-
IGBT適用于ZVS 還是 ZCS?
提到軟開關(guān)技術(shù),大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS(Zero voltage switching) 和零電流關(guān)斷ZCS(Zero current switching),同時,尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中,絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓撲的電源產(chǎn)品都選擇了ZVS,而不是ZCS,所以,Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔,而不是IGBT。
2022-10-11
-
紅外熱成像儀對放大器的芯片結(jié)溫的仿真測試
隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發(fā)展,其熱耗不斷增加,散熱問題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導(dǎo)率高達 2000 W/(m?K),是一種極具競爭力的新型散熱材料,可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
-
延時校準、脈沖測試一定要做的事兒!
進行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性,可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個生命周期?;陔p脈沖測試獲得的器件開關(guān)波形可以做很多事情,包括:通過對開關(guān)過程的分析驗證器件設(shè)計方案并提出改進方向、提取開關(guān)特征參數(shù)制作器件規(guī)格書、計算開關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗為電源熱設(shè)計提供數(shù)據(jù)支撐、不同廠商器件開關(guān)特性的對比等。
2022-09-20
-
GaN HEMT 大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8 W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面,GaN RF 功率器件具有自加熱特性,并且元件參數(shù)的非線性與信號電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴關(guān)系。這些因素往往給準確預(yù)測器件大信號性能造成更多困難。
2022-09-15
-
汽車感性負載安全退磁能量計算和分析
隨著汽車電子技術(shù)的發(fā)展,輕量化與智能化的需求也帶動了英飛凌智能功率器件 (IPD)在車身負載驅(qū)動的大規(guī)模應(yīng)用。對于感量較大的負載,如雨刮、鼓風機、風扇、繼電器等,需要考慮負載關(guān)斷時產(chǎn)生的能量對系統(tǒng)的沖擊,同時驅(qū)動器件不能被該能量擊穿。本文提供了評估測量感性能量的方法和工具,在一個明確定義的應(yīng)用場景中,瞬間關(guān)斷時的產(chǎn)生的箝位能量(ECL),與高壓側(cè)器件本身的能量能力進行對比,保證IPD器件長期可靠工作。
2022-08-03
-
GaN是否具有可靠性?或者說我們能否如此提問?
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前,您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是,沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世,電源設(shè)計人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
2022-07-29
-
25kW SiC直流快充設(shè)計指南(第八部分完結(jié)篇):熱管理
在本系列的前幾篇文章中[1-7],我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。在這一章,我們來看看其中的熱管理部分是如何提高效率和可靠性,同時防止系統(tǒng)過早失效的。
2022-07-11
-
25kW SiC直流快充設(shè)計指南(第七部分):800V EV充電系統(tǒng)的輔助電源
在本系列的前幾篇文章中[1-6],我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25kW EV快充系統(tǒng),包括這個可擴展系統(tǒng)的整體架構(gòu)和規(guī)格,以及其中PFC和DC-DC變換部分的硬件設(shè)計和控制策略。我們基本已經(jīng)把電路設(shè)計部分講完了,除了輔助電源設(shè)計的相關(guān)內(nèi)容。
2022-07-07
-
英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動芯片的三個優(yōu)勢
現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動器承載更大的負載電流。如下圖1 所示:由于功率回路里的寄生電感(主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的),電路中VS腳的電壓會從高壓母線電壓(S1通S2關(guān)時)變化到低于地的負壓(S1關(guān)閉時)。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負電壓。
2022-06-28
-
功率半導(dǎo)體冷知識:功率器件的功率密度
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力,實現(xiàn)方法是:
2022-06-13
-
集成容性隔離助力高密度適配器設(shè)計
快充需求推動了高密度適配器的蓬勃發(fā)展。在實際的適配器設(shè)計中,花樣繁多的新型開關(guān)功率器件、拓撲和控制方案不計其數(shù)。
2022-05-16
-
Lucid Motors與Wolfspeed強強合作,在屢獲殊榮的Lucid Air車型中采用SiC半導(dǎo)體
全球碳化硅(SiC)技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布,與 Lucid Motors 達成重要合作。Lucid Motors 將在其高性能、純電動車型 Lucid Air 中采用 Wolfspeed SiC 功率器件解決方案。同時,Wolfspeed 和 Lucid Motors 簽訂多年協(xié)議,將由 Wolfspeed 生產(chǎn)和供應(yīng) SiC 器件。
2022-04-28
- 電源中的分壓器
- 貿(mào)澤電子為電子設(shè)計工程師提供先進的醫(yī)療技術(shù)資源和產(chǎn)品
- 讓汽車LED照明無死角,LED驅(qū)動的全面進化
- 豪威集團推出專為無LED閃爍的汽車攝像頭設(shè)計的全新1200萬像素圖像傳感器
- 貿(mào)澤開售Microchip WBZ350射頻就緒多協(xié)議MCU模塊
- 大聯(lián)大品佳集團推出基于聯(lián)發(fā)科技的AI識別與檢測方案
- Kioxia推出適用于云端和超大規(guī)模環(huán)境的PCIe 5.0 NVMe EDSFF E1.S SSD
- 了解交流電壓的產(chǎn)生
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn),助力未來電力電子應(yīng)用
- 實現(xiàn)不間斷能源的智能備用電池第五部分:輔助電源系統(tǒng)
- 關(guān)于汽車48V電氣架構(gòu),這些趨勢值得了解
- 貿(mào)澤電子為電子設(shè)計工程師提供先進的醫(yī)療技術(shù)資源和產(chǎn)品
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall