產(chǎn)品特性：

• 產(chǎn)品功率水平將在100W至300W之間
• 覆蓋了700 MHz至2.7 GHz范圍的主要頻帶
• HV8提供58.0 dBm (630W) 的峰值功率、16.3 dB的增益
• 42.5%的漏極效率
• 良好的寬帶線(xiàn)性 

應(yīng)用范圍：

• 滿(mǎn)足W-CDMA和WiMAX等高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用
• 符合LTE和多載波GSM等新興標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)苛要求

飛思卡爾半導(dǎo)體近日推出其下一代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）射頻功率晶體管，以滿(mǎn)足蜂窩發(fā)射器降低功耗的迫切需求。

飛思卡爾的第八代高壓 （HV8）射頻功率 LDMOS 技術(shù)沿襲了公司一貫領(lǐng)先的射頻功率晶體管技術(shù)，專(zhuān)門(mén)用來(lái)滿(mǎn)足W-CDMA和WiMAX等高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用以及LTE和多載波GSM等新興標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)苛要求?；贖V8技術(shù)的系列器件針對(duì)先進(jìn)功率放大器架構(gòu)中的運(yùn)行做了優(yōu)化，包括與數(shù)字預(yù)失真（DPD）結(jié)合使用的Doherty。

飛思卡爾HV8技術(shù)的首要優(yōu)勢(shì)是提高了運(yùn)行效率，這樣就幫助降低了基站系統(tǒng)的總功耗，進(jìn)而降低了運(yùn)營(yíng)成本。此外，HV8還能夠適應(yīng)先進(jìn)系統(tǒng)架構(gòu)的更嚴(yán)苛的操作環(huán)境要求。

最初幾款產(chǎn)品的功率水平將在100W至300W之間。此外，HV8產(chǎn)品還能夠利用并擴(kuò)大飛思卡爾的低成本模壓封裝系列，具有極高的價(jià)值，覆蓋了700 MHz至2.7 GHz范圍的主要頻帶。

針對(duì)900 MHz頻帶內(nèi)的運(yùn)行做了優(yōu)化的晶體管有望率先從HV8 射頻功率 LDMOS技術(shù)中受益，以有效滿(mǎn)足多載波GSM系統(tǒng)的嚴(yán)苛要求。Doherty參考設(shè)計(jì)專(zhuān)門(mén)針對(duì)MC-GSM市場(chǎng)做了優(yōu)化，顯示出出色的效率和DPD校正性能，即使是在一些最嚴(yán)格的信號(hào)配置條件下。

HV8 性能
作為HV8性能的一個(gè)示例，采用雙MRF8S9260HHS晶體管的對(duì)稱(chēng)Doherty參考設(shè)計(jì)（針對(duì)多載波GSM應(yīng)用）能夠提供58.0 dBm (630W) 的峰值功率、16.3 dB的增益、42.5%的漏極效率（在49.4 dBm (87W)的平均輸出功率水平情況下）以及良好的寬帶線(xiàn)性。DPD評(píng)估也顯示，在高達(dá)20 MHz的信號(hào)帶寬中，使用6個(gè)GSM載波能夠很好地校正這種參考設(shè)計(jì)。

MRF8S9260H、MRF8S9170N、MRF8S9200N和MRF8P9300H晶體管也達(dá)到了類(lèi)似的性能結(jié)果。

飛思卡爾的HV8 LDMOS平臺(tái)有效滿(mǎn)足了功率放大器制造商的成本、性能和可靠性要求，彰顯了飛思卡爾致力于成為通信系統(tǒng)射頻領(lǐng)導(dǎo)者的承諾 。