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安防監(jiān)控

W波段雪崩管窄脈沖調(diào)制器的研究

脈沖調(diào)制器是脈沖體制發(fā)射機中重要的組成部分。設計了一種體積小、脈沖驅(qū)動電流大的窄脈沖調(diào)制器，可用于驅(qū)動W波段主被動復合探測器中的雪崩二極管振蕩器，對脈沖體制的毫米波雷達等的發(fā)射機也有重要應用意義。實驗結(jié)果表明，該調(diào)制器是可行的。

2008-10-13

雪崩二極管脈沖調(diào)制器電路設計

電子式電能表絕緣性能對EMC抗擾度試驗的影響與改進

本文討論電子式電能表的絕緣性能對EMC抗擾度試驗的影響及改進措施。通過增大間隙或爬電距離能使電能表的絕緣性能符合要求，從而能夠通過EMC抗擾度試驗，而增加的成本最低。優(yōu)化后的試驗流程為優(yōu)先通過6kV的脈沖電壓試驗，然后進行各項EMC抗擾度試驗，可以達到事半功倍的效果。

2008-10-12

電子式電能表絕緣性能 EMC 爬電距離

電力電子中的傳導性ＥＭＩ噪聲源測量與分析

電力電子設備由于電磁兼容性能差而影響了其廣泛應用，因此提高EMC性能，降低電磁干擾就顯得十分重要，而其中EMI傳導噪聲濾波是有效方法之一，特別是EMI噪聲源的測定與分析是設計EMI濾波器的前提條件，本文詳細分析了電力電子設備中傳導電磁干擾噪聲產(chǎn)生的機理，然后分析討論了幾種主要EMI噪聲源建模...

2008-10-12

ＥＭＩ電力電子噪聲

電磁兼容EMC中的屏蔽技術(shù)分析

電磁場的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內(nèi)容、物理條件、屏蔽作用等以及它們之間的聯(lián)系。

2008-10-12

靜電屏蔽靜磁電磁

RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)

本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設計出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設計了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對工藝中的難點提出了解決方案。

2008-10-12

RF MOSFET 性能工藝

運放式射頻放大器

本文詳細介紹了放大器的基本拓撲和參數(shù)，如果價格可以接受的話，運放，特別是CFB運放非常適合射頻設計。

2008-10-12

運放射頻 CFB

電流型熱電偶溫度變送器的設計

在化工、石油、電力、冶煉等行業(yè)的自動化控制系統(tǒng)中熱電偶發(fā)揮著對溫度的監(jiān)控作用。本文主要開發(fā)設計出一套具有較高精度和穩(wěn)定性的實用性K型熱電偶溫度變送器。

2008-10-11

熱電偶溫度變送器溫度補償

將MEMS傳感器用于各種創(chuàng)新的消費類產(chǎn)品設計

MEMS即微機電系統(tǒng)，是利用微米級立體結(jié)構(gòu)實現(xiàn)感應和執(zhí)行功能的一項關(guān)鍵技術(shù)。其中，微米級立體結(jié)構(gòu)是利用被稱為“微加工”的特殊工藝實現(xiàn)的微米大小的立體機械結(jié)構(gòu)。因為技術(shù)和經(jīng)濟的原因，MEMS傳感器曾經(jīng)被局限在汽車市場和工業(yè)應用領域；今天，隨著MEMS傳感器越來越小，價格越來越低，能效越來越高...

2008-10-11

MEMS 計步器游戲機加速計

高壓離線式高亮度LED的新型恒流控制電路

本文詳細的介紹了高亮度LED的新型恒流控制電路，分為三個部分介紹：二極管串、維持電流、同步。

2008-10-11

HB-LED 二極管串 VIFB 同步

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