【導讀】瑞森半導體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場和客戶認可，廣泛應用于高端服務器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機驅(qū)動、儲能、充電樁等領(lǐng)域。
碳化硅MOS 芯片具有優(yōu)異的高頻特性，在高頻應用中，傳統(tǒng)的TO-247封裝會制約其高頻特性。瑞森半導體因應客戶需求及為進一步提升碳化硅MOS性能，特開發(fā)出四引腳TO-247封裝(TO-247-4L)碳化硅MOS產(chǎn)品。
1. TO-247 四引腳封裝和三引腳封裝差異
四引腳封裝TO-247與三引腳封裝TO-247相比較，外形上明顯多了一引腳，增加的引腳為驅(qū)動器源極引腳。腳位排列由TO-247 三引腳封裝的G-D-S變?yōu)镈-S(P)-S(D)-G,其中第二引腳 S(P)接負載端，三引腳S(D)接驅(qū)動端。
對于傳統(tǒng)三引腳TO-247封裝。其反電動勢VLS（＝LS*dID/dt）由源極電源線的電感分量L和漏極電流斜率dI dID/dt產(chǎn)生，電壓VGS的是施加在芯片的柵極和源極漏極。這個反電動勢將實際施加的電壓從設定的柵極電壓降低，且開關(guān)速度特別是開通速度將會減慢。
通過增加用于柵極驅(qū)動的信號源端子，可以分離電源線中的電流和柵極驅(qū)動線中的電流，以減小柵源電壓電感的影響。四引腳的封裝的TO-247-4L將驅(qū)動側(cè)的源端直接連接在芯片的位置，與負載側(cè)的源線分離，這樣使其不易受到驅(qū)動電壓的影響。從而提高了碳化硅MOS的高速開關(guān)性能。
2. 四引腳封裝(TO-247-4L)優(yōu)勢
四引腳封裝的TO-247-4L碳化硅MOS,可充分發(fā)揮出碳化硅MOS 本身的高速開關(guān)性能。與傳統(tǒng)三引腳封裝TO-247相比,開關(guān)損耗可降低約 30-35%,能進一步降低電路的損耗。
導通損耗：與沒有驅(qū)動器源極引腳的TO-247封裝產(chǎn)品（淺藍色虛線）相比，有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品（紅色虛線）導通時的ID上升速度更快。通過比較，可以看出TO-247封裝產(chǎn)品（淺藍色線）的開關(guān)損耗為 2700J，而TO-247-4L封裝產(chǎn)品（紅色線）為1700J，開關(guān)損耗減少約35%，減幅顯著。
關(guān)斷損耗：關(guān)斷時的波形可以看出，TO-247封裝產(chǎn)品（淺藍色實線）的開關(guān)損耗為2100J，TO-247-4L封裝產(chǎn)品（紅色實線）為1450J，開關(guān)損耗降低約30%。
3. 瑞森半導體碳化硅MOS系列產(chǎn)品
瑞森半導體經(jīng)過多年研發(fā)，目前已擁有完整系列碳化硅MOS產(chǎn)品，各型號產(chǎn)品同時具備TO-247-3L及TO-247-4L 兩種封裝，給客戶提供更多選擇。
瑞森半導體一直致力于領(lǐng)先于行業(yè)的產(chǎn)品開發(fā)。 未來會繼續(xù)推進創(chuàng)新型元器件的開發(fā), 同時提供包括碳化硅產(chǎn)品在內(nèi)的解決方案,為進一步降低各種設備的功耗貢獻力量。
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