【導讀】近日，英飛凌科技股份公司推出采用全新650V超結MOSFET技術的CoolMOSTM C7，為硬開關應用帶來全球最低的通態(tài)電阻。C7的快速開關性能可使客戶服務器PFC級首次實現(xiàn)100 kHz以上的開關頻率，同時達到鈦級能效。這可降低對無源組件的空間要求，從而提高功率密度。
2013年5月20日，英飛凌科技股份公司進一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結MOSFET技術的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對所有標準封裝實現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS(on)。另外，得益于低開關損耗，還可在任何負載條件下實現(xiàn)能效改進。C7適用于連續(xù)導通模式功率因數(shù)校正（CCM PFC）、雙管正激（TTF）和太陽能升壓拓撲等硬開關拓撲，典型應用包括太陽能、服務器、電信設備和UPS（不間斷電源）。650V擊穿電壓還使C7適用于需要額外安全裕度的應用。
圖示：英飛凌的CoolMOS C7
“C7延續(xù)了高品質超結CoolMOS技術12年創(chuàng)新發(fā)展之路，進一步鞏固了英飛凌在高端功率轉換領域的領導地位。”英飛凌高壓功率轉換產(chǎn)品負責人Jan-Willem Reynaerts指出，“憑借CoolMOS C7一流的品質因數(shù)（RDS(on)*EOSS），我們的客戶可以設計出前所未有的具有更高功率密度和效率的新一代功率轉換系統(tǒng)。”
CoolMOS C7技術優(yōu)勢：
C7系列提供全球最低導通電阻，TO247封裝可以到19m ?，TO220和D2PAK可以到45m ?。如今，C7的快速開關性能可使客戶服務器PFC級首次實現(xiàn)100kHz以上的開關頻率，同時達到鈦級能效。這可降低對無源組件的空間要求，從而提高功率密度。
此外，降低的輸出電容（Eoss）以及低柵極電荷（Qg）還提高了輕載條件下的能效。將性能一流的C7與英飛凌全新的碳化硅（SiC）thinQ第五代肖特基二極管系列和ICE2/ICE3控制IC結合在一起，可設計出性能無與倫比的CCM PFC電路。
供貨情況
650V CoolMOS C7現(xiàn)已可提供樣品。將于2013年6月開始量產(chǎn)。
相關閱讀：
適用于緊湊型服務器電源的低通態(tài)電阻功率MOSFET
http://hiighwire.com/restify-art/80020174
兼具高性能、易用性和低成本優(yōu)勢的CoolMOS P6橫空出世
http://hiighwire.com/gptech-art/8001972
