【導(dǎo)讀】在電機(jī)控制、電磁閥控制、通信基礎(chǔ)設(shè)施和電源管理等諸多應(yīng)用中,電流檢測(cè)是精密閉環(huán)控制所必需的關(guān)鍵功能。從安全至關(guān)重要的汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用,到電源和效率至關(guān)重要的手持式設(shè)備,都能發(fā)現(xiàn)它的身影。利用精密電流監(jiān)控,設(shè)計(jì)人員可以獲得關(guān)鍵的瞬時(shí)信息,例如電機(jī)扭矩(根據(jù)電機(jī)電流)、DC/DC轉(zhuǎn)換器效率、基站LDMOS(橫向擴(kuò)散MOS)功率晶體管的偏置電流,或者短接至地等診斷信息。
為了理解系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在為電路板選擇最精確、最具成本效益的電流傳感器時(shí)所面對(duì)的重要權(quán)衡、選擇和挑戰(zhàn),我們將仔細(xì)討論蜂窩基站功率放大器的LDMOS偏置電流監(jiān)控及其它相關(guān)應(yīng)用中的電流檢測(cè)。
電流監(jiān)控在基站功率放大器中是必不可少的,特別是在調(diào)制方法更為復(fù)雜3G和LTE中,其峰均功率比從3G W-CDMA的3.5 dB(約2.2比1)到LTE OFDM的8.5 dB(約7.1比1)不等,而大多數(shù)常用2G單載波GSM的峰均功率比為3 dB(約2比1)??刂骗h(huán)路功能之一是監(jiān)控LDMOS偏置電流,以便能夠針對(duì)給定的功率輸出對(duì)LDMOS的偏置進(jìn)行正確調(diào)制。通常情況下,此直流偏置電流具有寬動(dòng)態(tài)范圍,具體視工作條件、最大值或非峰值操作而定。對(duì)設(shè)計(jì)人員而言,這意味著需要一個(gè)精密電流傳感器來(lái)監(jiān)控50 mA(或者低至15 mA)1至20 A范圍內(nèi)的電流,而LDMOS的漏極則偏置到28 V至60 V范圍內(nèi)的一個(gè)高壓。如果利用分流電阻來(lái)監(jiān)控此電流,則設(shè)計(jì)人員只能使用非常小的分流電阻,否則當(dāng)LDMOS電流為20 A時(shí),其功耗將非常大。例如,在最大電流時(shí),即使10mΩ分流電阻也會(huì)消耗4 W功率。
雖然存在能夠承受這一功率的分流電阻,但電路板可能要求較低功耗。然而,如果選擇如此低的電阻值,則在低電流(如50 mA)時(shí),10 mΩ分流電阻上的電壓將極其微小(500 μV),難以利用一個(gè)同時(shí)還必須承受高共模電壓的電路進(jìn)行精密監(jiān)控。
本文將重點(diǎn)討論能夠在高共模電壓下精確監(jiān)控寬范圍直流電流的電流檢測(cè)解決方案。同時(shí)還會(huì)特別關(guān)注溫度性能這一重要參數(shù),它常常難以校準(zhǔn),但在功率放大器室外應(yīng)用中必須慎對(duì)待。
本文將按照設(shè)計(jì)復(fù)雜度從高到低的順序介紹三種可選解決方案,它們能針對(duì)各種不同的應(yīng)用提供可行的高精度、高分辨率電流檢測(cè)。
1. 使用運(yùn)算放大器、電阻和齊納二極管等分立器件來(lái)構(gòu)建電流傳感器。這種解決方案以零漂移放大器AD8628為核心器件。
2. 使用AD8210等高壓雙向分流監(jiān)控器來(lái)提高集成度,并利用其它外部器件來(lái)擴(kuò)展動(dòng)態(tài)范圍和精度。
3. 采用針對(duì)應(yīng)用而優(yōu)化的器件,例如最新推出的AD8217。AD8217是一款易于使用且高度集成的零漂移電流傳感器,輸入共模電壓范圍為4.5 V至80 V。
配置一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器進(jìn)行高端電流檢測(cè)
圖1所示為一個(gè)采用 AD8628的基于算放大器的分立解決方案。采用其它運(yùn)算放大器時(shí)同一設(shè)置也有效,但必須盡可能具有下列特性:低輸入失調(diào)電壓、低失調(diào)電壓漂移、低輸入偏置電流和軌到軌輸入輸出擺幅能力。推薦的其它放大器包括AD8538, AD8571和 AD8551.
