【導(dǎo)讀】脈沖鍍鎳代替直流鍍鎳可獲得結(jié)晶細(xì)致的鍍層,能使鎳層的孔隙率與內(nèi)應(yīng)力降低,硬度增高,雜質(zhì)含量降低,并可采用更高的電流密度,提高鍍覆速度。
根據(jù)脈沖鍍鎳的工藝,我們研制了最大峰值電流1000A,最大峰值電壓30V的脈沖鍍鎳開關(guān)電源。其工藝如下:
硫酸鎳(NiSO4•7H2O):180~240g/L
硫酸鎂(MgSO4•7H2O):20~30g/L
氯化鈉(NaCl):10~20g/L
硼酸:30~40
PH值:5.4
溫度:室溫
波形:矩形波
頻率:500~1500Hz
占空比:5%~12%
平均電流密度(A/dm2):0.7
電源的基本方案
三相380V/50Hz交流電經(jīng)過EMI電磁兼容裝置,進(jìn)行橋式整流,再經(jīng)過逆變和變壓,然后再整流、濾波、儲(chǔ)能,最后進(jìn)行電壓斬波,輸出單向脈沖電壓。本電源設(shè)計(jì)分兩部分:前級(jí)的開關(guān)電源和后級(jí)的斬波。脈沖電源電路工作原理框圖如圖1所示。
圖1:脈沖電源電路工作原理框圖
開關(guān)電源部分的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
開關(guān)電源部分原理
主電路由EMI電磁兼容裝置、整流電路、逆變電路、高頻變壓器、高頻整流及高頻濾波電路組成;控制電路由電流、電壓雙閉環(huán)組成,電流環(huán)為內(nèi)環(huán),電壓環(huán)為外環(huán);保護(hù)電路設(shè)置有初級(jí)最大電流限制,輸出過流、短路保護(hù),最高輸出電壓限制。
基本要求
脈沖開關(guān)電源除應(yīng)具有一般電源的要求外,還要求短時(shí)輸出功率大,動(dòng)態(tài)特性好,效率高,并在大功率脈沖輸出情況下能穩(wěn)定可靠地工作。
開關(guān)電源的設(shè)計(jì)
(1)高頻化該電源輸出最大平均容量為峰值電流1000A,電壓30V,占空比10%,即3kW?;趯?duì)脈沖開關(guān)電源的實(shí)際要求,宜采用高頻技術(shù)方案,同時(shí)選取全橋逆變的拓?fù)湫问?,提高頻率是實(shí)現(xiàn)小型化的重要途徑,它能減少功率變壓器的體積和濾波電感量,而輸出電感是影響動(dòng)態(tài)響應(yīng)的重要因素。高頻化還是改善動(dòng)態(tài)響應(yīng)的重要措施,電源調(diào)整的速度隨頻率提高而加快。從而達(dá)到迅速穩(wěn)壓的目的。
(2)容量小型化由于占空比D較小,例如:D=0.1,則峰值電流將為平均電流的十倍。若按峰值電流設(shè)計(jì)則不難實(shí)現(xiàn),但電源體積龐大,不經(jīng)濟(jì)。若按平均電流設(shè)計(jì),則對(duì)電源要求十分苛刻,既要求電源小型可靠,又要求電源在負(fù)載突變的過程中不能產(chǎn)生過大的壓降。對(duì)于供電電壓為2~30Vd.c.,峰值電流IP=1000A,D=0.05~0.1,需平均電流ICP=50A~100A的開關(guān)電源,若按照平均電流來設(shè)計(jì),則有以下難題:
①電源在毫秒級(jí)時(shí)間內(nèi)突然加上十倍平均電流時(shí)將會(huì)發(fā)生過流保護(hù);
②電源在毫秒級(jí)時(shí)間內(nèi)提供不了峰值電流時(shí)將會(huì)發(fā)生輸出跳變,即突降過程。
本裝置采用1.5倍平均電流設(shè)計(jì),保證開關(guān)電源有足夠的裕量,同時(shí),適當(dāng)增加電源的能量供給能力。
(3)高的電壓反饋增益電源應(yīng)有足夠高的電壓反饋,提高電源的動(dòng)態(tài)特性,保證脈沖輸出電壓的平穩(wěn)。
(4)增大開關(guān)電源輸出電壓保持能力問題
由于電源工作在大脈沖電流條件下,電源至少要經(jīng)過若干個(gè)周期的調(diào)整才能穩(wěn)定過來,并要耐受沖擊電流而不至于保護(hù)動(dòng)作,為了減小沖擊帶來的異常(尖峰,下降等),宜在負(fù)載端設(shè)置儲(chǔ)能電容。
設(shè)計(jì)方法如下:
電容中儲(chǔ)存的能量為:
EC=0.5C0U2
在輸出峰值功率P0P作用下,開關(guān)電源輸出功率為PO1時(shí),維持輸出方波寬度TON,輸出電壓變化ΔU=U1-U2,電容儲(chǔ)存的能量如下式所示:
0.5C0(U12-U22)=(P0P-PO1)×TON
由上式求得儲(chǔ)能電容C0:
C0={2(P0P-PO1)×TON}/(U12-U22)
同時(shí),儲(chǔ)能電容必須選用ESR小,高頻性能好的電解電容。
