【導讀】石英晶體的外殼上標有器件的額定工作頻率，但那只是一個近似值，實際上晶體有多個諧振頻率，即使在理想情況下也是如此。本文以理想晶體的等效電路為例，表明并聯(lián)諧振頻率絕不會低于串聯(lián)諧振頻率。至于哪個諧振更重要，則取決于應用。
石英晶體的外殼上標有器件的額定工作頻率，但那只是一個近似值，實際上晶體有多個諧振頻率，即使在理想情況下也是如此。
圖1顯示了理想晶體的等效電路，其中只有三個電路元件，串聯(lián)的電容C1和電感L1、與該L1 C1串聯(lián)對并聯(lián)的另一個電容C2。
圖1：理想石英晶體的等效電路。
在特定的串聯(lián)諧振頻率，輸入阻抗Z為零，L1和C1處于串聯(lián)諧振。電容C2與此無關。
然而，在特定的并聯(lián)諧振頻率，輸入阻抗Z達到無窮大。這是C2與L1 C1的串聯(lián)組合發(fā)生并聯(lián)諧振的頻率，呈現(xiàn)電感性阻抗。要使L1 C1對在并聯(lián)諧振時呈現(xiàn)感性，并聯(lián)諧振必須發(fā)生在比串聯(lián)諧振更高的頻率。
因此，并聯(lián)諧振頻率只能比串聯(lián)諧振頻率高，即使只高一點點。并聯(lián)諧振頻率絕不會低于串聯(lián)諧振頻率。至于哪個諧振對你更重要，則取決于應用。
借助不復雜的數(shù)學運算，阻抗Z可以表示如下：
圖2：阻抗公式。
串聯(lián)諧振頻率：Fseries = 1/（2 * pi * sqrt（L1 C1））
并聯(lián)諧振頻率：Fparallel = 1/（2 * pi * sqrt（L1 C1 C2 /（C1 + C2）））
圖3：串聯(lián)和并聯(lián)諧振的相對位置。
本文轉(zhuǎn)載自電子技術(shù)設計。
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