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重新定義的同步整流天花板
適配器圈內(nèi)人士都知道, MP6908系列就像同步整流控制器中天花板一樣的存在。其超快的關(guān)斷速度、獨(dú)創(chuàng)的斜率檢測(cè)功能、以及無(wú)需輔組繞組的高端自供電功能曾經(jīng)滿足了各位對(duì)一顆反激同步整流控制器的全部幻想。
2023-07-31
反激變換器 MP6951 MPS
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使用動(dòng)態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)來(lái)節(jié)省系統(tǒng)電池電量需求
移動(dòng)設(shè)備消耗的能量是開(kāi)關(guān)能量和泄漏能量的組合。當(dāng)開(kāi)關(guān)能量占主導(dǎo)地位時(shí),降低電源電壓電平可有效降低總功耗,因?yàn)殚_(kāi)關(guān)能量與電源電壓的平方成正比。
2023-07-28
動(dòng)態(tài)電壓 頻率 系統(tǒng)電池電量
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電源設(shè)計(jì)更快更好,高效能圖騰柱PFC應(yīng)用須知
現(xiàn)今電源供應(yīng)器市場(chǎng)為因應(yīng)全球減碳活動(dòng),已經(jīng)將效能目標(biāo)設(shè)定為更高效率、減少損失、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設(shè)計(jì)方案,相較傳統(tǒng)PFC之轉(zhuǎn)換效率可以提升3%~4%,符合未來(lái)電源供應(yīng)器之節(jié)省能源,降...
2023-07-28
電源設(shè)計(jì) 圖騰柱 PFC
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級(jí)到 800V 電池架構(gòu)
自電動(dòng)汽車 (EV) 在汽車市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái),電動(dòng)汽車制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程,電動(dòng)汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而,電池越大,意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。
2023-07-28
安森美 MOSFET 車載充電器
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介紹一款適用于汽車和工業(yè)場(chǎng)合的高效同步SEPIC控制器
LT8711是一款直流-直流控制器,支持同步降壓、升壓、SEPIC、ZETA和非同步降壓-升壓等拓?fù)?。ADI有多款同步降壓、升壓變換器和控制器,但支持同步SEPIC拓?fù)涞牟⒉欢唷EPIC拓?fù)淦鋵?shí)非常實(shí)用,因?yàn)闊o(wú)論輸入電壓遠(yuǎn)低于或遠(yuǎn)高于輸出電壓,它都能提供穩(wěn)定的電平輸出。
2023-07-27
汽車 工業(yè) SEPIC控制器
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自動(dòng)電池充電器
您是否嘗試過(guò)設(shè)計(jì)一個(gè)電池充電器,當(dāng)電池電壓低于規(guī)定電壓時(shí)自動(dòng)為電池充電?本文將向您介紹如何設(shè)計(jì)自動(dòng)電池充電器。
2023-07-26
自動(dòng)電池充電器
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為什么Tier1要開(kāi)發(fā)控制器的電源管理芯片?
電源管理芯片(SBC:System Base Chip)是控制器(MCU)外圍器件工作電壓的提供者,沒(méi)有SBC供電,控制器的外圍器件則無(wú)法工作。使用SBC主要目的:降低硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和成本??梢?jiàn),SBC在控制器開(kāi)發(fā)中的重要性。對(duì)于商業(yè)行為,我們知道,降低成本意味著利潤(rùn)的提高,而且,有利于產(chǎn)品搶占更大的...
2023-07-26
控制器 電源管理芯片
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如何使用LM317T創(chuàng)建可變電壓電源
借助在 PSU輸出中添加的少量附加電路,我們可以擁有一個(gè)臺(tái)式電源,能夠承受一系列固定或可變電壓,無(wú)論是正電壓還是負(fù)電壓。事實(shí)上,這比您想象的要簡(jiǎn)單得多,因?yàn)?PSU事先已經(jīng)完成了變壓器、整流和平滑,我們需要做的就是將附加電路連接到 +12 伏黃線輸出。但首先,讓我們考慮固定電壓輸出。
2023-07-26
LM317T 可變電壓電源
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件...
2023-07-26
SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
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