【導(dǎo)讀】請(qǐng)注意由于與繼電器控制并聯(lián)的機(jī)械開(kāi)關(guān)而產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，不要將機(jī)械開(kāi)關(guān)與MOSFET并聯(lián)。當(dāng)繼電器關(guān)閉時(shí)，由于繼電器的啟動(dòng)時(shí)間短，產(chǎn)生了高的瞬態(tài)電壓(dv/dt)，這通常是由于產(chǎn)生了大量的dv/dt而累積起來(lái)的。
潛在問(wèn)題:
當(dāng)MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟會(huì)導(dǎo)致MOSFET的破壞:由于機(jī)械開(kāi)關(guān)的短暫時(shí)間，高的dvdt會(huì)激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪涌的能量將集中在這種寄生晶體管上;這可以破壞寄生雙極晶體管，并破壞MOSFET本身。MOSFET在漏極源和源極之間的絕對(duì)短路損壞。
Note:由于繼電器的振動(dòng)，MOSFET也可以在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)被破壞。
預(yù)防措施:
1.使用一個(gè)雙極晶體管，用一個(gè)穩(wěn)壓二極管保護(hù)來(lái)限制振蕩電壓，其值低于VCEmax。39vzener電壓是接受拋負(fù)載的推薦值。
2.使用一個(gè)zener保護(hù)二極管，其電壓低于MOSFET的第二次擊穿電壓(第二個(gè)擊穿電壓可以低到50%的VDSmax)選擇MOSFET(第二次擊穿電壓為39V)。
