產(chǎn)品特性：

• 具低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的性能

應(yīng)用范圍：

• 在軍工、航天和航空應(yīng)用
• 適用于TTL/CMOS直接邏輯電平接口

Vishay Siliconix推出通過JAN認(rèn)證的軍用級(jí)N溝道功率MOSFET采用密封TO-205AD封裝的軍用級(jí)器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能

賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 10 月31 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對(duì)于軍工、航天和航空應(yīng)用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的性能。

Vishay Siliconix的工廠位于加州Santa Clara，已被DSCC重新認(rèn)證，可采用MIL-PRF-19500標(biāo)準(zhǔn)對(duì)所生產(chǎn)的MOSFET進(jìn)行篩選。在用于軍工和重要航空應(yīng)用的系統(tǒng)中，MIL-PRF-19500標(biāo)準(zhǔn)樹立了對(duì)分立器件的性能、質(zhì)量和可靠性要求的準(zhǔn)繩。

今天推出的器件適用于TTL/CMOS直接邏輯電平接口，繼電器、螺線管、燈、電錘、顯示器、存儲(chǔ)器和晶體管的驅(qū)動(dòng)，以及電池供電系統(tǒng)和以及固態(tài)繼電器。MOSFET的密封TO-205AD封裝可承受軍工和航天應(yīng)用中更高的溫度。

60V 2N6660JANTX/JANTXV在10V下的典型導(dǎo)通電阻低至1.3Ω，柵源閾值電壓為1.7V，開關(guān)速度為8ns。90V 2N6661JANTX/JANTXV在10V下的典型導(dǎo)通電阻為3.6Ω，柵源閾值電壓為1.6V，開關(guān)速度為6ns。兩款器件均具有低輸入和輸出泄漏，以及低至35pF的典型輸入電容。

2N6660ANTXV和2N6661ANTXV按照MIL-PRF-19500的各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了100%的內(nèi)部視覺(在封蓋前)檢驗(yàn)。除減少2個(gè)步驟(MIL-STD-750標(biāo)準(zhǔn)的視覺檢驗(yàn)和加工)以降低成本以外，Vishay還對(duì)這些產(chǎn)品進(jìn)行了Group A、Group B、Group C和Group E檢測(cè)，以進(jìn)一步提高產(chǎn)品的可靠性。

通過JAN認(rèn)證的MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。