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IR 拓展 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列適用于重負(fù)載應(yīng)用

發(fā)布時間:2010-10-28 來源:電子產(chǎn)品世界

功率 MOSFET 的產(chǎn)品特性:
  • 具有非常出色的功率密度
  • 雙面冷卻功能
  • 最小寄生電感和電阻
功率 MOSFET 的應(yīng)用范圍:
  • 適用于重負(fù)載應(yīng)用

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻,適用于重負(fù)載應(yīng)用,包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電源、混合動力汽車的電池開關(guān)、微型混合動力汽車的集成起動發(fā)電機(jī)系統(tǒng)等。

與傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝器件相比,IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實現(xiàn)整個系統(tǒng)級尺寸和更低的成本,以及超高的性能和效率。AUIRF7738L2 和 AUIRF7737L2 DirectFET®2 器件的電路板尺寸比 D2Pak 封裝小 60%,具有非常低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),而AUIRF7736M2 的電路板尺寸與 5x6 mm PQFN 封裝或者具有2.5mΩ 低導(dǎo)通電阻的 SO-8 封裝相同,因而適用于需要更低成本和功率的應(yīng)用。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“拓展后的 DirectFET®2 系列采用了 IR 先進(jìn)的溝道硅工藝,以及堅固可靠的可擴(kuò)展功率封裝,為汽車系統(tǒng)設(shè)計師提供了經(jīng)過驗證的卓越功率密度、雙面冷卻和低寄生封裝電感和電阻優(yōu)勢。”

AUIRF7737L2 和 AUIRF7738L2 與 IR 之前推出的 AUIRF7739L2 共用一個大罐電路板,使這些器件成為可擴(kuò)展系統(tǒng)設(shè)計的理想元件。AUIRF7737L2 和 AUIRF7738L2 的封裝電流額定值為 315A,所以 DirectFET® 封裝沒有限制硅電流能力。而且,這兩種器件的最大封裝電流額定值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了傳統(tǒng)的 DPak 和 D2Pak 封裝。

新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的,所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
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