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美開發(fā)納米設(shè)備充電裝置 可為微電子產(chǎn)品供電
據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道，美國萊斯大學(xué)在儲能設(shè)備微型化研究方面取得新進展，開發(fā)出兩款微型的充電裝置，一種是薄膜式超級電容器，另一種是可充放電的納米線，有望為將來的微型電子產(chǎn)品和納米設(shè)備提供電源。這兩項研究分別發(fā)表在近期《自然-納米技術(shù)》網(wǎng)站和《納米快報》上。
2011-08-12
充電 微電子 激光 電池
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一種混合信號實現(xiàn)LED降壓升壓驅(qū)動電路
針對照明應(yīng)用的大功率LED要采用恒流源驅(qū)動，一些標準驅(qū)動電流常常用在不同LED生產(chǎn)商的產(chǎn)品中，其中，350mA和700 mA最為常見。根據(jù)串聯(lián)結(jié)的類型和數(shù)量，LED兩端的正向壓降可能不同。許多生產(chǎn)廠商的大功率LED產(chǎn)品都在單個模塊中集成了多個結(jié)。
2011-08-12
LED 降壓升壓 驅(qū)動電路 開關(guān)電源
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MOSFET的選型及應(yīng)用概覽
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。隨著汽車、通信、能源、消費、綠色工業(yè)等大量應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來得到了快速的發(fā)展，功率MOSFET更是備受關(guān)注。本期半月談將會從基礎(chǔ)開始，探討MOSFET的一些基礎(chǔ)知識，包括選型、關(guān)鍵參數(shù)的介紹、系統(tǒng)和散熱的考慮等等；最...
2011-08-12
MOSFET 溝道 MOSFET選型 LED燈具驅(qū)動
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提高電池充電系統(tǒng)安全性的設(shè)計和實現(xiàn)
許多類型的適配器可用來為鋰離子（Li-ion）電池充電，并為系統(tǒng)供電，而各制造商的電氣規(guī)格通常是不同的。這對系統(tǒng)設(shè)計師構(gòu)建便攜式裝置提出了要求，在采用不同適配器時均符合安全和可靠性需求。介紹了一種新型電池充電器前端（CFE）器件，即德州儀器（TI）公司的bq243xx,該器件專門做了優(yōu)化，以提高...
2011-08-11
電池 充電
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正確選擇鋰電池充電系統(tǒng)
在有些應(yīng)用中，較長的電池壽命、較多的充電次數(shù)或較安全的電池比電池容量更重要。本文介紹幾種可以極大延長電池壽命的鋰離子電池充電和放電方法。
2011-08-11
鋰離子電池 電池 電池壽命
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電容式觸摸屏成主流 產(chǎn)值達七成
在觸摸屏行業(yè)，電容式觸摸屏已經(jīng)超過電阻式觸摸屏，成為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先技術(shù)。自2007年采用投射電容技術(shù)以來，投射電容市場呈現(xiàn)快速增長趨勢，市場調(diào)研機構(gòu)Display Search預(yù)計，2011年投射電容式觸摸屏的出貨將同比增長100%以上，占到觸摸屏全行業(yè)產(chǎn)值的70%。
2011-08-11
電容式觸摸屏 投射電容 平板電腦 液晶
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尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響
隨著電子消費產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開關(guān)損耗及較快的開關(guān)速度。
2011-08-11
MOSFET 溝道 溝槽式接觸 導(dǎo)通電阻
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BRIC模塊的電源管理和功耗
Pickering Interfaces公司的BRIC模塊在密度很高的格局內(nèi)安放了很多繼電器。BRIC模塊只用到了PXI底板上左手邊的插槽，而為了給模塊進行供電，可以使用在底板上排列比較緊湊的右手邊的其他空余插槽，并且只消耗一個活動插槽的功率。
2011-08-11
BRIC 繼電器 電源管理 開關(guān)
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電容漏泄的測量
電容器是幾乎所有電氣設(shè)備上都會用到的主要器件。漏阻是電容器被測試的眾多電氣特征中的一個。漏阻通常被稱為“IR”（Insulation Resistance，絕緣電阻），以“兆歐－微法”表示。在其它情況下，漏泄可能被表示為特定電壓（通常為工作電壓）下的漏泄電流
2011-08-11
電容 漏阻 電阻器 二極管
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