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恩智浦推出新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2010-04-27 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 以LFPAK為封裝
  • 符合Q101標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用范圍:
  • 汽車電子

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日成為首個(gè)發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強(qiáng)無(wú)損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)和經(jīng)驗(yàn),新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)被認(rèn)為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對(duì)高密度汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。

隨著對(duì)電子應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求,汽車OEM廠商面臨在汽車的有限空間中引入新功能的挑戰(zhàn),同時(shí)要保持燃油效率、電子穩(wěn)定性和可靠性。LFPAK是恩智浦針對(duì)汽車應(yīng)用推出的創(chuàng)新解決方案,具有功率器件封裝可靠、散熱性能高,尺寸大幅縮小等優(yōu)點(diǎn)。其封裝設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化,能為汽車OEM廠商帶來(lái)最佳的散熱和電器性能,低成本和高可靠性。它克服了SO8的散熱限制,使其熱阻與DPAK這樣更大的功率封裝相當(dāng)。

功率SO-8 MOSFET系列

恩智浦LFPAK封裝利用銅片設(shè)計(jì)降低了封裝的電阻和電感,從而減少了RDS(on)和MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。LFPAK為設(shè)計(jì)者提供了具有與DPAK相似的電氣和散熱性能,但面積減小了46%的MOSFET。這有助于設(shè)計(jì)比以前更小的解決方案,或者,在無(wú)需增大模塊尺寸或降低可靠性的前提下,通過(guò)為現(xiàn)有設(shè)計(jì)增加新特性將功率密度提高46%。恩智浦的全系列LFPAK產(chǎn)品允許設(shè)計(jì)者根據(jù)應(yīng)用需求挑選器件,同時(shí)根據(jù)需求的變化改變自己的選擇。

恩智浦半導(dǎo)體高級(jí)產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Norman Stapelberg表示:“我們相信恩智浦的LFPAK在汽車市場(chǎng)中將作為最可靠的功率MOSFET封裝成為新的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)。它使汽車OEM廠商能夠開(kāi)發(fā)更緊湊的模塊。客戶的反饋不斷表明,LFPAK比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的QFN和微引腳器件更可靠。LFPAK的推出表明恩智浦繼續(xù)致力于為汽車工業(yè)開(kāi)發(fā)并制造低電壓MOSFET。”

相對(duì)于市場(chǎng)上所有符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的功率SO-8封裝MOSFET,恩智浦的LFPAK系列產(chǎn)品在5個(gè)電壓級(jí)別上提供最佳的性能和可靠性。
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