中心議題：
- 雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器更易于實現(xiàn)
- 探討雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器在低待機能耗應(yīng)用中的設(shè)計
解決方案：
- 比較三次繞組、RCD鉗位及雙開關(guān)正激等常見的磁芯復(fù)位技術(shù)；
- 分析雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢
- 基于雙開關(guān)正激磁芯復(fù)位技術(shù)的NCP1252固定頻率控制器
摘要：與三次繞組和RCD鉗位等常見變壓器磁芯復(fù)位技術(shù)相比，雙開關(guān)正激技術(shù)不需要特殊的復(fù)位電路，更易于實現(xiàn)，且保證可靠的磁芯復(fù)位，適用的功率等級比單開關(guān)正激技術(shù)更高。安森美半導(dǎo)體的NCP1252是一款增強型雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器，具有可調(diào)節(jié)開關(guān)頻率及跳周期模式，帶閂鎖過流保護等多種保護特性，適合計算機ATX電源、交流適配器、UC38xx替代及其它任何需要低待機能耗的應(yīng)用。
單開關(guān)(或稱單晶體管)正激轉(zhuǎn)換器是一種最基本類型的基于變壓器的隔離降壓轉(zhuǎn)換器，廣泛用于需要大降壓比的應(yīng)用。這種轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點包括只需單顆接地參考晶體管，及非脈沖輸出電流減小輸出電容的均方根紋波電流含量等。但這種轉(zhuǎn)換器的功率能力小于半橋或全橋拓撲結(jié)構(gòu)，且變壓器需要磁芯復(fù)位，使這種轉(zhuǎn)換器的最大占空比限制在約50%。此外，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)開關(guān)的漏電壓變化達輸入電壓的兩倍或更多，使這種拓撲結(jié)構(gòu)較難于用在較高輸入電壓的應(yīng)用。
圖1：正激轉(zhuǎn)換器不帶磁芯復(fù)位與帶磁芯復(fù)位之對比。
正激轉(zhuǎn)換器中，變壓器的磁芯單方向磁化，在每個開關(guān)周期都需要采用相應(yīng)的措施來使磁芯復(fù)位到初始值，否則勵磁電流會在每個開關(guān)周期增大，經(jīng)歷幾個周期后會使磁芯飽和，損壞開關(guān)器件。相對而言，如果有磁芯復(fù)位，電流就不會在每個開關(guān)周期增大，電壓會基于勵磁電感(Lmag)反相并使磁芯復(fù)位。圖1以單開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器為例，簡要對比了無磁芯復(fù)位與有磁芯復(fù)位的電路圖及勵磁電感電流波形。
有3種常見的標準磁芯復(fù)位技術(shù)，分別是三次繞組，電阻、電容、二極管(RCD)鉗位和雙開關(guān)正激。三次繞組磁芯復(fù)位技術(shù)的電路示意圖參見圖1b)，這種技術(shù)能夠提供大于50%的占空比，但開關(guān)Q1的峰值電壓可能大于輸入電壓的2倍，而且變壓器有三次繞組，使變壓器結(jié)構(gòu)更復(fù)雜。RCD鉗位磁芯復(fù)位技術(shù)也能使占空比大于50%，但需要寫等式和仿真，以檢驗復(fù)位的正確性，讓設(shè)計過程更復(fù)雜。RCD鉗位技術(shù)的成本比三次繞組技術(shù)低，但由于復(fù)位電路中的鉗位電阻消耗能量，影響了電源轉(zhuǎn)換效率。
圖2：雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器電路原理圖。
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與前兩種磁芯復(fù)位技術(shù)相比，雙開關(guān)正激更易于實現(xiàn)，而且開關(guān)Q1上的峰值電壓等于輸入電壓，降低了開關(guān)所承受的電壓應(yīng)力。這種技術(shù)需要額外的MOSFET (Q2)和高端驅(qū)動器，且需要2個高壓低功率二極管(D3和D4)，參見圖2。雙開關(guān)正激技術(shù)的每個開關(guān)周期包含3步：第1步，開關(guān)Q1、Q2及二極管D1導(dǎo)通，二極管D2、D3及D4關(guān)閉；第2步，開關(guān)Q1、Q2及二極管D1關(guān)閉，而二極管D2、D3及D4導(dǎo)通；第3步，開關(guān)Q1、Q2及二極管D1仍然關(guān)閉，二極管D2仍然導(dǎo)通，而二極管D3及D4則關(guān)閉。
