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μPA260x:瑞薩電子推出低功耗,超小型功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2012-04-24

產(chǎn)品特性:

  • 采用2mm x 2mm封裝
  • 具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻
  • 有助于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小型化并降低了重量
  • 將所要求的安裝區(qū)域縮小為原尺寸的40%

適用范圍:

  • 便攜式電子產(chǎn)品


全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和解決方案的主要供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)日前宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)產(chǎn)品,理想用于包括智能手機(jī)和筆記本在內(nèi)的便攜式電子產(chǎn)品。具有業(yè)界領(lǐng)先的低功耗(低導(dǎo)通電阻),新器件包括20 V (VDSS) µPA2600和30 V µPA2601,配置了超緊湊型2 mm × 2 mm封裝,從而具有提升的功率效率并實(shí)現(xiàn)了小型移動(dòng)器件封裝尺寸的小型化。

隨著功能豐富的智能手機(jī)的普及和用戶對(duì)于這些器件無(wú)縫體驗(yàn)期望值的提升,現(xiàn)在對(duì)于更小型、更輕薄封裝尺寸的器件的需求不斷提高,而且要求這些器件具有更低的功耗,可以在兩次充電期間,實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的電池續(xù)航能力。為了滿足這些需求,設(shè)計(jì)者開(kāi)始將目光投向具有更低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET,用于進(jìn)行充電/放電控制,RF功率放大器開(kāi)/關(guān)控制以及過(guò)流切斷開(kāi)關(guān),同時(shí)也可支持大電流。

新款µPA2600 和µPA2601 MOSFET滿足了上述要求,在便攜設(shè)備中進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了小型化和業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻,同時(shí)在廣泛的應(yīng)用中,降低了安裝區(qū)域,這些應(yīng)用包括在便攜式器件中的負(fù)載開(kāi)關(guān)(它將應(yīng)用到的IC進(jìn)行開(kāi)或關(guān)處理)和充電/放電控制,以及在RF功率放大器(用于高頻信號(hào)的放大器)的過(guò)流切斷開(kāi)關(guān)。

多種具有不同電壓和極性的器件,如功率MOSFET,要求匹配便攜器件(包括耳機(jī)在內(nèi))中的電源技術(shù)規(guī)格要求。為了滿足這些相關(guān)要求,瑞薩已經(jīng)致力于降低導(dǎo)通電阻并創(chuàng)建更小型的封裝,提供這些產(chǎn)品的豐富陣列。  

P通道和N通道功率MOSFET的主要特性:

(1) 業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻 (N通道,µPA2600和µPA2601)

µPA2600和µPA2601 MOSFET采用的是2 mm × 2 mm超緊湊型封裝,20 V (VDSS) µPA2600 器件實(shí)現(xiàn)了9.3 mΩ (在VGSS=4.5 V的典型值)的導(dǎo)通電阻,30 V µPA2601器件實(shí)現(xiàn)了10.5 mΩ (在VGSS=10 V下的典型值) 的導(dǎo)通電阻,從而達(dá)到了終端產(chǎn)品的節(jié)能目的。

(2) 可以降低安裝區(qū)域的超小型封裝

瑞薩電子通過(guò)將大面積的高性能芯片置于超小型的封裝,并通過(guò)采用裸露的散熱型小封裝,實(shí)現(xiàn)了超緊湊型2 mm × 2 mm封裝的應(yīng)用,有效降低了從封裝傳到安裝板的熱量。與現(xiàn)有的3 mm × 2 mm封裝相比,µPA2600和類似產(chǎn)品可以減少大約30%的安裝面積,而與現(xiàn)有3 mm × 3 mm封裝相比較,µPA2672和類似產(chǎn)品可以減少大約40%的安裝面積。這將有助于降低終端應(yīng)用產(chǎn)品的尺寸和重量。

(3) 器件的擴(kuò)展陣列

8個(gè)在產(chǎn)品中,新的P通道和N通道功率MOSFET集中在12至30V,用于常見(jiàn)的便攜設(shè)備:4個(gè)P通道產(chǎn)品包括µPA2630,3個(gè)n通道產(chǎn)品包括µPA2600,還有µPA2690,此產(chǎn)品將N通道和P通道器件全部集成在一個(gè)單獨(dú)的封裝中。因此,這一系列可以支持多樣化的應(yīng)用,包括充電/放電控制,RF功率放大器開(kāi)/關(guān)控制和過(guò)流切斷開(kāi)關(guān)。

新款功率MOSFET產(chǎn)品為環(huán)保型產(chǎn)品,符合RoHS指令(注1)和無(wú)鹵要求。

在便攜式電子產(chǎn)品領(lǐng)域,設(shè)備的多功能性在不斷提高,而由于像智能手機(jī)這類設(shè)備的外形尺寸不斷趨向薄型化,因此元件可用的安裝空間也在日益變得更有限。為了滿足對(duì)于小型化和更高性能的要求,瑞薩將持續(xù)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品,它們將保持之前產(chǎn)品的性能水平,但能滿足更小安裝空間的要求,同時(shí)擴(kuò)展其系列,從而有助于進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)便攜設(shè)備的小型化和更高性能。

(注1)歐盟RoHS指令:歐洲議會(huì)的2002/95/EC指令和歐盟委員會(huì)在2003年1月27日關(guān)于即在電子電氣設(shè)備中限制使用某些有害物質(zhì)指令。

定價(jià)和供貨情況

瑞薩電子新型µPA2600和µPA2601功率MOSFET的樣品將于2012年4月推出,定價(jià)為每片0.4美元。量產(chǎn)計(jì)劃于2012年5月開(kāi)始,到FY2013的上半年所有八個(gè)產(chǎn)品每月的總共產(chǎn)量將達(dá)到3,000,000件。

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