如何用最小的代價(jià)降低MOS的失效率?
發(fā)布時(shí)間:2016-01-06 責(zé)任編輯:susan
【導(dǎo)讀】在高端MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電路中,自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中,MOS常莫名其妙的失效,有時(shí)還伴隨著驅(qū)動(dòng)IC的損壞。如何破?一個(gè)合適的電阻就可搞定問題。
問題分析
上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,由于寄生電感的存在,在高端MOS關(guān)閉后,低端MOS的體二極管鉗位之前,寄生電感通過低端二極管進(jìn)行續(xù)流,導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓,且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負(fù)壓會(huì)把驅(qū)動(dòng)的電位拉到負(fù)電位,導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路異常,還可能讓自舉電容過充電導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路或者柵極損壞。由于IC的驅(qū)動(dòng)端通常都有寄生二極管,當(dāng)瞬間的大電流流過驅(qū)動(dòng)口的二極管時(shí),很可能引發(fā)寄生SCR閉鎖效應(yīng),導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路徹底損壞。
解決方法
如上圖所示,在自舉驅(qū)動(dòng)芯片VS端與Q1的源極之間增加一個(gè)電阻Rvs,該電阻不僅是自舉限流電阻,同時(shí)還是導(dǎo)通電阻和關(guān)斷電阻。由于占空比受自舉電容影響,該電阻值一般不能取得較大,推薦值為3~10Ω較為適宜。電阻和自舉電容的容值與其充電時(shí)間可以由以下公式得出:
其中C是自舉電容容值,D為最大占空比。
下圖的PV系列光伏電源,內(nèi)部的MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù)就幫助此款產(chǎn)品解決了很多高端MOS的疑難怪癥,最終成就了產(chǎn)品的高可靠性。200~1200VDC超寬輸入電壓范圍,長壽命、高效率、低紋波噪聲、高可靠性等特點(diǎn)。
其它注意事項(xiàng)
對于減小高端MOS驅(qū)動(dòng)的寄生振蕩,除通過增加驅(qū)動(dòng)端的電阻發(fā)揮作用外,在印制電路板的設(shè)計(jì)中,還可注意以下一些細(xì)節(jié),將寄生振蕩降到最低。如:自舉二極管應(yīng)緊靠自舉電容,功率布線盡量短且走線圓滑,直插器件應(yīng)緊貼PCB以減小寄生電感等。怎么樣?趕快試試吧!
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