當然，采用這種技術(shù)后，轉(zhuǎn)換器就成了雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器，它不同于單開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器，不需要特殊的復(fù)位電路就可以保證可靠的變壓器磁芯復(fù)位，可靠性高，適合更高功率等級。
NCP1252雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器演示板規(guī)格概覽
NCP1252是安森美半導(dǎo)體新推出的一款改進型雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器，適合于計算機ATX電源、交流適配器、UC38XX替代及其它任何要求低待機能耗的應(yīng)用，相關(guān)能效測試結(jié)果將在后文提及。這器件也是一種固定頻率控制器，帶跳周期模式，能夠提供真正的空載工作。此外，NCP1252具有可調(diào)節(jié)開關(guān)頻率，增強設(shè)計靈活性；還帶有閂鎖過流保護功能，能夠承受暫時的過載。其它特性還包括可調(diào)節(jié)軟啟動時長、內(nèi)部斜坡補償、自恢復(fù)輸入欠壓檢測等。
NCP1252與市場上不含輸入欠壓檢測 、軟啟動及過載檢測的UC384x系列器件相比，提供這系列器件所不包含的這些功能(額外實現(xiàn)成本為0.07美元)，降低成本并提升可靠性。
安森美半導(dǎo)體基于NCP1252構(gòu)建的演示板規(guī)格包括：
輸入電壓范圍：350至410 Vdc；
輸出電壓：12 Vdc，精度±5%；
額定輸出功率：96 W (8 A)；
最大輸出功率：120 W (每分鐘持續(xù)5秒)；
最小輸出功率：真正空載(無假負載)；
輸出紋波：50 mV峰值至峰值；
最大瞬態(tài)負載階躍：最大負載的50%；
最大輸出壓降：250 mV (5 µs內(nèi)從輸出電流=50%到滿載(5 A到10 A))。
NCP1252應(yīng)用設(shè)計：功率元件計算
1) 變壓器匝數(shù)比、占空比及勵磁電感
首先計算變壓器在連續(xù)導(dǎo)電模式(CCM)下的匝數(shù)比N。
根據(jù)等式(1)可以推導(dǎo)出等式(2)：
其中，Vout是輸出電壓，η是目標能效，Vbulk min是最小輸入電壓(即350 Vdc)，DCmax是NCP1252的最大占空比，N是變壓器匝數(shù)比。
相應(yīng)我們也可以驗證出高輸入線路電壓(410 Vdc)時最小占空比，見等式(3)：
為了恰當?shù)卮判緩?fù)位，需要極小的勵磁電流來對繞組電壓反相。根據(jù)經(jīng)驗法則，勵磁電流為初次峰值電流(I
p_pk)的10%。其中，I
p_pk取值0.94，這數(shù)值的計算過程參見后文。變壓器勵磁電感的計算見等式(4)：
2) LC輸出濾波器
首先選擇交越頻率(fC)。因開關(guān)噪聲緣故，fC大于10 kHz時要求無噪聲布線，難于設(shè)計。故不推薦在較高的頻率交越，直接選定fC為10 kHz。
如果我們假定由fC、輸出電容(Cout)及最大階躍負載電流(ΔIout)確定出ΔIout 時的最大壓降(Vout)為250 mV，我們就能寫出下述等式：
我們選擇的是2顆松下FM系列的1,000 µF@16V 電容。從電容規(guī)范中解析出：
I
c,rms=5.36 A @ TA=+105 ℃
R
ESR,low = 8.5 mW @ TA = +20 ℃
R
ESR,high = 28.5 mW @ TA = -10 ℃
接下來，以ΔIout = 5 A 來計算ΔVout ，見等式(7)：
這里有一個經(jīng)驗法則，就是選擇等式(6)計算出來的值一半的等效串聯(lián)電阻(ESR)電容：RESR,max = 22 mW @ 0 ℃。這個規(guī)則考慮到了電容工藝變化，以及留出一些電源在極低環(huán)境溫度條件下啟動工作時的裕量。
最大峰值到峰值電流(ΔIL)的計算見等式(8)：
要獲取輸出電感值，我們能夠?qū)懗鲫P(guān)閉時間期間的降壓紋波電流等式：
(12)
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對等式(9)進行轉(zhuǎn)換，就可以得到等式(10)，最終我們選擇27 µH的標準值。
輸出電容的均方根電流(ICout,rms)計算見等式(11)：
其中，額定電感時間常數(shù)(τ)的計算見等式(12)：
3) 變壓器電流
經(jīng)過一系列計算(詳細計算過程參見參考資料3)，可以得到：次級峰值電流(IL_pk)為11.13 A，次級谷底電流(IL_valley)為8.86 A，初級峰值電流(Ip_pk)為0.95 A，初級谷底電流(Ip_valley)為0.75 A，初級均方根電流(Ip,rms)為0.63 A。
