為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進(jìn)行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的 難題。然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域，要想增強(qiáng)這些關(guān)鍵設(shè)計性能，設(shè)計的復(fù)雜程度就會提高，同時還會導(dǎo)致總體 系統(tǒng)成本提高。
為幫助設(shè)計人員解決這些難題，飛兆半導(dǎo)體公司開發(fā)成功了非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案，進(jìn)而拓展了該公司在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
圖1：飛兆SiC BJT是下一代功率器件技術(shù)
圖2：電源設(shè)計人員關(guān)于硅的困境
在飛兆半導(dǎo)體SiC組合中首先要發(fā)布的一批產(chǎn)品是先進(jìn)的SiC雙極結(jié)型晶體管(BJT)系列，該系列產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)較高的效率、電流密度和可靠性，并且能夠順利 地進(jìn)行高溫工作。通過利用效率出色的晶體管，飛兆半導(dǎo)體的SiC BJT實(shí)現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率，這是因?yàn)閭鲗?dǎo)和開關(guān)損耗較低(30-50%)，從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。
這些強(qiáng)健的BJT支持使用更小的電感、電容和散熱片，可將系統(tǒng)總體成本降低多達(dá)20%。這些業(yè)界領(lǐng)先的SiC BJT性能出眾，可促進(jìn)更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區(qū)，將在高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的功率管理優(yōu)化中發(fā)揮重大作用。
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SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉(zhuǎn)換開關(guān)
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SiC BJT的特性：
1）有史以來最高效的1200V功率轉(zhuǎn)換開關(guān)---最低的總損耗，包括開關(guān)、傳導(dǎo)及驅(qū)動器損耗。所有1200V器件中最低的開關(guān)損耗（任意RON條件下）；
2）簡單直接的驅(qū)動----常關(guān)功能降低了風(fēng)險和復(fù)雜程度，并減少了限制性能的設(shè)計。穩(wěn)定的基極輸入，對過壓/欠壓峰值不敏感；
3）強(qiáng)健且可靠---額定工作溫度高：Tj=175°C。由于RON具有正溫度系數(shù)，增益具有負(fù)溫度系數(shù)，因此易于并聯(lián)。穩(wěn)定持久的Vbe正向電壓和反向阻隔能力。
圖3：飛兆SiC BJT可靠性與耐用性
飛兆半導(dǎo)體還開發(fā)了即插即用的分立式驅(qū)動器電路板（15A和50A版本），作為整套碳化硅解決方案的一部分，與飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)SiC BJT配合使用時，不僅能夠在減少開關(guān)損耗和增強(qiáng)可靠性的條件下提高開關(guān)速度，還使得設(shè)計人員能夠在實(shí)際應(yīng)用中輕松實(shí)施SiC技術(shù)。飛兆半導(dǎo)體為縮短設(shè)計 時間、加快上市速度，還提供了應(yīng)用指南和參考設(shè)計。應(yīng)用指南可供設(shè)計人員獲取SiC器件設(shè)計所必需的其他支持；參考設(shè)計有助于開發(fā)出符合特定應(yīng)用需求的驅(qū) 動器電路板。
圖4：飛兆SiC BJT的目標(biāo)應(yīng)用
飛兆半導(dǎo)體的SiC特性：
飛兆半導(dǎo)體的SiC特性包括：1）經(jīng)過優(yōu)化的半標(biāo)準(zhǔn)化自定義技術(shù)解決方案，可充分利用自身較大的半導(dǎo)體器件與模塊封裝技術(shù)組合；2）憑借功能集成和設(shè)計支 持資源簡化工程設(shè)計難題的先進(jìn)技術(shù)，可在節(jié)約工程設(shè)計時間的同時最大限度地減少元器件數(shù)量；3）具有尺寸、成本和功率優(yōu)勢的較小型先進(jìn)封裝集成了領(lǐng)先的器 件技術(shù)，可滿足器件制造商和芯片組供應(yīng)商的需求。
封裝和報價信息（訂購1,000個，美元）
飛兆半導(dǎo)體的SiC BJT采用TO-247封裝；符合條件的客戶從現(xiàn)在起即可獲取工程設(shè)計樣本。
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