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圖文詳細(xì)解說(shuō)S參數(shù)

發(fā)布時(shí)間:2019-11-26 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】S 參數(shù) 是SI與RF領(lǐng)域工程師必備的基礎(chǔ)知識(shí),大家很容易從網(wǎng)絡(luò)或書(shū)本上找到S,Y,Z參數(shù)的說(shuō)明,筆者也在多年前寫(xiě)了S參數(shù) -- 基礎(chǔ)篇。但即使如此,在相關(guān)領(lǐng)域打滾多年的人, 可能還是會(huì)被一些問(wèn)題困擾著。你懂S參數(shù)嗎? 請(qǐng)繼續(xù)往下看...
 
圖文詳細(xì)解說(shuō)S參數(shù)
 
一、個(gè)別參數(shù)與串聯(lián)S參數(shù)的差別  
 
問(wèn)題1:為何有時(shí)候會(huì)遇到每一段的S參數(shù)個(gè)別看都還好,但串起來(lái)卻很差的情況(loss不是1+1=2的趨勢(shì))?
 
Quick answer : 如果每一線(xiàn)段彼此連接處的real port Zo是匹配的,那loss會(huì)是累加的趨勢(shì),但若每一線(xiàn)段彼此連接處的real port Zo差異很大,那就會(huì)看到loss不是累加的趨勢(shì),因?yàn)榇拥慕用嫔蠒?huì)有多增加的反射損失。
 
下圖所示的三條傳輸線(xiàn)
 
Line1是一條100mm長(zhǎng),特性阻抗設(shè)計(jì)在50ohm的微帶線(xiàn),左邊50mm,右邊50mm。
 
Line2也是一條100mm長(zhǎng)的微帶線(xiàn),左邊50mm維持特性阻抗50ohm,但右邊50mm線(xiàn)寬加倍,特性阻抗變 小到33。
 
Line3也是一條100mm長(zhǎng)的微帶線(xiàn),左邊50mm維持特性阻抗50ohm,但右邊50mm線(xiàn)寬加倍,特性阻抗變 小到33,且呈135o轉(zhuǎn)折。
 
圖文詳細(xì)解說(shuō)S參數(shù)
 
觀(guān)察Line1的S21發(fā)現(xiàn),左右兩段的S參數(shù)有累加特性
 
圖文詳細(xì)解說(shuō)S參數(shù)
 
觀(guān)察Line2, Line3的S21發(fā)現(xiàn), 整條線(xiàn)的S參數(shù)比起左右兩段個(gè)別看的S參數(shù)之累加差一些
 
圖文詳細(xì)解說(shuō)S參數(shù)
 
問(wèn)題2:為何各別抽BGA與PCB的S參數(shù)后,在Designer內(nèi)串接看總loss,與直接抽BGA+PCB看S參數(shù)的結(jié)果不同?
 
Quick answer : 這與結(jié)構(gòu)在3D空間上的交互影響,還有下port位置有時(shí)也有影響。
 
下圖所示是兩層板BGA封裝,放上有完整參考平面的PCB兩層板, 這是在消費(fèi)性電子產(chǎn)品很常見(jiàn)的應(yīng)用條件。
 
黃色是高速的差動(dòng)對(duì)訊號(hào),其在PCB上走線(xiàn)的部分,有很好的完整參考平面,但在BGA端則完全沒(méi)有參考平面。
 
圖文詳細(xì)解說(shuō)S參數(shù)
圖文詳細(xì)解說(shuō)S參數(shù)
HFSS 3D Layout模擬結(jié)果
 
二、雙埠S參數(shù)對(duì)地回路效應(yīng)的處理  
 
問(wèn)題1:RLC等效電路可以估出訊號(hào)線(xiàn)與地回路每一段的RLC特性,但S參數(shù)卻不行,原因是什么? S參數(shù)帶有地回路的寄生效應(yīng)嗎?
 
Quick answer : RLC等效電路是terminal base model,而S參數(shù)是port base model,后者看的昰一個(gè)port的正負(fù)兩端之間的差值。公眾號(hào) 濾波器 所以S參數(shù)雖然有含地回路(return path)寄生效應(yīng),但無(wú)法單獨(dú)分離出地回路的影響。
 
問(wèn)題2:在Designer匯入S參數(shù)模型時(shí),可以選擇該S參數(shù)的電路符號(hào)要不要有每一個(gè)port的reference ground (negative terminal),或是使用common ground,使用common ground是否表示把每個(gè)port的negative terminal短路,會(huì)忽略地回路的寄生效應(yīng)嗎?
 
Quick answer : 使用common ground,并不會(huì)把return path兩端short,S參數(shù)本身已經(jīng)內(nèi)含地回路的效應(yīng)。
 
三、兩個(gè)2-port 能否組成一個(gè)4-port  
 
兩個(gè)2-port S參數(shù),有可能組成一個(gè)4-port S參數(shù)嗎?
 
Quick answer : No. 一個(gè)2-port S參數(shù),內(nèi)涵2x2 (4) matrix單元,即S11, S12, S21, S22,而一個(gè)4-port S參數(shù),需內(nèi)涵4x4 (16) matrix單元。所以明顯的,當(dāng)有兩條線(xiàn)的兩個(gè)2-port S參數(shù),并不足以充分且唯一定義一個(gè)4-port S參數(shù),即這兩條"之間"的近端耦合與遠(yuǎn)程耦合條件并未被定義。換言之,一個(gè)4-port S參數(shù)可以簡(jiǎn)化(reduce order)分離出兩個(gè)2-port S參數(shù),但反之不然。
 
四、3D模型S參數(shù)串連的差別  
 
全3D模型的S參數(shù),與分開(kāi)的3D模型S參數(shù)串連的差別
 
常見(jiàn)的問(wèn)題是:封裝與PCB板單獨(dú)抽S參數(shù)后,再于電路仿真軟件串接S參數(shù),這樣的做法跟把封裝與PCB直接在仿真軟件中3D貼合抽S參數(shù)會(huì)有怎樣的差異?
 
