【導(dǎo)讀】電路中電阻的使用方法有很多資料，但是要想滿足設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)電路中遇到的各種問題還是不夠針對性。本文就由小編為你總結(jié)一下在升壓芯片和MOS管G級之間添加電阻的用意以及電阻在升壓芯片電路中的位置有什么說法。
在本例中，小編帶領(lǐng)大家來分析在某些電路中如果想要pwm波正常，為什么需要在mos管G級與DC-DC升壓芯片之間要加個(gè)電阻。
圖1
很多電路在驅(qū)動mos管時(shí)候，都會在柵極上串一個(gè)很小的電阻，從幾歐姆到十幾歐姆不等。網(wǎng)絡(luò)上的資料對這種做法解釋不一，有的說是限制電流、保證開關(guān)速度，有的說是驅(qū)動互補(bǔ)mos管時(shí)防止直通，眾說紛紜，那么真相究竟是怎樣的呢？
簡單來說，MOSFET的閘極有雜散電容有引線電感走線電感輸入阻抗又高Q值大容易諧振。因此加個(gè)電阻或磁珠降低Q值讓它不容易振蕩，電阻有額定功率，當(dāng)超過其額定功率時(shí)，電阻就會燒毀。之所以要求額定功率值是因?yàn)榻oMOS管柵極電容充電時(shí)，充電電流可能會很大，如果電阻額定功率不夠，同樣可能被燒掉。
另一方面，電阻的這種現(xiàn)象也與EMI的設(shè)計(jì)有所關(guān)聯(lián)。減緩驅(qū)動波形上升速度，假設(shè)驅(qū)動方波上升時(shí)間為t，則方波頻域上高頻時(shí)轉(zhuǎn)折頻率為1/（pai*t），t越小則高頻成分越高。加上一個(gè)小電阻，可以減小Cgs的充電速度，減小驅(qū)動波形的上升速度。減小dv/dt為改變控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩，減小集電極的電壓尖峰，應(yīng)在柵極串上合適的電阻Rg。當(dāng)Rg增大時(shí)，導(dǎo)通時(shí)間延長，損耗發(fā)熱加劇。Rg減小時(shí)，di/dt增高，可能產(chǎn)生誤導(dǎo)通，使器件損壞。應(yīng)根據(jù)管子的電流容量和電壓額定值以及開關(guān)頻率來選取Rg的數(shù)值。通常在幾歐至幾十歐之間（在具體應(yīng)用中，還應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況予以適當(dāng)調(diào)整）。另外為防止門極開路或門極損壞時(shí)主電路加電損壞器件，建議在柵射間加入一電阻Rge，阻值為10kΩ左右。
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