【導(dǎo)讀】本文介紹的基于運(yùn)放的電流檢測(cè)電路并不新鮮，它的應(yīng)用已有些時(shí)日，但關(guān)于電路本身的討論卻比較少。在相關(guān)應(yīng)用中它被非正式地命名為“電流驅(qū)動(dòng)”電路，所以我們也沿用這一名稱。我們先來(lái)探究其基本概念。它是一個(gè)運(yùn)算放大器及MOSFET電流源(注意，也可以使用雙極晶體管，但是基極電流會(huì)導(dǎo)致1%左右的誤差)。圖1A顯示了一個(gè)基本的運(yùn)算放大器電流源電路。把它垂直翻轉(zhuǎn)，就可以做高側(cè)電流檢測(cè)（如圖1B所示），在圖1C中重新繪制，顯示我們將如何使用分流電壓作為輸入電壓，圖1D是最終的電路。
圖1：從基本運(yùn)算放大器電流源轉(zhuǎn)換為具有電流輸出的高側(cè)電流檢測(cè)放大器。
圖2顯示了電路電源電壓低于運(yùn)算放大器的額定電源電壓。在電壓-電流轉(zhuǎn)換中添加一個(gè)負(fù)載電阻，記住您現(xiàn)在有一個(gè)高阻抗輸出，如果您想要最簡(jiǎn)單的方案，這樣可能就行了。
基本電路
圖2顯示了基本實(shí)現(xiàn)高側(cè)電流檢測(cè)的完整電路。需要考慮的細(xì)節(jié)有：
● 運(yùn)放必須是軌對(duì)軌輸入，或者有一個(gè)包括正供電軌的共模電壓范圍。零漂移運(yùn)算放大器可實(shí)現(xiàn)最小偏移量。但請(qǐng)記住，即使使用零漂移軌對(duì)軌運(yùn)放，在較高的共模范圍內(nèi)運(yùn)行通常不利于實(shí)現(xiàn)最低偏移。
● MOSFET漏極處的輸出節(jié)點(diǎn)由于正電壓的擺動(dòng)而受到限制，其幅度小于分流電源軌或小于共模電壓。采用一個(gè)增益緩沖器可以降低該節(jié)點(diǎn)處的電壓擺幅要求。
● 該電路不具備在完全短路時(shí)低邊檢測(cè)或電流檢測(cè)所需的0V共模電壓能力。在圖2所示的電路中，最大共模電壓等于運(yùn)算放大器的最大額定電源電壓。
● 該電路是單向的，只能測(cè)量一個(gè)方向的電流。
● 增益精度是RIN和RGAIN公差的直接函數(shù)。很高的增益精度是可能獲得的。
● 共模抑制比(CMRR)一般由放大器的共模抑制能力決定。MOSFET也對(duì)CMRR有影響，漏電的或其它劣質(zhì)的MOSFET可降低CMRR。
圖2：最簡(jiǎn)單的方法是使用電源電壓額定值以內(nèi)的運(yùn)算放大器。圖中配置的增益為50。增益通過(guò)RGAIN/RIN設(shè)定。
性能優(yōu)化
一個(gè)完全緩沖的輸出總是比圖2的高阻抗輸出要通用得多，它在緩沖器中提供了較小的增益2，可降低第一級(jí)和MOSFET的動(dòng)態(tài)范圍要求。
在圖3中，我們還添加了支持雙向電流檢測(cè)的電路。這里的概念是使用一個(gè)電流源電路(還記得圖1A吧？)以及一個(gè)輸入電阻(RIN2)，它在U1非逆變輸入端等于RIN(這時(shí)為RIN1)。然后這個(gè)電阻器產(chǎn)生一個(gè)抵消輸出的壓降，以適應(yīng)必要的雙向輸出擺動(dòng)。從REF引腳到整個(gè)電路輸出的增益基于RGAIN/ROS的關(guān)系，這樣就可以配置REF輸入來(lái)提供單位增益，而不用考慮通過(guò)RGAIN/RIN所設(shè)置的增益(只要RIN1和RIN2的值相同)，就像傳統(tǒng)的差分放大器參考輸入一樣工作：
VREFOUT=VREF*(RGAIN/ROS)*ABUFFER
(其中ABUFFER是緩沖增益)
注意，在所有后續(xù)電路中，雙向電路是可選的，對(duì)于單向電路工作可以省略。
圖3：這一版本增加了緩沖輸出和雙向檢測(cè)能力。它提供了一個(gè)參考輸入，即使在RIN1和RIN2值確定了不同增益設(shè)置的情況下，它也總是在單位增益下工作。
在共模高電壓下使用
通過(guò)浮動(dòng)電路并使用具有足夠額定電壓的MOSFET，電流驅(qū)動(dòng)電路幾乎可在任何共模電壓下使用，電路工作電壓高達(dá)數(shù)百伏的應(yīng)用已經(jīng)非常常見和流行。電路能達(dá)到的額定電壓是由所使用的MOSFET的額定電壓決定的。
浮動(dòng)電路包括在放大器兩端增加齊納二極管Z1，并為它提供接地的偏置電流源。齊納偏壓可像電阻一樣簡(jiǎn)單，但是我喜歡電流鏡技術(shù)，因?yàn)樗岣吡穗娐烦惺茇?fù)載電壓變化的能力。這樣做時(shí)，我們已創(chuàng)建了一個(gè)運(yùn)放的電源“窗口”，在負(fù)載電壓下浮動(dòng)。
另一個(gè)二極管D1出現(xiàn)在高壓版本中。這個(gè)二極管是必要的，因?yàn)橐粋€(gè)接地的短路電路最初在負(fù)載處會(huì)把非逆變輸入拉至足夠負(fù)(與放大器負(fù)供電軌相比)，這將損壞放大器。二極管可以限制這種情況以保護(hù)放大器。
圖4：高壓電路“浮動(dòng)”運(yùn)放，其齊納電源處于負(fù)載電壓軌。
該電路其它鮮為人知的應(yīng)用
我不確定是否還有人使用電流檢測(cè)MOSFET。幾年前的一些實(shí)驗(yàn)室研究表明，一旦校準(zhǔn)，MOSFET電流檢測(cè)是非常精確和線性的，盡管它們具有約400ppm的溫度系數(shù)，我對(duì)這樣的結(jié)果很滿意。但是，最佳的電路結(jié)構(gòu)迫使檢測(cè)電極在與MOSFET的源電壓相同的電壓下工作，同時(shí)輸出部分電流。圖5顯示了如何使用電流驅(qū)動(dòng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)MOSFET檢測(cè)FET電路。
圖5：MOSFET檢測(cè)FET電路。
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