圖1. 使用運(yùn)算放大器的分立式大電流檢測(cè)解決方案。
此電路監(jiān)控高端電流 I。放大器通過(guò)齊納二極管打開(kāi)偏置,本例中其額定值為5.1 V。二極管的使用確保放大器能夠在高共模電平下安全地工作,并且其電源電壓穩(wěn)定在容許的電源限值以?xún)?nèi),同時(shí)MOSFET將其輸出轉(zhuǎn)換為電流,進(jìn)而由電阻 RL轉(zhuǎn)換為以地為參考的電壓。這樣,輸出電壓就能饋送至轉(zhuǎn)換器、模擬處理器和其它以地為參考的器件(如運(yùn)算放大器或比較器),以便做進(jìn)一步的信號(hào)調(diào)理。
在此配置中,RG 上的電壓與 RSHUNT 上的電壓相等,因?yàn)橥ㄟ^(guò)MOSFET的反饋會(huì)使運(yùn)算放大器的兩個(gè)高阻抗輸入端保持相同的電壓。經(jīng)過(guò)RG 的電流流過(guò)FET和 RL 產(chǎn)生 VOUTPUT。流過(guò)分流電阻的電流I與 VOUTPUT 的關(guān)系可通過(guò)公式1表示:
(1)
RSHUNT 選擇:RSHUNT 的最大值由最大電流時(shí)的容許功耗決定,而最小值由運(yùn)算放大器的輸入范圍和誤差預(yù)算決定。一般情況下,為了監(jiān)控10 A以上的電流,RSHUNT 的值在1 mΩ至10 mΩ之間。如果單個(gè)電阻無(wú)法滿(mǎn)足功耗要求,或者對(duì)PCB而言太大,則RSHUNT 可能必須由多個(gè)電阻并聯(lián)構(gòu)成。
RG 選擇: RG 用于將與高端電流成比例的電流轉(zhuǎn)換到低端。RG 的最大值由P溝道MOSFET的漏極-源極漏電流決定。假設(shè)使用常見(jiàn)的P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS晶體管BSS84,那么各種條件下的IDSS 最大值如表1所示。
表1. 漏極-源極漏電流
以L(fǎng)DMOS漏極電流監(jiān)控為例,共模電壓為28 V, IDSS 為100 nA。通過(guò)RL 的最小電流的鏡像至少應(yīng)為IDSS的20倍。因此,
RG 的最小值由最大負(fù)載電流時(shí)的容許鏡像電流功耗決定:
RBIAS 選擇: 通過(guò)RBIAS 的電流經(jīng)過(guò)分流產(chǎn)生運(yùn)算放大器的靜態(tài)電流和基本恒定的齊納二極管電壓VZ(它決定運(yùn)算放大器的電源電壓)。當(dāng)放大器電流 ISUPPLY實(shí)際上為0且 VIN 為最大值時(shí),應(yīng)確保流過(guò)齊納二極管的電流不超過(guò)其最大調(diào)節(jié)電流IZ_MAX:
當(dāng)ISUPPLY 為最大值且VIN為最小值時(shí),為確保二極管電壓穩(wěn)定,流過(guò)其中的電流應(yīng)大于其最大工作電流IZ_MIN:
齊納二極管和RBIAS是這一解決方案的關(guān)鍵器件,因?yàn)樗鼈兿撕罄m(xù)電路的高共模電壓,支持使用低壓精密運(yùn)算放大器。為使電壓保持最高穩(wěn)定性,齊納二極管應(yīng)具有低動(dòng)態(tài)電阻和低溫度漂移特性。
R1 選擇: R1 用于在輸入瞬變超過(guò)運(yùn)算放大器的電源電壓時(shí)限制放大器輸入電流。建議使用10 kΩ電阻。
