導(dǎo)言：富士通半導(dǎo)體推出用于RFID標(biāo)簽的一款新的芯片，芯片用于高頻RFID標(biāo)簽，帶9 KB的FRAM內(nèi)存。大容量的內(nèi)存和串口擴(kuò)大了RFID標(biāo)簽的潛在應(yīng)用，為RFID在嵌入式領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用開辟了新的可能性。

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其FerVID 家族推出用于RFID標(biāo)簽的一款新的芯片－MB89R112。該芯片用于高頻RFID標(biāo)簽，帶9 KB的FRAM內(nèi)存。FerVID家族產(chǎn)品使用鐵電存儲器（FRAM），具有寫入速度快，高頻可重寫，耐輻射，低功耗操作等特點(diǎn)。新品樣片2012年8月起批量供貨。


圖1：MB89R112芯片圖

MB89R112在高頻RFID標(biāo)簽行業(yè)里擁有領(lǐng)先的內(nèi)存容量并帶有串行SPI接口，這為RFID在嵌入式領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用開辟了新的可能性。

2004年以來，富士通半導(dǎo)體FerVID家族開發(fā)了兩個(gè)頻段的FRAM產(chǎn)品，芯片用于在HF波段(13.56 MHz)和UHF波段(860 ~ 960 MHz)下運(yùn)行的高性能RFID標(biāo)簽。今天，其產(chǎn)品應(yīng)用廣泛，包括用于工廠自動(dòng)化和維護(hù)部門的數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽的芯片，利用FRAM的快速寫入速度和大容量內(nèi)存空間；用于醫(yī)療和制藥行業(yè)的芯片，可以承受伽瑪輻射和電子束；帶串口的芯片可以用于嵌入式應(yīng)用。

除了這些用途外，市場上產(chǎn)生了新的需求，要求產(chǎn)品具有大容量內(nèi)存，并能連接RFID和傳感器及微控制器，用于無線改變產(chǎn)品的運(yùn)行參數(shù)或者在產(chǎn)品分銷時(shí)無線捕捉環(huán)境因素日志。這些功能將有利于汽車和電子制造業(yè)的生產(chǎn)控制及飛機(jī)、道路、建筑和公共工程的維護(hù)應(yīng)用。

富士通半導(dǎo)體針對這一需求開發(fā)了用于RFID標(biāo)簽的芯片－MB89R112，它包括一個(gè)串口SPI和9 KB容量的存儲空間，目前其它競爭商家在HF頻段的還沒有同樣大存儲空間的產(chǎn)品。MB89R112設(shè)計(jì)為近場無源RFID，符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)ISO/IEC 15693。

MB89R112 加入FerVID家族意味著生產(chǎn)線涵蓋容量為256 B ~9 KB的高頻段芯片和容量為4 KB ~ 64 KB的超高頻段芯片。此外，對于嵌入式應(yīng)用的帶串口的芯片，生產(chǎn)線包括4 KB UHF段芯片和9 KB HF段芯片。連同其各種微控制器生產(chǎn)線，富士通半導(dǎo)體幾乎能滿足您的任何需要。


圖 2. FRAM RFID產(chǎn)品線路圖

MB89R112的特性及規(guī)格
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MB89R112的特性：

1.高頻RFID中內(nèi)存空間行業(yè)領(lǐng)先

該產(chǎn)品包括9 KB的FRAM，這是ISO/IEC15693定義的在高頻段運(yùn)行的RFID芯片所能支持的最大密度產(chǎn)品。9 KB中的8 KB可用于用戶內(nèi)存，配置為256塊，每塊32B，這可對ISO/IEC 15693定義的整個(gè)8 KB區(qū)域進(jìn)行讀寫訪問。寫8 KB數(shù)據(jù)大約需要4秒，這比使用E2PROM的產(chǎn)品快六倍。RFID標(biāo)簽上提供更多的數(shù)據(jù)，用戶可以更有效地使用以下應(yīng)用：產(chǎn)品生命周期的追蹤管理，從制造、物流到使用和處置；現(xiàn)場的數(shù)據(jù)記錄儀，用于記錄設(shè)備維護(hù)日志。

2.適合嵌入式應(yīng)用的SPI

該產(chǎn)品包括一個(gè)連接到微控制器的串口SPI。微控制器可以通過SPI接口讀取FRAM上8 KB的用戶數(shù)據(jù)，共享的用戶區(qū)域可用作數(shù)據(jù)記錄儀，也可用作改變微控制器的運(yùn)行參數(shù)的參數(shù)區(qū)域。例如，可用來記錄物流的環(huán)境讀數(shù)，檢測設(shè)備錯(cuò)誤，改變電子顯示，改變傳感器閾值，改變固件設(shè)置，并有許多其它以前高不可及的新穎和創(chuàng)新性的用途。

MB89R112的主要規(guī)格