Quick answer : 封裝與PCB間在Z軸上的空間耦合路徑,只有把封裝與PCB直接在仿真軟件中3D貼合抽S參數(shù)時(shí),才會(huì)被考慮。這樣的做法當(dāng)然是最準(zhǔn)的做法,公眾號(hào) 濾波器 但需不需要每個(gè)案子都一定 非得這么做不可,其實(shí)取決于結(jié)構(gòu)與帶寬考慮。當(dāng)這條路徑的耦合效應(yīng)影響,在您所設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)下,在一定帶寬以上的影響不能被忽略時(shí),就必須考慮。
 
五、Port阻抗的設(shè)定  
 
Port阻抗的設(shè)定,對(duì)S參數(shù)本質(zhì)上,與S參數(shù)的使用上,有沒(méi)有影響?
 
Quick answer : 雖然renormalize不同的port阻抗,會(huì)得到不同的S參數(shù)曲線(xiàn),但該N-port model所定義的物理效應(yīng)本質(zhì)上是相同的。所以對(duì)于model的使用,理論上沒(méi)影響,但實(shí)際上 因?yàn)閠ool的transient analysis的數(shù)值處理能力(fitting ability)不同,有些時(shí)候有影響。
 
打個(gè)比方,在SIwave v4.0很早期的文件,會(huì)建議訊號(hào)的port阻抗設(shè)50ohm,而電源的port阻抗設(shè)0.1~1ohm,但目前的SIwave其實(shí)就不需要特別這么做,即你可以延續(xù)之前的設(shè)定習(xí)慣,或是全部都renormalize 50ohm,SIwave吐出的S參數(shù)代到Designer去用,都可以得到一樣的結(jié)果。如果您使用其他的tool有遇到設(shè)不同的port阻抗,得到時(shí)域模擬結(jié)果不同的情況,建議您可以試試SIwave。
 
六、Export S參數(shù)模型時(shí)  
 
Export S參數(shù)模型時(shí),有沒(méi)有做port renormalize to 50ohm,對(duì)使用S參數(shù)有沒(méi)有影
 
Quick answer : No
 
七、問(wèn)題與討論  
 
(1) S參數(shù)無(wú)法匯入怎么辦? 
 
Ans:首先檢查tool是否反饋任何錯(cuò)誤訊息,再來(lái)以文本編輯器打開(kāi)該S參數(shù),檢查其頻點(diǎn)描述定義是否是遞增排列(frequency monotonicity)。會(huì)出現(xiàn)這種烏龍錯(cuò)誤,通常是有人手動(dòng)編輯去修改S參數(shù)造成。
 
(2) S參數(shù)因?yàn)閜ort數(shù)過(guò)多導(dǎo)致模擬耗時(shí)怎么辦? 
 
Ans:遇到S參數(shù)模擬耗時(shí),首先我會(huì)檢查該S參數(shù)是否有passivity與causality issue,或是在Designer模擬過(guò)程中,注意看看是否在state-space fitting process卡很久。遇到多埠S參數(shù),則試著轉(zhuǎn)成state space model (.sss),仿真速度會(huì)加快不少,而透過(guò)SIwave或NdE轉(zhuǎn)state space model的程序中,建議只勾enforce passivity,不用勾enforce causality,這樣也會(huì)節(jié)省不少時(shí)間。(因?yàn)閟tate space algorithm本身就滿(mǎn)足primitive causality,所以不用擔(dān)心其因果性問(wèn)題)
 
圖文詳細(xì)解說(shuō)S參數(shù)
 
(3) Toushstone1.0(TS1.0)與TS2.0主要有何差別? 
 
Ans:TS2.0 (.ts)支持mixed reference impedance,而TS1.0 (.snp)每個(gè)port的reference impedance都要是相同的50ohm. 以SIwave為例:
 
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以Designer內(nèi)NdE (Network Data Explorer)為例
 
圖文詳細(xì)解說(shuō)S參數(shù)
 
不管原本在SIwave或HFSS的port設(shè)定是否有指定renormalize,最后要export時(shí)還可以再?zèng)Q定要不要overwrite renormalize
 
(4)0Touchstone file可以設(shè)定noise data,那是什么東西,何時(shí)使用? 
 
Ans:這是在TS1.0就有定義的功能,可以對(duì)Touchstone file附加noise data定義,一般用于主動(dòng)組件的S參數(shù)模型。
 
當(dāng)你在Designer匯入S參數(shù)模型時(shí),可以右鍵單擊[Edit Model]檢視noise data (如果有的話(huà)).
 
圖文詳細(xì)解說(shuō)S參數(shù)
 
(5)為何在2.2的例子,BGA與PCB各別S參數(shù)的loss累加(-0.29-0.8=-1.09)反而是比整個(gè)3D model一起看所得到的S參數(shù)(-1.06)來(lái)的差? 
 
Ans:當(dāng)BGA與PCB做3D結(jié)合的條件下去抽S參數(shù)時(shí),此時(shí)原本沒(méi)有參考平面的BGA上走線(xiàn),會(huì)看到一些PCB上的平面透過(guò)solder ball所貢獻(xiàn)的些微回流路徑效應(yīng)。這點(diǎn)我們也可以透過(guò)觀(guān)察Z11(Z profile)來(lái)驗(yàn)證。
 
圖文詳細(xì)解說(shuō)S參數(shù)
 
 
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