yáng)能發(fā)電和能量存儲(chǔ)的廣泛應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC功率器件進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間比氮化鎵長(zhǎng),通常用于更高電壓、更高功率的應(yīng)用。
2021-08-05
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電動(dòng)汽車(chē)快速充電系列文章之三:常見(jiàn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率器件及其他設(shè)計(jì)考慮因素
在上一節(jié)中,已經(jīng)介紹了快速DCEV充電基礎(chǔ)設(shè)施的標(biāo)準(zhǔn)配置,以及未來(lái)可能的典型基礎(chǔ)設(shè)施。下面介紹當(dāng)今快速DCEV充電器中使用的典型電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和AC-DC和DC-DC的功率器件的概況。
2021-08-03
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SiC功率器件篇之SiC SBD
SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。
2021-05-20
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功率器件和被動(dòng)元件點(diǎn)亮第97屆中國(guó)電子展,CEF下半年成都上海再相見(jiàn)
2021年4月11日,為期三天的第97屆中國(guó)電子展在深圳會(huì)展中心圓滿(mǎn)落幕,展會(huì)與第九屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)(CITE2021)同期舉辦,現(xiàn)場(chǎng)有超1500家參展商參展,共發(fā)布近萬(wàn)件新產(chǎn)品、新技術(shù),全方位、多角度展示我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果。同時(shí),博覽會(huì)期間還舉辦了近100場(chǎng)同期活動(dòng),吸引了超過(guò)10萬(wàn)名專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾到場(chǎng)參觀(guān),500余萬(wàn)觀(guān)眾線(xiàn)上觀(guān)展。據(jù)主辦方介紹,展會(huì)以“創(chuàng)新驅(qū)動(dòng) 高質(zhì)量發(fā)展”為主題,展覽展示、論壇會(huì)議和現(xiàn)場(chǎng)活動(dòng)三大板塊聯(lián)動(dòng),三位一體,亮點(diǎn)紛呈。
2021-04-19
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瑞能半導(dǎo)體將攜IGBT和碳化硅等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海電子展覽會(huì)
中國(guó)上海 - 2021年4月7日 — 2021慕尼黑上海電子展覽會(huì)即將于4月14日至16日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦。慕尼黑上海電子展作為電子行業(yè)展覽,是行業(yè)內(nèi)重要的盛事。本屆慕尼黑上海電子展覽會(huì)將匯聚近千家國(guó)內(nèi)外優(yōu)質(zhì)電子企業(yè),涵蓋從產(chǎn)品設(shè)計(jì)到應(yīng)用落地的上下游產(chǎn)業(yè),展示內(nèi)容包括了半導(dǎo)體、傳感器、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、汽車(chē)電子及測(cè)試等。
2021-04-08
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集成柔性功率器件的應(yīng)用理解
什么是集成柔性功率器件?它有什么作用?工業(yè)電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)是更小的電路板尺寸、更時(shí)尚的外形和更具成本效益。由于這些趨勢(shì),電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須降低印刷電路板(PCB)的尺寸和成本。
2020-10-28
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功率器件的前世今生
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱(chēng)為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面,因此得名“電力電子器件”。
2020-10-22
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碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)與優(yōu)化
碳化硅(SiC)具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率等優(yōu)良的材料特性,在中高壓功率半導(dǎo)體器件制造中得到了廣泛的應(yīng)用。目前,肖特基二極管、mosfet和jfet是市場(chǎng)上最流行的SiC功率器件。特別是sic schottky二極管已經(jīng)成功地應(yīng)用于電力領(lǐng)域近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)結(jié)構(gòu)。后來(lái),這種結(jié)構(gòu)演變成一種結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)具有低反向泄漏電流。最新的結(jié)構(gòu)被稱(chēng)為合并PN肖特基(MPS),表現(xiàn)出大幅增加的浪涌電流處理能力。
2020-10-21
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工業(yè)設(shè)備逆變器的絕佳CP:智能功率模塊
智能功率模塊(Intelligent Power Module, IPM)是一種先進(jìn)的功率開(kāi)關(guān)器件,適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向—模塊化、復(fù)合化和集成化(PIC),在電力電子領(lǐng)域得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。
2020-09-09
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致工程師系列之五:優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門(mén)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
現(xiàn)代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開(kāi)關(guān)晶體管速度越來(lái)越快,使得測(cè)量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn),在某些情況下幾乎不可能實(shí)現(xiàn)。隔離探測(cè)技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面,通過(guò)這一技術(shù),設(shè)計(jì)人員終于能夠放心地測(cè)量以前回避的半橋和門(mén)驅(qū)動(dòng)器波形。
2020-08-31
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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置!
在設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)模式電源時(shí),主要品質(zhì)因數(shù)(FOM)包括成本、尺寸和效率。[1]這三個(gè)FOM是耦合型,需要考慮諸多因素。例如,增加開(kāi)關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本,但會(huì)增加磁性元件的損耗和功率器件中的開(kāi)關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒(méi)有二極管反向恢復(fù),因此與MOSFET和IGBT相比,GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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SiC吸引力為何如此的大?在電力電子上又有哪些應(yīng)用?
據(jù)預(yù)測(cè),采用 SiC 的功率模塊將進(jìn)入諸如可再生能源、UPS 電源、驅(qū)動(dòng)器和汽車(chē)等應(yīng)用。風(fēng)電和牽引應(yīng)用可能會(huì)隨之而來(lái)。 到 2021 年,SiC 功率器件市場(chǎng)總額預(yù)計(jì)將上升到 10 億美元 [1]。在某些市場(chǎng),如太陽(yáng)能,SiC 器件已投入運(yùn)行,盡管事實(shí)上這些模塊的價(jià)格仍然比常規(guī)硅器件高。是什么使這種材料具有足夠的吸引力,即使價(jià)格更高也心甘情愿地被接受?
2020-07-30
- 電源中的分壓器
- 貿(mào)澤電子為電子設(shè)計(jì)工程師提供先進(jìn)的醫(yī)療技術(shù)資源和產(chǎn)品
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- 豪威集團(tuán)推出專(zhuān)為無(wú)LED閃爍的汽車(chē)攝像頭設(shè)計(jì)的全新1200萬(wàn)像素圖像傳感器
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- Kioxia推出適用于云端和超大規(guī)模環(huán)境的PCIe 5.0 NVMe EDSFF E1.S SSD
- 利用自動(dòng)化技術(shù)賦能中國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化
- 單結(jié)晶體管符號(hào)和結(jié)構(gòu)
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