所選運(yùn)算放大器的失調(diào)電壓VOS和失調(diào)電流 IOS是非常重要的指標(biāo),特別是在分流電阻值和負(fù)載電流很低的情況下。 VOS + IOS × R1必須小于IMIN × RSHUNT, 否則放大器可能會(huì)飽和。因此,為獲得最佳性能,最好使用具有零交越失真的軌到軌輸入放大器。
對(duì)于這種分立解決方案,另一個(gè)需要考慮的問(wèn)題是溫度漂移。即使采用零漂移放大器,也非常難以?xún)?yōu)化,或者需要付出高昂代價(jià)才能優(yōu)化下列分立器件所引起的漂移:齊納二極管、MOSFET和電阻。從表1可知,當(dāng)VGS = 0 V 且 VDS = –50 V時(shí),隨著工作溫度從25°C變?yōu)?25°C,MOSFET的IDSS 最大值從–10 μA變?yōu)?ndash;60 μA。此漂移會(huì)降低系統(tǒng)在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的精度,特別是當(dāng)受監(jiān)控的電流很低時(shí)。齊納二極管的漂移特性會(huì)影響放大器電源的穩(wěn)定性,因此所用放大器應(yīng)當(dāng)具有高電源抑制(PSR)性能。
此外,設(shè)計(jì)人員必須意識(shí)到這一解決方案的功效很低,因?yàn)?RBIAS.消耗了大量功率。例如,如果總線(xiàn)共模電為28 V,齊納二極管輸出電壓為5.1 V且RBIAS為1000 Ω電阻,那么該電路的無(wú)用功耗將超過(guò)0.52 W。這會(huì)增加功耗預(yù)算,設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮這一點(diǎn)。
利用AD8210和外部器件進(jìn)行高端電流檢測(cè)
圖2a所示為集成高壓雙向分流監(jiān)控器 AD8210 的簡(jiǎn)化框圖;圖2b所示為采用外部基準(zhǔn)電壓源的單向應(yīng)用。
圖2. (a) 高壓雙向分流監(jiān)控器AD8210
(b) 采用外部基準(zhǔn)電壓源的寬范圍單向應(yīng)用
AD8210可以放大正或負(fù)電流流過(guò)分流電阻時(shí)產(chǎn)生的小差分輸入電壓,同時(shí)抑制高共模電壓(最高65 V),并提供以地為參考的緩沖輸出。
如圖2a所示,它主要包括兩個(gè)模塊:一個(gè)差分放大器和一個(gè)儀表放大器。輸入端通過(guò) R1 和 R2連接到差分放大器A1。A1利用Q1和Q2調(diào)整流經(jīng) R1 和 R2的小電流,使其自身輸入端上的電壓為零。當(dāng) AD8210的輸入信號(hào)為0 V時(shí), R1 和 R2中的電流相等。當(dāng)該差分信號(hào)非零時(shí),一個(gè)電阻中的電流增大,另一個(gè)電阻中的電流則減小。電流差與輸入信號(hào)的大小和極性成正比。
R3 和 R4將流經(jīng)Q1和Q2的差分電流轉(zhuǎn)換為差分電壓。A2配置為儀表放大器,用于將該差分電壓轉(zhuǎn)換為單端輸出電壓。通過(guò)精密調(diào)節(jié)的薄膜電阻在內(nèi)部將增益設(shè)置為20 V/V。
使用 VREF1 和VREF2引腳可以輕松調(diào)整輸出基準(zhǔn)電壓。在處理雙向電流的典型配置中, VREF1連接到 VCC,而 VREF2 連接到GND。這種情況下,當(dāng)輸入信號(hào)為0 V時(shí),輸出以VCC/2為中心電壓。因此,對(duì)于5 V電源,輸出以2.5 V為中心電壓。根據(jù)分流電阻上的電流方向不同,輸出將大于或小于2.5 V。
