我們將使用增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的設(shè)計與硅基器件設(shè)計進(jìn)行比較，旨在確定品質(zhì)因素(FOM)優(yōu)勢(如更低的Qg和Qoss，以及接近于零的Qrr)在多大程度上有助于實現(xiàn)效率和功率密度目標(biāo)。其關(guān)鍵參數(shù)的比較數(shù)據(jù)見圖1-3。

 

圖1：連續(xù)三代超結(jié)器件的輸出電容特性曲線與增強(qiáng)型GaN的比較

 

圖2: 連續(xù)三代超結(jié)器件的輸出電容儲能趨勢與GaN的比較

 

圖3：增強(qiáng)型GaN(左)與CoolMOS C7(右)的QOSS vs Vds關(guān)系比較

 

更緊湊、更高效的服務(wù)器電源

 

首先，我們使用GaN替代服務(wù)器電源中的Si MOSFET，并對其效果進(jìn)行了評估。對數(shù)據(jù)中心進(jìn)行電源管理，提高系統(tǒng)效率，可在不增加電路板尺寸的前提下，提高計算性能，降低設(shè)備的冷卻成本。典型的高效電源(見圖4和表1)采用的是圖騰柱AC-DC整流器和兩個交錯的高頻橋臂，以及LLC架構(gòu)配合中心抽頭變壓器(12V系統(tǒng))或全橋整流(48V系統(tǒng))

 

圖4 服務(wù)器電源采用了一個圖騰柱AC-DC整流器和兩個交錯的高頻橋臂，以及一個帶中心抽頭變壓器的LLC DC-DC轉(zhuǎn)換器

 

表1. 服務(wù)器電源規(guī)格

 

在無橋拓?fù)渲惺褂贸Y(jié)器件(SuperJunction MOSFET)，必須在三角波電流模式(TCM)下工作。而采用GaN開關(guān)則支持三種工作模式：TCM、連續(xù)電流模式(CCM)或最優(yōu)頻率調(diào)制(OFM)模式。采用GaN的設(shè)計，PFC(整流)級的效率可在功率密度為 170 W/inch3時提高0.2 – 0.3%，功率密度超過200 W/inch3時，提高達(dá)到0.4%及以上。對于DC-DC這一級，功率密度達(dá)200 W/inch3時，效率可提高0.2% - 0.4%。比如對于鉑金服務(wù)器電源，采用GaN的方案與Si器件方案相比，不僅其效率平均提高了4%左右，而且在相同外形尺寸下可以支持的最大功率也從1600W增加到3kW。

 

如今，越來越多的計算架構(gòu)開始使用GPU并行處理，這使得每個機(jī)架的功耗成倍增加，達(dá)到20kW及以上。這時12V電源架構(gòu)的配電損失過大，因此具有更高系統(tǒng)效率的機(jī)架式48V電源架構(gòu)越來越受歡迎。

 

我們對一個3KW的 48V整流器進(jìn)行了優(yōu)化。該電源使用Si MOSFET器件，峰值 效率97.1%@50%載，功率密度33W/inch3。首先，將AC-DC級改為一個帶高頻和低頻橋臂的圖騰柱整流器，高頻橋臂采用GaN開關(guān)，低頻橋臂采用超結(jié)MOSFET，這樣效率就可達(dá)到97.5%。為進(jìn)一步提高效率，還增加了第二條高頻橋臂，在騰圖柱上與第一個交錯布置。

 

在DC-DC級，在原邊采用35 m?的GaN器件做為半橋，可以進(jìn)一步提升效率。得益于GaN器件較低的Qoss優(yōu)勢，以及相應(yīng)地調(diào)整諧振頻率和激磁電感，可將系統(tǒng)效率提高約0.3%。若將變壓器改為矩陣結(jié)構(gòu)，即采用串聯(lián)的初級繞組和并聯(lián)的次級繞組，還可將系統(tǒng)效率再提高0.3%。

 

總而言之，將PFC和LLC級的改進(jìn)相結(jié)合，可在功率密度為30- 35 W/inch3的條件下提高峰值效率，系統(tǒng)效率達(dá)98.5%(圖5)。

 

圖5. 圖騰柱PFC級改進(jìn)結(jié)果(包括EMI濾波器)：采用GaN和Si基功率器件的系統(tǒng)效率與功率密度比較

 

無線基礎(chǔ)設(shè)施的電源要求

 

如今我們正朝向5G無線通信轉(zhuǎn)型，通信基站的配電和整體功耗對運(yùn)營商建設(shè)成本(CAPEX 和OPEX)愈發(fā)重要。通信基站的負(fù)載特性和輸出電壓變化范圍與數(shù)據(jù)中心不同，因此，盡管基站電源和數(shù)據(jù)中心電源的拓?fù)浼軜?gòu)相似，但我們在做設(shè)計優(yōu)化時針對的負(fù)載范圍側(cè)重點不同(基站電源30~50% vs 數(shù)據(jù)中心50~70%)。

 

與48V服務(wù)器電源一樣，設(shè)計優(yōu)化工作也會用到GaN(用于高壓開關(guān))與低頻超結(jié)MOSFET組合，如用于圖騰柱PFC的返回路徑開關(guān)和LLC的次級側(cè)。研究中針對優(yōu)化而改變的其它參數(shù)包括PFC級高頻橋臂的數(shù)量、LLC的級數(shù)和并聯(lián)數(shù)量，變壓器的串并聯(lián)方式以及開關(guān)頻率的改變：GaN設(shè)計的LLC振諧頻率的最佳值通常在150kHz左右，而超結(jié) MOSFET設(shè)計為100kHz。

 

結(jié)果(圖6)發(fā)現(xiàn)，在常用的30 - 40 W/inch3 功率密度下，GaN解決方案能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率(約0.3%效率增加)。在此功率密度下，若在PFC級中使用GaN器件，則還能通過使用單個高頻圖騰柱橋臂來降低成本。

 

圖6.LLC級的改進(jìn)結(jié)果：采用Si和GaN功率器件的效率與功率密度比較

 

通過上述應(yīng)用研究，我們發(fā)現(xiàn)增強(qiáng)型(e-mode)GaN能夠在大功率電源設(shè)計中實現(xiàn)更高效率和功率密度，且不會增加系統(tǒng)成本。通過全面考慮系統(tǒng)設(shè)計問題，利用寬禁帶相比傳統(tǒng)材料的參數(shù)優(yōu)勢，有助于降低客戶的資本支出和運(yùn)營成本。

本文轉(zhuǎn)載自電子工程專輯。

 

 

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