(5)加入逆變橋的過流限制鑒于開關(guān)電源輸出電容量特別大,開機(jī)瞬間和脈沖輸出時(shí),逆變橋需要承受特別大的沖擊電流,當(dāng)逆變橋加入單周期過流限制后,能夠有效地保證逆變橋的功率器件不會(huì)超過設(shè)計(jì)電流值,而大大提高了開關(guān)電源的可靠性。
設(shè)計(jì)思路
以SG3525PWM芯片為核心進(jìn)行控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。通過用CD4017B芯片進(jìn)行8分頻,對(duì)輸出最大占空比進(jìn)行限制。主電路采用場(chǎng)效應(yīng)管并聯(lián)。電壓斬波控制原理圖如圖2。
圖2:電壓斬波控制原理圖
主電路的選擇
因?yàn)橹麟娐窞殡妷簲夭?,存在著大電流的沖擊,為此,本裝置采用場(chǎng)效應(yīng)管并聯(lián)。選IR公司的產(chǎn)品FB180SA10比較適合,它的VDSS=100V,RDS(ON)=0.0065Ω,ID=180A(TC=25℃)或120A(TC=120℃),同時(shí),它用絕緣TO?227封裝,易于并聯(lián),內(nèi)部電感量低。本裝置選用12只并聯(lián)。4.3控制與保護(hù)SG3525原理框圖如圖3所示。其具有5.1V溫度系數(shù)為1%的基準(zhǔn)穩(wěn)壓電源,誤差放大器,頻率為100Hz~400kHz(其值由外界電阻Rt,電容Ct決定)的鋸齒波振蕩器,軟啟動(dòng)電路,同步電路,關(guān)閉電路,脈寬調(diào)制比較器,RS寄存器及保護(hù)電路。
圖3:SG3525原理圖
利用SG3525的誤差放大器的1腳和2腳對(duì)輸出進(jìn)行占空比的調(diào)節(jié);在實(shí)際調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn),由于占空比較小,電壓比較器輸入電壓可以調(diào)節(jié)的范圍特別小,調(diào)試非常困難,為此特別設(shè)計(jì)了分頻線路即利用CD4017B十進(jìn)制計(jì)數(shù)芯片及其外圍線路對(duì)SG3525的4腳振蕩器輸出信號(hào)進(jìn)行8分頻,利用SG3525的10腳關(guān)機(jī)功能,封鎖SG3525的4腳輸出信號(hào)8個(gè)中的6個(gè),使11和14腳各有1個(gè)脈沖輸出,見圖4、圖5。因?yàn)?1腳最大占空比為48%左右,則分頻后實(shí)際輸出占空比最大為12%左右,最小占空比通過R7來確定。本部分的保護(hù)采取單周期限流保護(hù),以場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電阻為采樣信號(hào),當(dāng)電流超過限定值時(shí),通過SG3525的10腳將該周期驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)斷,達(dá)到單周期保護(hù)。
圖4:SG3525的4腳與11腳正常情況下的波形圖
圖5:CD4017B及外圍線路輸入與輸出的仿真圖
仿真與試驗(yàn)
圖4給出了SG3525沒有分頻時(shí),振蕩器輸出(4腳)CH1與PWM輸出(11腳)CH2的對(duì)應(yīng)關(guān)系。由圖中可以清楚地看出振蕩器輸出脈沖出現(xiàn)在PWM脈寬的前后側(cè)各一個(gè),其脈寬約在5μs~10μs,這個(gè)時(shí)間足夠CD4017B完成動(dòng)作。圖5給出了CD4017B及外圍線路輸入輸出仿真圖。由圖5我們可以清楚看出CLK端輸入頻率1kHz脈寬為5μs的脈沖時(shí),輸出OUT即D5~D9的陰極的波形與設(shè)計(jì)是相符的。經(jīng)過濾波后,到達(dá)SG3525的10腳波形是比較規(guī)整的。為分析方便,同時(shí)給出了相關(guān)引腳的時(shí)序圖。同時(shí),采取CLK上升沿翻轉(zhuǎn),保證了控制時(shí)序的正確,采用封鎖6個(gè)脈沖,避免了干擾和初始狀態(tài)對(duì)輸出的PWM波形的影響。
該裝置投入運(yùn)行后,經(jīng)過將近一年的現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn),證明運(yùn)行穩(wěn)定可靠,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了設(shè)計(jì)要求,提高了電鍍產(chǎn)品質(zhì)量,節(jié)省了電鍍時(shí)間,完全滿足該項(xiàng)工藝要求。