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基于LDO的電源管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)思路及實(shí)現(xiàn)

發(fā)布時(shí)間:2014-09-14 責(zé)任編輯:echolady

【導(dǎo)讀】為了解決電力載波通信系統(tǒng)中LDO供電模塊常用單芯片而導(dǎo)致板上成本及面積增加的問(wèn)題。文中將LDO集成進(jìn)系統(tǒng)芯片來(lái)為數(shù)字及模擬模塊分別供電,同時(shí)采用平滑極點(diǎn)跟隨技術(shù)來(lái)解決負(fù)載電流變化時(shí)芯片穩(wěn)定問(wèn)題,該方法可使PSRR在低頻下達(dá)到63 dB,并能以IP方式在其他應(yīng)用中使用。電源管理系統(tǒng)己成為當(dāng)前集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的一個(gè)熱點(diǎn),也是一個(gè)必不可缺的技術(shù)?,F(xiàn)如今,供電的電源電路在整機(jī)電路中也是越來(lái)越重要。電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)不合理,就會(huì)影響到整個(gè)系統(tǒng)的架構(gòu)、產(chǎn)品的特性組合、元件的選擇、軟件的設(shè)計(jì)和功率分配架構(gòu)等。
 
在不同的電流負(fù)載下,如何保證LDO的穩(wěn)定性,對(duì)LDO的設(shè)計(jì)是一個(gè)挑戰(zhàn)。為此本文提出了一種LDO,并采用平滑極點(diǎn)跟隨技術(shù)來(lái)解決不同電流負(fù)載下的極點(diǎn)偏移所導(dǎo)致的穩(wěn)定性問(wèn)題,從而提高了 PSRR.同時(shí),其過(guò)壓保護(hù)電路也較好的防止了LDO輸出供電電壓過(guò)大的問(wèn)題。
 
電路設(shè)計(jì)

圖1所示是本設(shè)計(jì)中LDO的電路結(jié)構(gòu)。本LDO的基本結(jié)構(gòu)由4級(jí)構(gòu)成,主要利用誤差放大器A1、電壓放大器A2、電壓緩沖器A3、電壓調(diào)整管MPl和反饋網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成的負(fù)反饋環(huán)路來(lái)維持VOUT的穩(wěn)定。米勒電容C1用來(lái)為電路進(jìn)行頻率補(bǔ)償,第二級(jí)與第三級(jí)的帶寬要大,以便保證LDO處在穩(wěn)定狀態(tài)。
 
基于LDO的電源管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)思路及實(shí)現(xiàn)
 
對(duì)于一個(gè)內(nèi)部米勒補(bǔ)償?shù)母咴鲆嫦到y(tǒng),米勒補(bǔ)償能夠更好地在較大的負(fù)載電容范圍內(nèi)控制其穩(wěn)定性,同時(shí),它也會(huì)提供一個(gè)更好的瞬態(tài)響應(yīng)。因?yàn)槊桌针娙菪纬傻囊粋€(gè)高頻負(fù)反饋能直接耦合到輸出,而高增益能夠得到較好的直流及負(fù)載調(diào)制。不過(guò)測(cè)試結(jié)果顯示,在負(fù)載電流大幅度變化時(shí)LDO會(huì)有50 mV左右的調(diào)整。這是因?yàn)橹绷髫?fù)載調(diào)制的性能被bonding wire的寄生電容所限制,直流的IR壓降通過(guò)寄生電容會(huì)直接惡化直流負(fù)載調(diào)制。
 
LDO的輸出電流要求從0到全負(fù)載(本設(shè)計(jì)為100mA),因此gm4也會(huì)隨負(fù)載電流而變化,導(dǎo)致次級(jí)點(diǎn)P2也會(huì)隨著負(fù)載電流的變化而變化。設(shè)計(jì)時(shí)可用平滑極點(diǎn)技術(shù)來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題,對(duì)于R和MP2串聯(lián)組成的電路,它能動(dòng)態(tài)的根據(jù)負(fù)載電流的變化來(lái)進(jìn)行偏置。在大負(fù)載電流狀況下,R和MP2能夠偏置更大的電流以展寬電路帶寬,同時(shí)降低輸出電阻以適應(yīng)次級(jí)點(diǎn)P2被推到更高的頻率下。在小負(fù)載電流狀態(tài)下,P2在較低的頻率,并將R和MP2偏置在更窄的帶寬和更大的電阻以保證其穩(wěn)定性。靜態(tài)偏置電流要盡量小,以保證電路的低功耗。
 
調(diào)整管的柵極可設(shè)計(jì)成對(duì)地電阻明顯大于對(duì)VDD的電阻,以使得調(diào)整管的柵極能夠跟隨電源的變化,從而得到更好的電源抑制性。為了產(chǎn)生一個(gè)較小的對(duì) VDD的電阻,可用R和M串聯(lián)接在柵極與VDD之間。如果LDO的負(fù)載電流很小,那么,調(diào)整管將工作在弱反或亞閾值區(qū),因此,MP的Vcs小于Vth,由于MP和MP的Vcs是相等的,MP被關(guān)掉。在這種情況下,R由前級(jí)電路的N管偏置。當(dāng)LDO的負(fù)載電流很大時(shí),調(diào)整管的Vcs增加,MP打開,并以一個(gè)很小的電阻開啟與R串聯(lián),此時(shí)MP表現(xiàn)為一個(gè)開關(guān)。此時(shí)調(diào)整管柵極對(duì)VDD的電阻會(huì)極大地減小,同時(shí)前級(jí)偏置電流增加,帶寬也會(huì)增加。從環(huán)路穩(wěn)定性來(lái)說(shuō),它允許LDO通過(guò)動(dòng)態(tài)的改變調(diào)整管柵極處的帶寬和電阻來(lái)適應(yīng)負(fù)載電流的改變,從而較好地提高電路的瞬態(tài)響應(yīng)。

過(guò)壓保護(hù)
 
當(dāng)LDO的輸出電源電壓高于一定數(shù)值時(shí),過(guò)壓保護(hù)電路會(huì)自動(dòng)啟動(dòng),并對(duì)電源電壓進(jìn)行調(diào)整;而當(dāng)電源電壓恢復(fù)到正常范圍時(shí),保護(hù)電路又會(huì)自動(dòng)關(guān)閉。圖2為過(guò)壓保護(hù)電路結(jié)構(gòu)。需要注意的是,保護(hù)電路的調(diào)整管需要對(duì)大電流進(jìn)行泄放,因而需要在版圖上對(duì)其進(jìn)行特殊處理。
 
基于LDO的電源管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)思路及實(shí)現(xiàn)
圖2:過(guò)壓電路保護(hù)結(jié)構(gòu)
 
 
仿真結(jié)果
 
本芯片采用SMIC 0.18μm CMOS Logic工藝設(shè)計(jì)并流片。芯片面積為l70x280μm,靜態(tài)電流為200μA,電容采用MOM實(shí)現(xiàn),其整體版圖如圖3所示。版圖內(nèi)大部分為功率管及米勒電容。輸出電源線的走線應(yīng)當(dāng)盡量寬,同時(shí)可用多層金屬,以減小線上電阻。
 
基于LDO的電源管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)思路及實(shí)現(xiàn)
圖3: 仿真圖
 
當(dāng)負(fù)載電流從O到100 mA時(shí),本設(shè)計(jì)的LDO瞬態(tài)特性電壓紋波在50 mV以下,調(diào)整時(shí)間在20μs左右,同時(shí),LDO的PSRR在低頻時(shí)可達(dá)到63d-B,100 kHz時(shí)有35 dB,完全可以滿足系統(tǒng)要求。

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