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如何手動計算IGBT的損耗
現(xiàn)今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及,大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成,節(jié)省了不少精力,不得不說這對工程師來說是一種解放,但是這些工具就像黑盒子,好學的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎(chǔ)都是大家學過的基本高等數(shù)學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子,詳細介紹一下IGBT損耗計...
2023-02-07
IGBT 損耗
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如何給核心板的底板設(shè)計電源?
在選型某一款核心板后,硬件工程師將會針對自己的產(chǎn)品應用設(shè)計底板,除了外設(shè)的功能電路外,底板電源設(shè)計也是一款產(chǎn)品好壞的關(guān)鍵。結(jié)合ZLG致遠電子的核心板產(chǎn)品,本文將對底板的電源設(shè)計提供一些方法及參考。
2023-02-07
核心板 底板 電源
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滿足嚴格效率和性能規(guī)格且尺寸要小的電源,需要搭配什么樣的控制器?
高性能通信、服務器和計算系統(tǒng)中的ASIC、FPGA和處理器需要使用能直接從12 V或中間總線生成1.0 V(或更低)電壓的核心電源——最大負載電流有時候可能高于200 A。這些電源必須滿足嚴格的效率和性能規(guī)格,且通常具備相對較小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相雙輸出降壓控制器為這些電源提供高性能的靈...
2023-02-06
電源 控制器
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比,SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動作成為可能。但是,由于開關(guān)的時候電壓和電流的急劇變化,器件的封裝電感和周邊電...
2023-02-06
碳化硅 MOSFET 尖峰
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瞄準智能制造、新能源汽車等新興關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲需求,F(xiàn)eRAM發(fā)力智能物聯(lián)時代增量市場
存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一,在當前物聯(lián)網(wǎng)與人工智能聯(lián)合推動下的數(shù)據(jù)爆發(fā)時代,存儲器行業(yè)的“加速鍵”隨之開啟。據(jù)YOLE統(tǒng)計,自2019年以來,存儲器成為半導體增速最快的細分行業(yè),總體市場空間從2019年的1110億美元將增長至2025年的1850億美元。細分市場中,以FeRAM(鐵電存儲)和ReRAM...
2023-02-06
智能制造 新能源汽車 FeRAM
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碳化硅如何革新電氣化趨勢
在相當長的一段時間內(nèi),硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導體材料,但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料,它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體:將電子激發(fā)到導帶所需的能量更高,并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。
2023-02-03
碳化硅 電氣化 趨勢
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穩(wěn)定性更強的新型無鈷鋰離子電池正極
目前我們的手機、筆記本電腦和電動汽車的電池都有一個主要缺點:它們都依賴于鈷。鈷是一種很難找到的金屬,主要來自非洲的礦山,鈷的采集對于當?shù)丨h(huán)境和礦工來說都存在著不少問題。
2023-02-03
無鈷鋰離子電池 正極
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如何設(shè)計適用于高級電動汽車電池管理系統(tǒng)的智能電池接線盒
隨著電動汽車 (EV) 日益流行,如何在反映真實續(xù)航里程的同時讓汽車更加經(jīng)濟實惠,成為汽車制造商面臨的挑戰(zhàn)之一。首先,這意味著需要降低電池包成本并提高其能量密度。電芯中存儲和消耗的每瓦時能量都對延長續(xù)航里程至關(guān)重要。
2023-02-03
電動汽車 電池管理系統(tǒng) 電池接線盒
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為何在開關(guān)穩(wěn)壓器中,電流模式控制非常重要?
市場上有數(shù)千款不同的開關(guān)穩(wěn)壓器,用戶會基于不同的參數(shù)選擇所需的類型,例如輸入電壓范圍、輸出電壓范圍、最大輸出電流,以及許多其他參數(shù)。本文ADI將針對電流模式進行介紹,這是數(shù)據(jù)手冊中常見的一項重要特性,同時還會分析此模式的優(yōu)缺點。
2023-02-01
開關(guān)穩(wěn)壓器 電流模式
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