第一級(jí)GDT（陶瓷放電管）用作大電流的泄放，第二級(jí)的TVS箝位電壓（單個(gè)TVS作差模保護(hù)，兩個(gè)串聯(lián)TVS作共模保護(hù)），中間用保險(xiǎn)絲退耦，后端為485芯片。由于TVS共模保護(hù)是要保護(hù)后面的電路或者芯片，所以TVS的地和后端電路的信號(hào)地是連接在一起的，這樣才有保護(hù)意義。這四種方案的保護(hù)等級(jí)：可通過(guò)IEC61000-4-5；4級(jí)標(biāo)準(zhǔn): 1.2/50us 4KV , 10/700us 6KV。根據(jù)三者不同的接地組合方式，可以把接地分成四種情況(以下四種都是基于共模保護(hù)時(shí)的情況)。

一．四種接地方案電路原理圖

下面就是四種接地方案的電路原理圖，GDT（陶瓷放電管）接地，TVS（瞬態(tài)抑制二極管）接地，后端電路的是信號(hào)地，大家從圖中可以很方便的看到接地的情形。

 

第二頁(yè)：四種方案對(duì)比解析
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二．關(guān)于上面四種方案的測(cè)試數(shù)據(jù)

三．對(duì)幾種方案和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析

從表格的測(cè)試數(shù)據(jù)中可以看到，方案一共模殘壓（CD兩端）比方案二和方案四要略高，當(dāng)接地狀況不良好的時(shí)候,由于后端與大地之間進(jìn)行了隔離，這時(shí)候?qū)π酒挠绊懞苄?，跟第四種方案差不多，不過(guò)這種方案比第三種和第四種節(jié)約了成本；但是當(dāng)大地狀況良好的時(shí)候，第二種接地方案比第一種要好。當(dāng)大地電壓出現(xiàn)高電壓，或者電力線接觸到外殼引起大地電壓升高，這時(shí)候需要良好的接地隔離。所以當(dāng)不清楚大地是否良好的時(shí)候，選擇第一種方案比第二種方案要好。

方案二的殘壓比第四種的殘壓要稍微低點(diǎn)，當(dāng)接地良好的時(shí)候選用第二種比較好；如果接地情況不良，從地面過(guò)來(lái)的地反擊電壓很容易造成后端電路的異常；從前端過(guò)來(lái)的大電流大電壓，GDT與TVS組成回路，也可能與從后端電路組成回路，這個(gè)時(shí)候就要看后面芯片的耐壓。經(jīng)過(guò)測(cè)試，一般485芯片的耐壓是40V到50V，不同廠家的芯片質(zhì)量也不盡相同，耐壓有高有低。當(dāng)?shù)仉妷撼^(guò)芯片的耐壓值，芯片會(huì)被打死?？梢钥闯龇桨付€(wěn)定性不夠好。

方案三前后一起加GDT（陶瓷放電管）再接大地，這種方案跟方案二相比，殘壓高些。當(dāng)浪涌從前端過(guò)來(lái)，要經(jīng)過(guò)兩個(gè)陶瓷放電管放電才會(huì)將大電流泄放到大地，而且此時(shí)的電流很可能直接流向后端電路，而不是通過(guò)第二個(gè)陶瓷泄放到大地，當(dāng)能量過(guò)大，芯片會(huì)被打死。當(dāng)大地電壓沒(méi)有超過(guò)接地陶瓷放電管擊穿電壓的時(shí)候，對(duì)后端芯片可以起到保護(hù)作用，與第二種方案相比，增加了一個(gè)陶瓷放電管，很顯然這種方案不合理化，進(jìn)而設(shè)計(jì)方案四的電路。

方案四共模殘壓不高，后端電路與地面進(jìn)行了隔離，大地狀況的好壞與否對(duì)其影響不大，選這種相對(duì)第二種要好些。前端陶瓷放電管直接接地，將大電流直接泄放到大地，后端TVS起第二級(jí)保護(hù)，保護(hù)效果不錯(cuò)。與第一種方案相比，方案四的成本有所增加，但殘壓比方案一要低；與第二種方案相比，穩(wěn)定性比它要好；與第三種相比較，它減少了從前端過(guò)來(lái)的電流的路徑，從而很好地保護(hù)了后端的電路或者芯片。

總結(jié)：一個(gè)方案的保護(hù)效果，殘壓高低，保護(hù)成本，應(yīng)用環(huán)境，都是工程師需要慎重考慮的問(wèn)題。

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