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SiC設(shè)計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
隨著制備技術(shù)的進步,在需求的不斷拉動下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及儲能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅(qū)動電壓
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25kW SiC直流快充設(shè)計指南(第六部分):用于電源模塊的柵極驅(qū)動系統(tǒng)
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中,我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-15
直流快充 電源模塊 柵極驅(qū)動
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代,門極電壓的選擇比較統(tǒng)一,無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域,還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑,提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐,現(xiàn)以TO247-4L(采用開爾文連接)封裝提供,而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能,...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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新推出的同步SAR模數(shù)轉(zhuǎn)換器的片內(nèi)校準優(yōu)勢
本文評估在電阻模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)前面的外部電阻的影響。這些系列的同步采樣ADC包括一個高輸入阻抗電阻可編程增益放大器(PGA),用于驅(qū)動ADC和縮放輸入信號,允許直接連接傳感器。但是,有幾個原因?qū)е略谠O(shè)計期間,我們最終會在模擬輸入前面增加外部電阻。以下部分從理論上解釋預(yù)期的增益誤差,該誤差...
2022-06-14
SAR 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 ADI
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手機無線充電器壞了
對于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機無線充電器進行拆卸,觀察其內(nèi)部電路工藝設(shè)計。但是由于電路上主要芯片型號文字顯示不清,故此對于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手機 無線充電器
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功率半導(dǎo)體冷知識:功率器件的功率密度
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力,實現(xiàn)方法是:
2022-06-13
功率器件 功率密度
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25kW SiC直流快充設(shè)計指南(第五部分):控制算法、調(diào)制方案和反饋
在本系列文章的第一至第四部分中[1-4],我們從硬件角度分享并廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-13
直流快充 設(shè)計指南 控制算法
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電動汽車對提高車輛效率的需求正在改變供應(yīng)鏈
幾年來,xEV的普及率一直很高。預(yù)計2021至2027年間,全球xEV市場的復(fù)合年增長率將達到21%,所有細分市場的復(fù)合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長,混合動力技術(shù)也將大幅增長。事實上,不同技術(shù)的普及率取決于地區(qū)。
2022-06-13
電動汽車 車輛效率 供應(yīng)鏈
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