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無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計難題
人們對更小、更高效電源的需求不斷增長，進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器，通過功能越來越強大但尺寸越來越小的適配器，幫助擴大 USB Type-C? 接口的市場規(guī)模。
2024-12-15
無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器 交流/直流適配器
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無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計難題
人們對更小、更高效電源的需求不斷增長，進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器，通過功能越來越強大但尺寸越來越小的適配器，幫助擴大 USB Type-C? 接口的市場規(guī)模。
2024-12-15
無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器 交流/直流適配器
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800V直流快充：高端EV俱樂部的“入場券”，如何能拿到？
在電動汽車中，快速充電技術(shù)需要將車輛電池的充電時間從幾個小時縮短到十幾分鐘甚至更短的時間。直流快速充電是電動汽車目前很高效的快充技術(shù)，此時充電站通過直接向電池提供直流電，消除了從交流電到直流電的轉(zhuǎn)換過程，使充電過程更快。
2024-12-14
直流快充 電動汽車 智能手機
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如何選擇有效的ESD保護二極管
ESD 保護器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護 IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護 IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設(shè)計對 ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要...
2024-12-13
ESD 保護二極管
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在校準(zhǔn)中使用埋入式齊納技術(shù)帶來極高精度優(yōu)勢
精密測試設(shè)備依靠精確的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，確保所有測量結(jié)果都能準(zhǔn)確地反映受測器件的狀態(tài)。在測試和測量中，任何偏移誤差、增益誤差或有效位數(shù)減少都將對測量結(jié)果產(chǎn)生負面影響。然而，遺憾的是，在高精度系統(tǒng)中，所有這些誤差都無法完全避免。溫度漂移或長期漂移等問題最終會以增益誤差或偏移誤差的形式...
2024-12-06
齊納技術(shù) 精密測試設(shè)備
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高精度與低功耗的醫(yī)療保健產(chǎn)品解決方案
隨著醫(yī)療技術(shù)的迅速發(fā)展和全球?qū)】倒芾硇枨蟮脑黾?，高精度與低功耗的醫(yī)療保健產(chǎn)品正逐漸成為行業(yè)趨勢的核心。這類產(chǎn)品不僅能夠提供準(zhǔn)確、及時的健康數(shù)據(jù)，還大幅延長了設(shè)備的使用壽命，滿足了便攜式和長期監(jiān)測需求。從可穿戴設(shè)備到遠程健康監(jiān)控系統(tǒng)，這些解決方案正為個人和醫(yī)療機構(gòu)提供更有效的...
2024-12-06
醫(yī)療保健
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
功率器件 熱容
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終于搞明白差模噪聲與共模噪聲
開關(guān)穩(wěn)壓器的EMI分為電磁輻射和傳導(dǎo)輻射(CE)。本文重點討論傳導(dǎo)輻射，其可進一步分為兩類：共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲。為什么要區(qū)分CM-DM？對CM噪聲有效的EMI抑制技術(shù)不一定對DM噪聲有效，反之亦然，因此，確定傳導(dǎo)輻射的來源可以節(jié)省花在抑制噪聲上的時間和成本。
2024-12-04
差模噪聲與 共模噪聲
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延長蜂窩物聯(lián)網(wǎng)終端產(chǎn)品的電池壽命
許多物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備都由電池供電，而其中一項重要運作因素，就是正常使用情況下的電池壽命。延長電池壽命可以改善用戶體驗、降低維護成本并減少浪費。
2024-12-03
蜂窩物聯(lián)網(wǎng) 終端產(chǎn)品 電池壽命
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