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IRF6811和IRF6894:IR推出DirectFETplus功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2011-02-17 來源:ednchina 

產(chǎn)品特性:IR推出DirectFETplus功率MOSFET
  • 采用了IR的新一代硅技術(shù)
  • 為 12V輸入同步降壓應(yīng)用提供最佳效率
應(yīng)用范圍:
  • 新一代服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦




國際整流器公司 (InternatiONal Rectifier,簡稱IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET 系列,采用了IR的新一代硅技術(shù),可為 12V輸入同步降壓應(yīng)用提供最佳效率,這些應(yīng)用包括新一代服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦。

IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首批器件,比上一代器件減少了導(dǎo)通電阻 (RDS (on) ) 和柵極電荷 (Qg) ,使其效率大幅提高2%。此外,這些器件具有超低柵極電阻 (Rg) ,通過把DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗降至最低來進(jìn)一步提高效率。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“新款I(lǐng)RF6811和IRF6894芯片組利用IR的DirectFET 封裝技術(shù),并采用IR的新一代硅技術(shù)來優(yōu)化關(guān)鍵的 MOSFET參數(shù),為下一代計(jì)算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空間小的最佳解決方案。”

IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分別以小罐及中罐供貨。25V DirectFETplus 組件結(jié)合了業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻和柵極電荷以及低電荷,將傳導(dǎo)和開關(guān)損耗降到最低。IRF6894還設(shè)有集成式單片肖特基二極管,可降低由體二極管傳導(dǎo)和反向恢復(fù)導(dǎo)致的損耗。新型DirectFETplus MOSFET與上一代器件的占位面積兼容。

                 產(chǎn)品規(guī)格

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