產(chǎn)品特性：

• 具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS條例。
• 面積為1.6平方毫米
• RDS(ON)最大值是100mΩ，柵極電壓為5V
• 具有優(yōu)異的dv/dt抗干擾性能

應(yīng)用范圍：

• 高速DC/DC電源、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器
• D類音頻放大器、硬開關(guān)和高頻電路

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。

EPC2012 FET是一款面積為1.6平方毫米的200VDS器件，RDS(ON)最大值是100mΩ，柵極電壓為5V。這種eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明顯更高的性能優(yōu)勢。EPC2012的脈沖額定電流提高至15A(而EPC1012只有12A)，因此在較低柵極電壓時(shí)，其性能得以全面增強(qiáng)，而且由于提高了QGD/QGS比率，EPC2012還具有優(yōu)異的dv/dt抗干擾性能。

與具有相同導(dǎo)通電阻的先進(jìn)硅功率MOSFET相比，EPC2012體積小很多，而開關(guān)性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應(yīng)用包括高速DC/DC電源、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器、硬開關(guān)和高頻電路。

“隨著宜普氮化鎵場效應(yīng)晶體管系列產(chǎn)品的不斷擴(kuò)展，氮化鎵場效應(yīng)晶體管的性能標(biāo)桿得以進(jìn)一步提升。另外，這種新一代eGaN產(chǎn)品是業(yè)界首批不含鉛及符合RoHS要求的器件。”共同創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow表示。