這種配置非常適合充電/放電應(yīng)用,但如果用戶(hù)需要利用整個(gè)輸出范圍來(lái)測(cè)量一個(gè)單向電流,那么一種典型方法就是利用外部源來(lái)設(shè)置該范圍,如圖2b所示。此時(shí),一個(gè)電阻分壓器經(jīng)過(guò)一個(gè)運(yùn)算放大器緩沖來(lái)驅(qū)動(dòng)連在一起的 VREF1 和 VREF2引腳,從而使輸出發(fā)生偏移。
當(dāng)負(fù)載電流接近0時(shí),單單依靠放大器難以監(jiān)控負(fù)載電流。采用5 V電源時(shí),AD8210的線(xiàn)性輸出范圍為50 mV至4.9 V。假設(shè)應(yīng)用中的分流電阻為10 mΩ,那么其上流過(guò)的最小電流必須大于250 mA,才能確保AD8210的輸出高于其50 mV的最低點(diǎn)。
圖2b所示配置引入了一個(gè)偏移,以便測(cè)量更小的電流。當(dāng)放大器增益為20 V/V時(shí),輸出電壓與監(jiān)控電流之間的關(guān)系可以通過(guò)公式2表表示:
(2)
例如,當(dāng)電阻R1和 R2分別為9800 Ω和200 Ω時(shí),失調(diào)電壓為100 mV。當(dāng)差分輸入為0 V時(shí),AD8210的輸出是100 mV,仍然落在線(xiàn)性范圍之內(nèi)。如果分流電流范圍為50 mA至20 A,當(dāng)RSHUNT = 10 mΩ時(shí),輸入范圍將是0.5 mV至200 mV,AD8210的輸出范圍是10 mV至4 V加上失調(diào)電壓,即0.11 V至4.1 V,完全位于其額定線(xiàn)性范圍以?xún)?nèi)。
事實(shí)上,利用這種配置,設(shè)計(jì)人員可以將AD8210的輸出偏移到電源范圍內(nèi)的任何一點(diǎn),從而處理具有任何非對(duì)稱(chēng)性的任意電流范圍。由于精密調(diào)節(jié)的電阻內(nèi)部連接到基準(zhǔn)輸入端,因此需要使用一個(gè)運(yùn)算放大器來(lái)緩沖分壓器。為了獲得最佳結(jié)果,應(yīng)當(dāng)以低阻抗來(lái)驅(qū)動(dòng)這些輸入端??捎脕?lái)緩沖外部基準(zhǔn)電壓源的精密低成本運(yùn)算放大器包括 AD8541, AD8601, AD8603, AD8605, AD8613, AD8691和 AD8655等。
與分立解決方案相比,這種集成解決方案要求分流監(jiān)控器具有高共模電壓范圍,當(dāng)輸出電壓范圍無(wú)法達(dá)到電流檢測(cè)范圍要求時(shí),它還要求輸出偏移。但它能夠處理雙向電流監(jiān)控,并且避免了上述溫漂和功耗問(wèn)題。AD8210失調(diào)漂移和增益漂移的保證最大值分別為8 μV/°C與20 ppm/°C。如果使用AD8603作為緩沖器,它所貢獻(xiàn)的失調(diào)僅有1 μV/°C,與AD8210已經(jīng)很低的失調(diào)電壓漂移相比可以忽略不計(jì)。分壓器R1和 R2的功耗為:
以圖2b所示的參數(shù)進(jìn)行計(jì)算,其功耗僅為1.2 mW。
利用零漂移AD8217進(jìn)行高端電流監(jiān)控
ADI公司最近推出了一款高壓電流傳感器AD8217,它具有零漂移和500 kHz帶寬,專(zhuān)門(mén)用來(lái)增強(qiáng)寬溫度、輸入共模和差分電壓范圍內(nèi)的分辨率和精確度。圖3a所示為該器件的簡(jiǎn)化框圖;圖3b顯示了一個(gè)典型應(yīng)用。
