電撬設(shè)備

該類抑制器具有“電撬”特性，通常與4層NPNP硅控雙極裝置或等離子氣體/GDT裝置有關(guān)。一旦達到閾值或轉(zhuǎn)折電壓，則電流的進一步增加將導(dǎo)致設(shè)備快速導(dǎo)電，其正向電壓降僅為幾伏。實質(zhì)上，線路在發(fā)生瞬態(tài)現(xiàn)象時將處于暫時的“短路”狀態(tài)。

工作溫度范圍

設(shè)備應(yīng)用電路的最低和最高環(huán)境工作溫度。工作溫度不能對鄰近元件造成影響，這是設(shè)計人員必須考慮的一個參數(shù)。

電容

允許電路元件儲存電荷的電路元件屬性。在電路保護中，斷態(tài)電容通常是在頻率1 MHz、偏壓2 V下測得的。

反向斷態(tài)電壓（VR）

對單向瞬態(tài)抑制二極管而言，在無大電流的情況下，這是可用于閉鎖方向的最大峰值電壓。對雙向瞬態(tài)而言，它適應(yīng)于任一方向。其含義與最大斷態(tài)電壓和最高工作電壓相同。

擊穿電壓（VBR）

在指定的直流測試電流下測得的擊穿電壓，通常為1mA。通常會說明最大與最小值。

峰值脈沖電流（IPP）

可重復(fù)施加的最大脈沖電流。若經(jīng)說明，通常可以是10x1000μs雙指數(shù)波形，也可以是8x20μs。

最大鉗位電壓（VC 或VCI）

在出現(xiàn)最大峰值脈沖電流時，可從保護器上測得的最大電壓。

峰值脈沖功率（PPP）

以瓦或千瓦表示，1ms指數(shù)瞬態(tài)值（請參閱第23頁的圖1），是IPP和VCL的乘積。

反向斷態(tài)電壓（VR）

設(shè)備VR應(yīng)達到或高于待保護電路（或部分電路）的峰值工作水平。這是為了確保瞬態(tài)抑制二極管不會抑制電路驅(qū)動電壓。

峰值脈沖電流（IPP）

峰值脈沖電流（IPP）可確定瞬態(tài)抑制二極管在不受損時可以承受的最大電流值。所需的IPP必須為峰值瞬態(tài)電壓除以電源阻抗所得的值。注意：瞬態(tài)抑制二極管在發(fā)生短路時會失效；如果瞬態(tài)抑制二極管因發(fā)生瞬態(tài)現(xiàn)象而出現(xiàn)故障，則仍然可對電路進行保護。

最大鉗位電壓（VC）

它是根據(jù)10X1000us指數(shù)波形，在遇到峰值脈沖電流（IPP）時，瞬態(tài)抑制二極管中將會出現(xiàn)的峰值電壓。各系列數(shù)據(jù)表中的電氣特性表已規(guī)定了每個瞬態(tài)抑制二極管的VC值。

檢驗環(huán)境工作參數(shù)

確保實際應(yīng)用電壓低于或等于設(shè)備的斷態(tài)電壓，并且工作溫度位于裝置的指定范圍內(nèi)。