●   這樣的產品設計思路，充分體現在 Vishay 功率 IC 產品定義和開發(fā)過程中，歸納起來就是：

●   通過不斷提升集成度，滿足更高的功率密度需要，適應系統小型化的要求；

 

同時也要解決“集成”過程中面臨的一系列的問題，如效率、散熱、成本等。

 

當然，“集成”二字說起來容易，但是真要做起來——應該將哪些功能集成在一起，以及如何集成——這里面也有不少門道兒，真正能做得好，也不是那么容易。

 

在這方面，Vishay 有不少成功的經驗和心得，在不斷“集成”的過程中也研發(fā)出了一系列非常具有代表性的產品，形成全面而多樣化的產品組合，滿足不同應用的需要（見表 1）。

 

表 1. Vishay 功率 IC 產品典型應用

 

今天我們就一起來梳理一下，Vishay 功率 IC 產品的“集成”之路。

 

DrMOS (VRPower®)：集成的第一步

 

一個典型的 DC/DC 轉化器系統可以分為幾個部分：控制器 IC、柵極驅動器、MOSFET 和外圍的無源元件——其中一個“大塊頭”就是輸出端的電感。面對這些可選的“集成”對象，Vishay 最先的考慮是將柵極驅動器和 MOSFET 集成在一起，由此也就誕生了 DrMOS (VRPower®)功率級（Power Stage）模塊。

 

圖 1. DrMOS (= 驅動+上橋與下橋 MOSFET) 的功率級

 

這一“集成”帶來的效果是顯著的，DrMOS 功率級的最新封裝尺寸可以小至 4.5mm x 3.5mm，其他封裝規(guī)格（5mm x 5mm / 5mm x 6mm / 6mm x 6mm）的身材也很纖小以應不同應用的需求，與傳統分立元器件方案相比，高下立現。

 

在 Vishay 先進的柵極驅動、封裝和 MOSFET 技術的加持下，DrMOS 功率級的性能表現并沒有因為高集成度而打折扣。以 5mm x 5mm 封裝的 SiC620R 為例，在一個典型的多相降壓轉化應用中效率可以達到 95% 以上，每相輸出電流可達 60A，而在 5mm x 6mm 封裝的 SiC820/830 中，每相輸出電流更是可以達到 80A。DrMOS 功率級的開關頻率也可高達 1.5MHz。另外 Vishay 最新的 DrMOS 還集成了過電流保護/過溫度保護/上橋 MOSFET 短路偵測以及溫度和電流報告（IMON & TMON）等功能，讓器件的可靠性進一步提升。

 

Vishay 的 DrMOS 采用了第 4 代/第 4.5 代的 MOSFET 工藝，與上一代的 DrMOS 器件相比，DrMOS 效率提升了 3%，工作溫度減低超過 50℃，而占板面積卻壓縮了 33%，提升了整體的功率密度效益。Vishay 在 Power IC 方面的“集成”功力由此可見一斑。

 

圖 2. Vishay DrMOS 功率級產品性能一覽

 

microBUCK®：完整的 DC/DC 降壓模塊

 

像 DrMOS 功率級模塊這樣的高顏值產品，無疑會成為市場的寵兒，而 Vishay 在初嘗“高集成度”的勝果之后，當然會在這條路上繼續(xù)前行。

 

進一步的“集成”，Vishay 將目標放在了控制器 IC上，如此一來整個 POL 穩(wěn)壓器就被集成了進來，形成了一個包括先進的控制器 IC、柵極驅動器和兩個針對 PWM 控制與應用優(yōu)化的 N 溝道 MOSFET(上橋與下橋)的高集成度 DC/DC 降壓方案——這就是 Vishay 的 microBUCK® 產品。

 

圖 3. 集成了 PWM 控制器的 DC/DC 降壓模塊

 

我們還是先從外形上看，microBUCK® 產品包括 MLP 4mm x 4mm / 5mm x 5mm / 5mm x 7mm 幾種封裝類型，“小身材”保持得不錯。

 

而在性能方面，microBUCK®可以支持 4.5V~60V（SiC46x 系列）很寬的輸入電壓范圍；也可支持單相最高輸出電流達 40A（SiC450, 具 PMBus 功能）應用；其在效率方面也很出色，以 SiC471 為例，在峰值功率時的效率高達 98.5% (42VIN / 28VOUT)，在輕負載情況下也可保持在 90%以上。為實現可靠工作并進一步簡化系統，microBUCK®器件還可提供逐周期電流限制、使能引腳、內部軟啟動、欠壓鎖定、過壓保護，以及 +150℃ 時熱關斷等功能，并且在 SiC45x 系列更是提供了 PMBus，讓使用者能夠自在的調適應用所需的條件。

 

圖 4. microBUCK®產品 SiC471 的效率表現

 

目前 microBUCK® 已經形成了包括 SiC43x、SiC45x、SiC46x、SiC47x、SiCQ48x 系列在內的完整的產品陣列，它們各具特點，可以滿足不同應用的需要。比如處于樣品和研發(fā)階段的 SiCQ48x 汽車級產品系列，將可以支持高達 65V 的輸入電壓；符合 PMBus 標準的 SiC45x 系列則著力突出在大電流輸出方面的優(yōu)勢。

 

圖 5. microBUCK® 產品路線圖

 

microBRICKTM：把電感“裝”進來

 

現在，我們再回過頭來去看 microBUCK®產品的結構——控制器 IC、柵極驅動器、MOSFET 等半導體器件都已經被集成了起來，如果想進一步提高集成度，那只有考慮無源元件了，比如將輸出電感集成進來。

 

這個想法并不新鮮，只是實現起來著實不簡單，搞不好出來的產品會缺乏足夠的經濟性，或者在性能上會有所妥協。而這一難題，Vishay 憑借著自身在半導體和無源元件兩個領域的專業(yè)經驗，成功解決了！

 

圖 6. 集成電感的高集成度 DC/DC 降壓模塊解決方案

 

Vishay 這個集成了電感的 DC/DC 降壓模塊就是 microBRICKTM！SiC931 是 microBRICKTM 系列的首款產品，它的封裝尺寸為 10.6mm x 6.5mm x 3mm，與競品相比，面積縮小 30%，體積減小 50%。如果和 VRPower®和 microBUCK®模塊相比，雖然microBRICKTM 尺寸大了一點，但是如果你考慮到里面還“裝”了一個電感，這個封裝尺寸幾乎與電感器大小一樣——也就是說，整個半導體有源電路的占位面積縮小到接近于“零”！ 

 

圖 7.microBRICKTM 模塊封裝

 

在外人看來，集成如此大塊頭的電感應該是個負擔，但是 Vishay 巧妙地利用了電感固有的特性，通過創(chuàng)新的 3D 封裝，使電感成為優(yōu)化高功率密度模塊散熱性能的一個絕招：

 

●   一方面，將溫度最高的元件 (如 MOSFET) 與較大的冷卻器件 (電感器) 熱耦合，讓電感器起到內置散熱器的作用。 

 

●   另一方面，利用電感器底部較大面積改進 MOSFET 功率耗散，將 MOSFET 放在電感器下面可以加大 PCB 有效截面，而又不會造成額外的面積損失。

 

圖 8.microBRICKTM 先進的 3D 封裝示意圖

 

從電氣性能看，microBRICKTM 模塊 3D 封裝結構還消除了 PCB 電感器與開關節(jié)點之間的互連電阻，減少了總損耗。這種獨特結構，與其他先進的設計和工藝技術一起，使得 microBRICKTM 模塊保持了高效率的優(yōu)勢。

 

圖 9.microBRICKTM SiC931 的高效率表現

 

其他性能方面，SiC931 開關頻率高達 2MHz，提供 4.5V 至 18V 的輸入電壓、低至 0.6V 的可調輸出電壓，連續(xù)輸出電流為 20A。此外，microBRICKTM 還具有超快瞬變響應，極輕負載時可最大限度減小輸出電容容量并嚴格調節(jié)紋波。

 

作為一款具有領先性的產品，microBRICKTM 后續(xù)的產品路線圖也日漸清晰，除了已經發(fā)布的 SiC931，Vishay 還將陸續(xù)推出寬輸入電壓范圍（4.5V 至 60V）的 SiC967，以及符合 PMBUS 1.3 標準、輸出電流為 25A 的 SiC951。

 

圖 10.microBRICKTM 產品路線圖

 

從分立走向集成

 

對于 POL 電源系統來說，傳統的“分立式”方案固然靈活性高，有助于降低物料清單成本，但其需要更長的設計和驗證時間，還需要較高的專業(yè)技術知識以及較長的線路調適時間，這個過程中的不可控的風險也會較高。因此，開發(fā)具有更高集成度的方案成為了 Power IC 發(fā)展的必然之路。

 

Vishay 的 Power IC 產品——DrMOS（VRPower®）、microBUCK®和microBRICKTM ——的發(fā)展進程，可以說完美詮釋了這一趨勢（見圖 11），而且在這個過程中，Vishay 依托自身創(chuàng)新技術和專家經驗，不斷進行著產品的擴展和優(yōu)化。每個系列都提供大量高密度期間帶有相同引腳組合，使設計人員可以擴展以實現成本和性能的最佳組合。

 

圖 11. Vishay 公司 Power IC 產品發(fā)展路線圖

 

伴隨著不斷擴展的產品線，自然是更廣闊的應用版圖（見表 1），而且產品與目標應用的匹配度也更高。

 

對于用戶來說，如此多的高集成度 Power IC 產品選項無疑會給設計帶來極大的便利，他們就可以根據實際應用的需要，從不同類型、豐富的產品組合中選取自己所需的產品和方案，開始創(chuàng)新設計之旅。

 

 

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