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什么是半導體器件
半導體器件（semiconductor device）通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時也稱為分立器件
2012-10-25
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封裝面積減小4成，支持LTE的RF模塊
村田制作所開發(fā)出用于LTE智能手機的小型RF收發(fā)模塊，封裝面積減小4成，其采用該公司的元件內置技術，使用樹脂基板而非陶瓷基板實現了模塊，該模塊集成了LTE收發(fā)信息所需要的RF收發(fā)器IC、功率放大器及前端模塊等，RF電路部分的定位是“全模塊”。
2012-10-24
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從直流到18 GHz氮化鎵產品選擇
全球市場對氮化鎵技術的需求還在不斷增長，TriQuint與Richardson RFPD合作提供的TriQuint 氮化鎵產品包括放大器、晶體管和開關，可提高射頻效率、降低總成本和增強系統(tǒng)堅固性。提供世界級、從直流到18 GHz的氮化鎵產品創(chuàng)新，包括分立晶體管、MMIC及封裝式解決方案。
2012-10-24
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如何突破運算放大器精度限制？
在精密測量過程中，系統(tǒng)工程師們面臨的第一個挑戰(zhàn)便是如何選擇具備最佳性能的運算放大器以及安裝在其周圍的其他組件。這項工作很重要。在一些有空間限制的應用中，工程師們常常會尋求體積最小的封裝，但是這種小型封裝具有一定的優(yōu)勢卻無法提供理想的精度。
2012-10-24
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D類功放和與AB類功放優(yōu)缺點對比
“數字功放”的基本電路是早已存在的Ｄ類放大器（國內稱丁類放大器）。以前，由于價格和技術上的原因，這種放大電路只是在實驗室或高價位的測試儀器中應用。這幾年的技術發(fā)展使數字功放的元件集成到一兩塊芯片中，價格也在不斷下降。理論證明，Ｄ類放大器的效率可達到100％。然而，迄今還沒有找到理想的開關元件，難免會產生一部分功率損耗，如果使用的器件不良，損耗就會更大些。但是不管怎樣，它的放大效率還是達到90％以上。
2012-10-24
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HiFi功率放大器設計BOM
這個簡單的低成功率放大器?？梢?種方法完成，就像圖表中所指示的（從20W到80W RMS ）。首先要作的是測試末極功率管的放大系數hfe or β.如果差異大于30％，放大器將不會提供一個清晰的聲音，使用MJ3001和 MJ2501晶體管，他們的差異在5％。
2012-10-24
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TI推出降低散熱達30℃的新降壓升壓轉換器
最新 4G 手機具有更高的數據上載需求，要求對各種應用程序實現“實時”開啟或關閉，這需要更高的射頻功率放大器輸出水平，使LTE即便在較低的電池電壓下也能工作。TI推出新降壓升壓轉換器，將流耗銳降50%并降低放大器散熱達30攝氏度。
2012-10-23
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應用于汽車儀表盤內音響控制的數字放大器
意法半導體發(fā)布業(yè)界首款全數字功率放大器系統(tǒng)級芯片系列產品，主要用于汽車儀表盤內安裝的音響系統(tǒng)控制面板。
2012-10-22
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D類放大器給車載設備帶來強大高音質體驗
意法半導體全新音頻放大器還可提升大功率功放的音頻性能，在車內連續(xù)不間、無任何失真地播放音樂，不受汽車的停啟引擎技術或混合動力汽車的電力驅動器與內燃機引擎在不同運轉模式之間轉換的影響。
2012-10-22
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TriQuint最新射頻芯片組被應用于7月發(fā)射成功的衛(wèi)星中
TriQuint新型集成功能射頻芯片組包括高線性放大器、上變頻器和下變頻器，全面支持Ka 波段頻率 (28 至 31 GHz) 提供更高速率的數據通信、高清晰度的衛(wèi)星電視以及其他帶寬密集型的應用，包括在今年7月成功發(fā)射衛(wèi)星。
2012-10-19
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如何利用熱反饋控制LED溫升？
LED的平均壽命高度取決于工作溫度，工作溫度上升10°LED的壽命就會縮短一半，這種情況迫使工程師降低調節(jié)電流， 犧牲亮度來延長使用壽命。本文介紹一個使用熱敏電阻控制運算放大器 (op amp) 的LED驅動電路，其在LED電路板溫度上升時 降低驅動電流。
2012-10-17
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MILMEGA公司獲頒2012英國女王企業(yè)創(chuàng)新獎
近日，專注于大功率微波及射頻放大器的設計者和制造商MILMEGA 公司獲頒早前提名的“英國女王企業(yè)創(chuàng)新獎”。MILMEGA公司基于新穎的設計理念及高技術含量的放大器產品，獲此殊榮。
2012-10-16
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