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Vishay推出600V高度僅有0.95mm標(biāo)準(zhǔn)整流器
Vishay發(fā)布新款600V標(biāo)準(zhǔn)整流器，具有一個(gè)氧化物平面芯片結(jié)，最高工作結(jié)溫達(dá)到+175℃，采用高度僅有0.95mm的表面貼裝SlimSMA DO-221AC封裝，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2012-11-23
Vishay 整流器 汽車(chē)應(yīng)用
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如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法
在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào)，以便以最快的速度打開(kāi)和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。
2012-11-23
數(shù)字電源 MOSFET 電源設(shè)計(jì)
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三星電池退出蘋(píng)果供應(yīng)鏈，國(guó)內(nèi)兩企分羹
在蘋(píng)果“去三星化”的過(guò)程中，雖然曾經(jīng)占據(jù)蘋(píng)果零部件供應(yīng)40%份額的三星未來(lái)從蘋(píng)果那里獲得的收益會(huì)急轉(zhuǎn)直下，但空出來(lái)的產(chǎn)能卻給其他企業(yè)例如液晶面板、內(nèi)存甚至是電池廠商帶來(lái)了希望。
2012-11-23
三星 電池 蘋(píng)果
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Vishay推出具有ESD保護(hù)的600V標(biāo)準(zhǔn)整流器
Vishay近日宣布，推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證并具有ESD保護(hù)的600V標(biāo)準(zhǔn)整流器SE20AFJ和SE30AFJ。該款高電流密度器件通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證,具有高達(dá)3A的正向電流。
2012-11-23
Vishay 整流器 ESD
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Vicor發(fā)布AC-DC前端模塊，比同業(yè)的產(chǎn)品減低50%功耗
Vicor發(fā)布高密度AC-DC前端模塊，面積只3.75 1.91英吋，高度只有0.38英吋，比同業(yè)的產(chǎn)品，減低50%功耗。并且可以幫助客戶簡(jiǎn)化安全規(guī)格的認(rèn)證手續(xù)，和電源設(shè)計(jì)。
2012-11-22
AC-DC 功耗 電源設(shè)計(jì)
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微芯推出降壓PWM和MOSFET器件，支持高效的DC/DC電源設(shè)計(jì)
微芯推出高電壓模擬降壓PWM控制器及其首個(gè)功率MOSFET器件系列，可在4.5 - 30VDC的寬范圍內(nèi)工作，開(kāi)關(guān)頻率為300 kHz，并提供工廠可調(diào)節(jié)的死區(qū)設(shè)置，支持高效的DC/DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)，涵蓋了廣泛的消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用。
2012-11-22
PWM MOSFET 電源設(shè)計(jì)
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瞄準(zhǔn)大功率高壓工業(yè)應(yīng)用的SiC肖特基二極管
Microsemi新型SiC肖特基二極管提升電氣功率轉(zhuǎn)換效率，與硅(Si)材料相比，可以提供更好性能，包括零反向恢復(fù)、不受溫度影響特性等。新器件瞄準(zhǔn)大功率高壓工業(yè)應(yīng)用，新型SiC 肖特基二極管現(xiàn)已量產(chǎn)。
2012-11-22
二極管 肖特基二極管 工業(yè)
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多樣化的立體聲消費(fèi)數(shù)字音頻到模擬轉(zhuǎn)換器
歐勝微電子推出最新立體聲數(shù)字到模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)WM8533，可提供106dB的信噪比，并帶有一個(gè)內(nèi)置的電荷泵和軟件控制界面，對(duì)于機(jī)頂盒、數(shù)字電視、DVD播放器和游戲機(jī)等應(yīng)用都是一個(gè)理想的解決方案。
2012-11-22
數(shù)字音頻 轉(zhuǎn)換器 ADC
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富士通明年量產(chǎn)氮化鎵功率器件
富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件，滿足高效電源單元供應(yīng)市場(chǎng)需求，可使服務(wù)器電源單元實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用。
2012-11-22
富士通 氮化鎵 功率器件
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