圖3. (a) 高分辨率、零漂移分流監(jiān)控器AD8217
(b) 利用AD8217進(jìn)行高端電流檢測(cè)
了測(cè)量流過(guò)小分流電阻的極小電流,AD8217提供最小值為20 mV的輸出范圍(整個(gè)溫度范圍內(nèi)),優(yōu)于AD8210的50 mV范圍。因此,如果分流電阻上受監(jiān)控的最小負(fù)載電流在電流傳感器中產(chǎn)生20 mV的最小輸出(相當(dāng)于1 mV的最小輸入),則用戶(hù)可以選擇按圖3b所示來(lái)配置AD8217。AD8217的輸出電壓與輸入電流之間的關(guān)系可以通過(guò)公式3表示:
(3)
AD8217 內(nèi)置一個(gè)低壓差調(diào)節(jié)器(LDO),它能為放大器提供恒壓電源。該LDO可以承受4.5 V至80 V的高共模電壓,其功能基本上與圖1中的齊納二極管相似。
AD8217的工廠(chǎng)設(shè)定增益為20 V/V,在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的最大增益誤差為±0.35%。整個(gè)溫度范圍內(nèi)的初始失調(diào)額定值為±300 μV,而且溫漂非常小,僅有±100 nV/°C,這些特性可以改善任何誤差預(yù)算。緩沖輸出電壓可以直接與任何典型的模數(shù)轉(zhuǎn)換器接口。當(dāng)輸入差分電壓至少為1 mV時(shí),無(wú)論是否存在共模電壓,AD8217都能提供正確的輸出電壓。像上例一樣使用10 mΩ分流電阻時(shí),最小電流可以低至100 mA。
單芯片解決方案避免了分立解決方案的溫漂和功耗問(wèn)題。
性能比較
以下部分將給出通過(guò)比較這三種不同方法所獲得的測(cè)試結(jié)果。測(cè)試時(shí)通過(guò)改變輸入電壓和負(fù)載電阻來(lái)調(diào)整流過(guò)分流電阻的輸入電流。在所示數(shù)據(jù)中,已執(zhí)行初始校準(zhǔn)來(lái)消除與電路板中所有器件相關(guān)的初始增益和失調(diào)誤差。
圖4為利用圖1所示電路測(cè)得的 RL上的輸出電壓與流過(guò)RSHUNT的輸入電流低端值之間的線(xiàn)性關(guān)系圖。RSHUNT為 10 mΩ; RG 為 13 Ω; RBIAS 為 100 Ω; R1 為 10 kΩ; 負(fù)載電阻為 200 Ω; RL 為 200 Ω; 齊納二極管輸出為5.1 V;運(yùn)算放大器為AD8628;MOSFET為BSS84。最大相對(duì)誤差為0.69%,而校準(zhǔn)后的平均誤差為0.21%。
圖4. 采用圖1中 AD8628獲得的低電流測(cè)試結(jié)果
圖5為利用圖2b所示電路測(cè)得的AD8210輸出電壓與流過(guò)RSHUNT的輸入電流低端值之間的線(xiàn)性關(guān)系圖。RSHUNT 為10 mΩ; R1 為 20 kΩ; R2 為 0.5 kΩ; 負(fù)載電阻為 200 Ω. 外部基準(zhǔn)電壓緩沖器為AD8603。最大相對(duì)誤差為0.03%,而校準(zhǔn)后的平均誤差為0.01%。
圖5. 采用圖2b中AD8210獲得的低電流測(cè)試結(jié)果
圖6為利用圖3b所示電路測(cè)得的AD8217輸出電壓與流過(guò)RSHUNT的輸入電流低端值之間的線(xiàn)性關(guān)系圖。RSHUNT 為 10 mΩ, 且負(fù)載電阻為50 Ω。最大相對(duì)誤差為0.088%,而線(xiàn)性校正后的平均誤差為0.025%。
