非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器與功率元器件
發(fā)布時(shí)間:2021-08-05 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC,還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器,再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET PrestoMOSTM。
采用了無閂鎖效應(yīng)SOI工藝的高可靠性非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器
ROHM的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器是使用了自舉方式的高邊/低邊柵極驅(qū)動(dòng)器。通過采用無閂鎖效應(yīng)SOI工藝,實(shí)現(xiàn)了高可靠性。產(chǎn)生閂鎖效應(yīng)時(shí),會(huì)流過大電流,可能會(huì)導(dǎo)致IC或功率元器件損壞??梢酝ㄟ^元件布局和制造工藝來改善抗閂鎖性能,而ROHM的SOI(Silicon On Insulator)工藝通過SOI基板的完全介電分離法提高了耐壓性能,并且可以從結(jié)構(gòu)上避免閂鎖效應(yīng)。
反向恢復(fù)時(shí)間更短的超級(jí)結(jié)MOSFET:PrestoMOSTM
PrestoMOSTM是一種超級(jí)結(jié)MOSFET,以往的超級(jí)結(jié)MOSFET的問題在于內(nèi)部寄生二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr特性,而PrestoMOSTM系列產(chǎn)品不僅具有更短的反向恢復(fù)時(shí)間trr,而且損耗更低。
與IGBT相比,PrestoMOSTM在中低功率范圍內(nèi)的損耗電壓很小,因而可以減少損耗(參見左下圖)。另外,在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路等電路中,還可以使用高速內(nèi)部寄生二極管,而無需使用外置快速恢復(fù)二極管(FRD)來減少由普通MOSFET和IGBT的再生電流引起的換流損耗。與FRD相比,PrestoMOSTM的寄生二極管的VF更低,因此損耗也更低。
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