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異步電動(dòng)機(jī)軟起動(dòng)器
提出一種以AT89C51單片機(jī)為控制核心的新型異步電動(dòng)機(jī)軟起動(dòng)系統(tǒng)，給出了單片機(jī)控制系統(tǒng)硬件電路結(jié)構(gòu)、控制軟件框圖及其實(shí)現(xiàn)方法。試驗(yàn)結(jié)果表明，該系統(tǒng)能有效地降低起動(dòng)電流，且起動(dòng)過(guò)程平穩(wěn)，無(wú)沖擊和振蕩。可實(shí)現(xiàn)電動(dòng)機(jī)的軟停車、輕載節(jié)能及保護(hù)功能。
2010-08-23
異步電動(dòng)機(jī) 軟起動(dòng)器 單片機(jī) 晶閘管
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iSuppli：預(yù)計(jì)電源管理市場(chǎng)今年成長(zhǎng)率40%
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli預(yù)測(cè)，包括IC與離散元件在內(nèi)的電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)，將在2010年達(dá)到314億美元的銷售額，較2009年的224億美元成長(zhǎng)39.9%。在2009年，電源管理芯片市場(chǎng)出現(xiàn)了15.8%的衰退。
2010-08-23
iSuppli 電源管理
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移動(dòng)設(shè)備的電池消耗分析
在移動(dòng)設(shè)備的設(shè)計(jì)中，電池的工作時(shí)間是一項(xiàng)重要的因素。許多移動(dòng)設(shè)備都加入了更多的功能，這些新增的功能會(huì)快速地縮短運(yùn)行時(shí)間。工程師必須利用復(fù)雜的電源管理方案，以便使電池獲得最長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。本文主要講述移動(dòng)設(shè)備的電池消耗分析
2010-08-21
移動(dòng)設(shè)備 電池 測(cè)量
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利用MOSFET提升系統(tǒng)輕負(fù)載和高頻率DC-DC轉(zhuǎn)換效率
為了提高較輕負(fù)載和較高開(kāi)關(guān)頻率的DC-DC轉(zhuǎn)換效率，可以采用集成一個(gè)肖特基二極管的MOSFET，以減少由降壓式轉(zhuǎn)換器電路的低端開(kāi)關(guān)引起的功率損耗。此外，將兩個(gè)元件集成在一起還有助于降低MOSFET的rDS（on） 額定值并節(jié)省電路板空間。
2010-08-20
MOSFET 肖特基二極管 DC-DC轉(zhuǎn)換
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下游調(diào)整庫(kù)存 晶圓代工客戶下單轉(zhuǎn)趨保守
近期PC市況不明，驅(qū)動(dòng)IC廠亦對(duì)第3季展望保守，晶圓代工廠世界先進(jìn)董事長(zhǎng)章青駒指出，近期市場(chǎng)開(kāi)始進(jìn)行庫(kù)存整理，預(yù)估會(huì)持續(xù)1~2個(gè)月，最近已感受到客戶下單明顯轉(zhuǎn)趨保守，因此即便世界先進(jìn)第3季產(chǎn)能利用率接近滿載，客戶仍可能會(huì)修正訂單。
2010-08-20
電源 手機(jī) 驅(qū)動(dòng)IC
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多功能隨身電源設(shè)計(jì)
現(xiàn)在，市場(chǎng)上可移動(dòng)的電子設(shè)備越來(lái)越多，設(shè)備的電源容量和功耗卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足市場(chǎng)的要求，對(duì)日常生活，特別是戶外活動(dòng)造成諸多不便。為此，本文設(shè)計(jì)了一種多功能、高效、低功耗、安全的隨身電源，以滿足戶外需求，將有很大的實(shí)用價(jià)值。
2010-08-20
隨身電源 XC61CC 電池
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太陽(yáng)電池?zé)岚攥F(xiàn)象的研究
太陽(yáng)電池具有質(zhì)量輕、使用安全、不污染環(huán)境、工作時(shí)不產(chǎn)生熱量等優(yōu)點(diǎn)，是一種電壓穩(wěn)定性良好的純直流電源。本文介紹太陽(yáng)電池?zé)岚攥F(xiàn)象，研究熱斑與暗電流的關(guān)系，通過(guò)測(cè)試結(jié)果得到有用分析...
2010-08-20
太陽(yáng)電池 熱斑現(xiàn)象 暗電流
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USB電源管理
電源設(shè)備作為通用型設(shè)備，也越來(lái)越向標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一的方向發(fā)展，USB標(biāo)準(zhǔn)在電源設(shè)備的實(shí)現(xiàn)，大大提高了電源設(shè)備的通用性，簡(jiǎn)化了電源設(shè)備的控制和管理。本文介紹USB電源管理的具體情況
2010-08-19
USB 電源管理 HID人機(jī)接口
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飛兆結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的FDZ3N513ZT
飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm。
2010-08-18
飛兆 MOSFET 肖特基二極管 FDZ3N513ZT
- 不止射頻：Qorvo? 解鎖下一代移動(dòng)設(shè)備的無(wú)限未來(lái)
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