圖6. 采用圖3b中AD8217獲得的低電流測(cè)試結(jié)果
注意,測(cè)試有必要集中在范圍的低端,而不是涵蓋50 mA至20 A的整個(gè)范圍。原因是線(xiàn)性度變化主要處于范圍的低輸出電壓(低單極性電流)部分。
此外還在–40°C、+25°C和+85°C下對(duì)每種解決方案進(jìn)行了溫度實(shí)驗(yàn)。表2給出了利用+25°C下的校正系數(shù)來(lái)校準(zhǔn)–40°C和+85°C下的數(shù)據(jù)時(shí)的最大相對(duì)誤差和平均誤差。
表2. 不同溫度下使用同一校正系數(shù)時(shí)的最大誤差和平均誤差
如果系統(tǒng)中有溫度傳感器可用,則可以使用不同的校正系數(shù)來(lái)校準(zhǔn)不同溫度下的數(shù)據(jù),但這會(huì)導(dǎo)致器件數(shù)量增多和制造成本增加。表3給出了在–40°C、+25°C和+85°C下使用不同校正系數(shù)時(shí)的最大相對(duì)誤差和平均誤差。
表3. 不同溫度下使用不同校正系數(shù)時(shí)的最大誤差和平均誤差
溫度實(shí)驗(yàn)表明,利用自穩(wěn)零技術(shù)的器件可以在寬溫度范圍內(nèi)提供高精度性能,特別是AD8217。
圖7. AD8628分立解決方案的溫度實(shí)驗(yàn)
圖8. AD8210集成解決方案的溫度實(shí)驗(yàn)
圖9. AD8217單芯片解決方案的溫度實(shí)驗(yàn)
結(jié)論
測(cè)試結(jié)果表明,所有三種解決方案都能用于寬動(dòng)態(tài)范圍的高端電流檢測(cè):所有三種解決方案的輸出都是線(xiàn)性的,而采用AD8217的解決方案具有最佳的誤差性能,并且不需要獨(dú)立電源。此外,±100-nV/°C的失調(diào)漂移特性使它非常適合在–40°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)使用,能夠在溫度范圍內(nèi)提供最高精度性能。就系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言,單芯片解決方案可以節(jié)省PCB面積,簡(jiǎn)化PCB布局,降低系統(tǒng)成本,并提高可靠性。這些特點(diǎn)特別適用于負(fù)載電流范圍很寬且動(dòng)態(tài)范圍至關(guān)重要的單向電流檢測(cè)應(yīng)用。
根據(jù)測(cè)試結(jié)果可以得知:對(duì)于寬動(dòng)態(tài)范圍的單向高端電流檢測(cè)和監(jiān)控應(yīng)用,AD8217是三種解決方案中最合適的一種。我們還注意到,AD8210解決方案的工作范圍可以低至0 V輸入,這對(duì)檢測(cè)短接至地的條件可能有利。還應(yīng)注意,AD8210能夠以單芯片監(jiān)控雙極性電流,例如在充電/放電應(yīng)用中。
在要求最佳系統(tǒng)性能的實(shí)際系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,建議采用校準(zhǔn)和溫度檢測(cè)。
致謝
Ryan Du先生在ADI公司實(shí)習(xí)期間,幫助完成了本文的分立解決方案設(shè)置和測(cè)量部分。
1依據(jù)天線(xiàn)接口標(biāo)準(zhǔn)組織(AISG) 1.1。
推薦閱讀: