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Si7192DP:Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件,該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
Si7192DP 功率MOSFET Siliconix TrenchFET
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電流互感器:愛(ài)普科斯新型電流互感器適用于DC∕DC轉(zhuǎn)換器
愛(ài)普科斯(EPCOS) 借助能夠節(jié)省空間的SMT(表面安裝技術(shù))設(shè)計(jì),現(xiàn)研發(fā)出兩種系列電流互感器,特別適用于緊湊型DC∕DC 轉(zhuǎn)換器。第一種系列基于EE5 磁芯,第二種系列采用更加緊湊的E4.2磁芯,為一小尺寸系列。
2008-03-18
電流互感器 SMT DC∕DC 轉(zhuǎn)換器
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GA..系列:Vishay高額定電流的半橋600V 及1200V IGBT模塊
日前,Vishay宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個(gè) 600V 及 1200V 器件組成,這些器件采用多種技術(shù),可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)工作頻率。
2008-03-14
GA100TS60SFPbF GA200HS60S1PbF GA200TS60UPbF GA75TS120UPbF GB100TS60NP GA100TS120UPbF IGBT 絕緣柵雙極型晶體管
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VLMW611../VLMW621..系列:Vishay新型功率SMD LED
日前,Vishay推出采用 InGan技術(shù)且具有低電阻及高光功率的兩個(gè)新系列暖白色 SMD LED。VLMW611..系列采用 CLCC-6 封裝,而 VLMW621..系列采用具有 0.9mm 業(yè)界超薄厚度的 CLCC-6 扁平封裝。
2008-03-12
LED VLMW611.. VLMW621..
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MAX1150X系列:Maxim最新低成本HD和SD視頻濾波器
Maxim推出MAX11500低成本、3通道HD視頻濾波器、MAX11501/MAX11502低成本、3通道SD視頻濾波器和MAX11504/MAX11505低成本、4通道SD視頻濾波器。這些性能的結(jié)合和總的低成本使MAX11500和MAX11501/MAX11502/MAX11504/MAX11505理想用于抗混疊合DAC重建數(shù)字視頻應(yīng)用,如:機(jī)頂盒(STB)、個(gè)人錄像機(jī)(PVR)和H...
2008-03-12
MAX11501 MAX11502 MAX11504 MAX11505 HD和SD視頻濾波器
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IRGB40XXDPbF:IR UPS和太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器應(yīng)用低功耗600V溝道IGBT
國(guó)際整流器公司推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,能夠在最高3kW的不斷電系統(tǒng) (UPS) 及太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器中,減少高達(dá)30%的功率損耗。
2008-03-11
IRGB4059DPbF IRGB4045DPbF IRGB4060DPbF IRGB4064DPbF IRGB4063DPbF 絕緣柵雙極晶體管 IGBT
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Toko推出范圍在3MHz至5MHz的壓電陶瓷振蕩器
Toko公司推出一款范圍在3MHz至5MHz的壓電陶瓷振蕩器——CRHTC-LT,它包括內(nèi)置電容,適合微處理器和紅外遙控的兆赫茲(MHz)頻帶。
2008-03-03
Toko 壓電陶瓷 振蕩器
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HiTj Snubberless:意法半導(dǎo)體高結(jié)溫雙向晶閘管系列
意法半導(dǎo)體推出一系列全新高溫雙向晶閘管,能夠把全部的標(biāo)稱性能保持到最高150攝氏度。新系列產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)性能十分出色,是各類設(shè)備的電機(jī)控制電路的理想選擇,特別適用于在最高工作溫度下控制電機(jī)的電路系統(tǒng)。
2008-02-21
TRIAC 雙向晶閘管 HiTj
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STD60N3LH5/STD85N3LH5:意法半導(dǎo)體新功率MOSFET系列
意法半導(dǎo)體推出兩款適用于直流—直流轉(zhuǎn)換器的全新功率MOSFET(金屬互補(bǔ)氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用ST最新版STripFET制造技術(shù),擁有極低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,在一個(gè)典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi),兩種損耗的減少可達(dá)3瓦。
2008-02-20
MOSFET STD60N3LH5 STD85N3LH5 金屬互補(bǔ)氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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