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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列

發(fā)布時間:2022-09-14 來源:英飛凌 責任編輯:wenwei

【導讀】變頻器是各行業(yè)中至關重要的節(jié)能設備,ABB傳動一直致力于用先進的產(chǎn)品和技術,創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價值,提高生產(chǎn)效能水平,助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級。


ACS180緊湊型變頻器是ABB北京設計的最新一代變頻器產(chǎn)品,它體積小巧,使用方便,穩(wěn)定可靠,應用廣泛,具有很高的性價比,是各種緊湊型設備的可靠之選。


ACS180 400V電壓等級的R0至R2框架均使用了來自英飛凌的IGBT7技術。以ACS180-04x-17A0-4型號為例,得益于新技術的應用,其功率密度再上一個臺階。


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ACS180-04x-17A0-4變頻器主要參數(shù)


變頻器尺寸: 202mm(高度)x120mm(寬度)x143mm(深度),大大低于友商同功率的同類產(chǎn)品。


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額定電流IN=17.0A(連續(xù)輸出時的額定電流);


PId=7.5kW,ILD=16.2A(每10分鐘可承受1分鐘110%過載) ;


Phd=5.5kW,IHD=12.6A(每10分鐘可承受1分鐘150%過載);


Imax=22.7A (啟動時可輸出2秒鐘)。


用做5.5kW重載應用時,工作的環(huán)境溫度為50℃以下無需降額, 90%額定電流可運行在60℃。且內部集成滿足IEC61800-3(可調速電力驅動系統(tǒng).第3部分:電磁兼容性(EMC)要求和特定試驗法)的C3等級的EMC濾波器。


ACS180是如何做到“小身材,大能量”的呢?這得益于不斷發(fā)展的IGBT技術。


IGBT是變頻器實現(xiàn)電能轉換的核心元件,它仿佛一雙強有力的手,控制著電流的開通,和關斷。如果這雙手臂力氣大,消耗少,無疑將會大大減小變頻器的體積,增加變頻器的效率。


此款ACS180采用的IGBT是FP25R12W1T7,這是一款1200V/25A的IGBT模塊,芯片采用的是英飛凌最新一代IGBT7技術。與目前市場上主流的IGBT4技術不同,IGBT7采用更加精細化的MPT微溝槽柵技術,溝道密度更高,芯片厚度更薄,元胞結構及間距也經(jīng)過精心設計,并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù),從而實現(xiàn)5kv/us下的最佳開關性能。


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在現(xiàn)代功率半導體器件中,提高開關速度、開關頻率和功率密度是大勢所趨。然而,由于不同具體應用對器件性能需求有差異。就電機驅動應用特性而言,由于電機和電纜的固有隔離,開關斜率(dv/dt)通常被限制在2-10kV/μs的范圍內,典型目標為5kV/μs。此外,用戶采用的典型開關頻率(fSW)也低于8kHz。這意味著,對電機驅動而言,降低靜態(tài)損耗成為了功率半導體的發(fā)展重點,快速開關和高開關頻率需求的重要性有所減弱,開關損耗變得次要了。針對上述需求,IGBT7進行了精心的優(yōu)化。主要體現(xiàn)在:


01 更低損耗


因為更薄的芯片厚度和優(yōu)化的載流子分布,IGBT大幅降低了器件的損耗,飽和壓降相比IGBT4降低了20%,例如FP25R12W2T7的Vce(sat)@25℃僅有1.6V,同時關斷損耗仍舊與IGBT4維持在同一個水平。如下圖所示,T7相比前代器件而言,其折衷曲線進一步逼近理想原點。


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02 可調dv/dt


不同于IGBT4等主流器件,IGBT7里的溝槽有多種形式:其中最常見的是作為有源柵極使用。其次,MPT結構還能夠實現(xiàn)發(fā)射極溝槽和偽柵極,兩者都是無效溝槽。這三種溝槽的數(shù)量決定了IGBT7的可控性,使得開通和關斷的dv/dt在很大范圍內都可以通過門極電阻進行調節(jié),并且在變頻器典型dv/dt范圍內(2-10kV/μs),實現(xiàn)最低的損耗。


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03 175°C最大工作結溫


基于優(yōu)化功率模塊設計,IGBT7將暫態(tài)的最高允許結溫(Tj)提高至175°C時,比IGBT4提高了25℃,能夠滿足實際應用的過載運行需求。過載工況定義如下:


●   持續(xù)工作結溫 Tj ≤ 150 °C

●   重復過載結溫 Tj ≤ 175 °C ,過載時間 t1 ≤ 60 s

●   過載占空比 D=t1/T ≤ 20%


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由此我們可以看到,IGBT7能給變頻器帶來如下益處:


提升逆變器的輸出電流


IGBT7極低的飽和導通電壓,意味著使用相同規(guī)格的IGBT4與IGBT7時,使用IGBT7的逆變器損耗更低,從而能輸出更大的電流;或者采用比IGBT4模塊規(guī)格更小的IGBT7模塊,使逆變器輸出相同的電流。


如下圖所示,25A Easy2B的IGBT7可以比25A Easy2B的IGBT4提升35%的輸出電流,而25A Easy1B的IGBT7也可以比25A Easy2B的IGBT4提升16%的輸出電流。


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提升逆變器的功率密度


IGBT7的損耗低,結溫高(過載結溫最高175℃),因此可以大大的減少散熱器的尺寸。以典型條件的對比,25A Easy2B的IGBT7能夠比25A Easy2B的IGBT4減小40%的散熱器體積。


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 “ 

從穿通型IGBT到場截止型IGBT,從平面柵到溝槽柵,又從溝槽柵到精細化溝槽柵,一代又一代不斷優(yōu)化 IGBT助力變頻器實現(xiàn)更低功耗與更小體積,追求低碳高效的路上我們從不停歇,讓我們同生活,共未來。


作者:英飛凌集成電路(北京)有限公司:趙佳,北京ABB電氣傳動系統(tǒng)有限公司:  賈一然,李君峰



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