4) MOSFET
由于NCP1252是雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器，故作為開關(guān)的功率MOSFET的最大電壓限制為輸入電壓。通常漏極至源極擊穿電壓(BVDSS)施加了等于15%的降額因數(shù)，如果我們選擇500 V的功率MOSFET，降額后的最大電壓應(yīng)該是：500 V x 0.85 = 425 V。我們選擇的功率MOSFET是采用TO220封裝的FDP16N50，其BVDSS為500 V，導(dǎo)通阻抗(RDS(on))為0.434 Ω(@Tj=110℃)，總門電荷(QG)為45 nC，門極至漏極電荷(QGD)為14 nC。
MOSFET的導(dǎo)電損耗、開關(guān)導(dǎo)通損耗計算見等式(13)到(14)：
其中，交迭時間(Δt)由下列等式計算得出：
MOSFET的開關(guān)關(guān)閉損耗見等式(16)：
其中，交迭時間(Δt)由下列等式計算得出：
因此，MOSFET的總損耗為：
5) 二極管
次極二極管D1和D2維持相同的峰值反相電壓(PIV)，結(jié)合二極管降額因數(shù)(kD)為40%，可以計算出PIV，見等式(19)：
由于PIV<100 V，故能夠選擇30 A、60 V、TO-220封裝的肖特基二極管MBRB30H60CT。
二極管導(dǎo)通時間期間的導(dǎo)電損耗為：
關(guān)閉時間期間的導(dǎo)電損耗為：
NCP1252應(yīng)用設(shè)計：NCP1252元件計算
1) 用于選擇開關(guān)頻率的電阻Rt
采用一顆簡單電阻，即可在50至500 kHz范圍之間選擇開關(guān)頻率(FSW)。假定開關(guān)頻率為125 kHz，那么我們就可以得到：
其中，VRt是Rt引腳上呈現(xiàn)的內(nèi)部電壓參考(2.2 V)。
2) 感測電阻
NCP1252的最大峰值電流感測電壓達1 V。感測電阻(Rsense)以初級峰值電流的20%余量來計算，其中10%為勵磁電流，10%為總公差：
3) 斜坡補償
斜坡補償旨在防止頻率為開關(guān)頻率一半時出現(xiàn)次斜坡振蕩，這時轉(zhuǎn)換器工作在CCM，占空比接近或高于50%。由于是正激拓撲結(jié)構(gòu)，重要的是考慮由勵磁電廠所致的自然補償。根據(jù)所要求的斜坡補償(通常為50%至100%)，僅能夠外部增加斜坡補償與自然補償之間的差值。
目標斜坡補償?shù)燃墳?00%。相關(guān)計算等式如下：
內(nèi)部斜坡：
初級自然斜坡：
次級向下斜坡：
自然斜坡補償：
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由于自然斜坡補償?shù)陀?00%的目標斜坡補償，我們需要計算約33%的補償：
由于RcompCCS網(wǎng)絡(luò)濾波需要約220 ns的時間常數(shù)，故：
4) 輸入欠壓電阻
輸入欠壓(BO)引腳電壓低于VBO參考時連接IBO電流源，從而產(chǎn)生BO磁滯。
NCP1252演示板圖片及性能概覽
NCP1252演示板的詳細電路圖參見參考資料2,其頂視圖和底視圖則見圖3。
圖3：NCP1252演示板的頂視圖及底視圖。
在室溫及額定輸入電壓(390 Vdc)條件下，NCP1252演示板不同負載等級時的能效如圖4所示。從此圖可以看出，負載高于40%最大負載時，工作能效高于90%。這演示板還能藉在轉(zhuǎn)換器次級端同步整流，進一步提升能效達幾個百分點。
圖4：NCP1252演示板在室溫及額定輸入電壓(390 Vdc)條件下的能效圖。
如前所述，NCP1252提供軟啟動功能，其中一個目標應(yīng)用就是替代UC38xx。NCP1252有一個專用引腳，支持調(diào)節(jié)軟啟動持續(xù)時間及控制啟動期間的峰值。
另外，NCP1252的待機能耗性能也很突出。這器件能藉將輸入欠壓(BO)引腳接地來關(guān)閉，而關(guān)閉時VCC輸入端汲入的電流小于100 µA。
總結(jié)：
本文介紹了正激轉(zhuǎn)換器磁芯復(fù)位技術(shù)的原理，比較了三次繞組、RCD鉗位及雙開關(guān)正激等常見的磁芯復(fù)位技術(shù)，分析了雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢，并結(jié)合安森美半導(dǎo)體基于雙開關(guān)正激磁芯復(fù)位技術(shù)的NCP1252固定頻率控制器，分享了這雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用設(shè)計過程。這器件集成了輸入欠壓檢測、軟啟動及過載檢測等眾多特性。測試結(jié)果顯示，NCP1252提供極高的工作能效和極低的待機能耗，適合UC38xx替代、ATX電源、適配器及其它任何要求低待機能耗的應(yīng)用。
