你的位置:首頁 > EMC安規(guī) > 正文
仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
發(fā)布時間:2021-09-05 來源:英飛凌科技大中華區(qū)應(yīng)用工程師 張浩 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】如何評估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫?英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM,是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha,給大家做一些清晰和深入的解析。
● IPOSIM中Rthha定義:折算到每個Switch(開關(guān))的散熱器熱阻
● 折算思路:對于常規(guī)模塊,先確定散熱器的總熱阻,再根據(jù)散熱器包含的Switch數(shù)量,折算出熱阻Rthha。對于PIM模塊,其散熱器熱阻需要額外計算。
一、兩電平仿真中的Rthha的定義與設(shè)置
在兩電平逆變拓?fù)渲?,每個Switch基本單元為:T1+D1
兩電平舉例說明:3XFF600R12KE4 per Inverter
(FF600R12KE4)
62mm封裝的半橋模塊如上,三個半橋模塊置于散熱器,組成完整的三相逆變拓?fù)?。假設(shè)每個模塊200W損耗,散熱器的溫升30℃,則散熱器總熱阻為30℃/(200W*3)=0.05K/W。
散熱器總共包含了6個Switch基本單元,因此IPOSIM中Rthha為:0.05*6=0.30K/W。
二、三電平仿真中的Rthha的定義與設(shè)置
三電平的拓?fù)湎鄬?fù)雜一些,以常見的三種拓?fù)銷PC1、NPC2和ANPC為例,分別進(jìn)行說明:
在NPC1拓?fù)渲?,每個Switch基本單元為:T1+D1+T2+D2+D5
在NPC2拓?fù)渲?,每個Switch基本單元為:T1+D1+T2+D2
在ANPC拓?fù)渲校總€Switch基本單元為:T1+D1+T2+D2+T5+D5
三電平NPC1舉例說明:
3XF3L150R07W2E3_B11 per Inverter
(F3L150R07W2E3_B11)
在中小功率的三電平應(yīng)用里,1個模塊就能裝下三電平的1個甚至3個橋臂。如Easy2B封裝的三電平模塊F3L150R07W2E3_B11,模塊內(nèi)為1個NPC1橋臂,3個模塊置于散熱器上,組成完整的三電平的三相逆變拓?fù)洹<僭O(shè)每個Easy2B模塊損耗200W, 散熱器的溫升30℃,則散熱器總熱阻為:30℃/(200W*3)=0.05K/W。
散熱器總共包含了6個Switch基本單元,因此IPOSIM中Rthha為:0.05*6=0.30K/W。
三電平ANPC舉例說明:
3XFF600R12ME4_B72 per phase
(FF600R12ME4_B72)
在大功率的三電平應(yīng)用里,往往需要多個模塊才能組成1個三電平橋臂,如EconoDual3™封裝的半橋模塊FF600R12ME4_B72,3個模塊組成1個ANPC或NPC1的橋臂,同樣3個模塊置于散熱器上,只是三電平拓?fù)涞哪骋幌唷<僭O(shè)3個模塊損耗一共1200W,散熱器溫升50℃,則散熱器總熱阻為50℃/1200W=0.042K/W。
散熱器只包含了2個Switch基本單元,因此IPOSIM中Rthha為:0.042*2=0.084K/W。
三、變頻器PIM模塊仿真中的Rthha的定義與設(shè)置
在中小功率的變頻器應(yīng)用里,常常會用到PIM模塊(包含整流、制動和逆變),如英飛凌最新IGBT7系列EasyPIM模塊FP25R12W2T7_B11。
如下圖所示,是基于有限元熱仿真的散熱器表面溫度分布:環(huán)境溫度50℃,散熱器表面最高溫度82.3℃,其中每個整流二極管RD的損耗為3W,每個IGBT的損耗為10W,每個FWD的損耗為4W。
考慮到模塊內(nèi)整流部分和逆變部分的相互影響,我們可分別計算逆變(Inv)和整流(Rec)部分的Switch對應(yīng)的散熱器熱阻Rthha,其中:
PIM模塊逆變部分的散熱器熱阻Rthha(Inv)=(82.3℃-50℃)/(10W+4W)=2.30K/W
PS:如果按散熱器總熱阻X6去折算逆變部分的熱阻,會存在低估的情況:
散熱器總熱阻=(82.3℃-50℃)/(6*10W+6*4W+6*3W)=0.317K/W,
即0.317*6=1.90K/W,
比上述的熱阻值2.30K/W偏低約18%。
散熱器(總)熱阻在不同工況下的變化
散熱器的熱阻并非定值,而是會隨熱源的分布變化而變化。
在一些大功率三電平的應(yīng)用場合,一方面,各個模塊之間的損耗不同;同時,模塊間損耗差異還會隨著工況不同而變化,因此,需要格外關(guān)注此時散熱器總熱阻的變化情況。如下,分別以常見白模塊和黑模塊三電平NPC1拓?fù)錇槔?,進(jìn)行簡單的分析。
案例一
基于EconoDual™3白模塊NPC1三電平,在某種水冷條件下,不同工況時的散熱器總熱阻:
案例二
基于PrimePACK™3黑模塊NPC1三電平,在某種水冷條件下,不同工況時的散熱器總熱阻:
因此,需考慮最惡劣工況下的熱阻,或者在不同工況仿真時,采取不同的散熱器熱阻應(yīng)對,以獲得更準(zhǔn)確的仿真結(jié)果。
綜上所述,文章總結(jié)了在IPOSIM中Rthha參數(shù),在兩電平和三電平應(yīng)用中的定義與設(shè)置,以及一些常見的問題,期望對大家如何正確選取Rthha進(jìn)行準(zhǔn)確的IPOSIM仿真有所幫助。
紙上得來終覺淺,絕知此事要躬行。
趕緊打開IPOSIM試試吧。
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀:
特別推薦
- AMTS 2025展位預(yù)訂正式開啟——體驗(yàn)科技驅(qū)動的未來汽車世界,共迎AMTS 20周年!
- 貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
- 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測量
- 貿(mào)澤開售Nordic Semiconductor nRF9151-DK開發(fā)套件
- TDK推出用于可穿戴設(shè)備的薄膜功率電感器
- 日清紡微電子GNSS兩款新的射頻低噪聲放大器 (LNA) 進(jìn)入量產(chǎn)
- 中微半導(dǎo)推出高性價比觸控 MCU-CMS79FT72xB系列
技術(shù)文章更多>>
- 意法半導(dǎo)體推出首款超低功耗生物傳感器,成為眾多新型應(yīng)用的核心所在
- 是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗(yàn)法則?
- 智能電池傳感器的兩大關(guān)鍵部件: 車規(guī)級分流器以及匹配的評估板
- 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
- AHTE 2025展位預(yù)訂正式開啟——促進(jìn)新技術(shù)新理念應(yīng)用,共探多行業(yè)柔性解決方案
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索