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針對高壓應用優(yōu)化寬帶隙半導體器件
自從寬帶隙材料被引入各種制造技術以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術，可以使用特定的導通電阻來控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET，導通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設計的關鍵參數(shù)。電導率的主要行業(yè)標準是材料技術中的特定導通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。
2023-04-13
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知名半導體芯片制造企業(yè)——揚州晶新微電子參展CITE2023
揚州晶新微電子有限公司是一家專業(yè)從事半導體芯片設計與制造的企業(yè)，在功率器件和高頻小信號芯片生產制造方面深耕多年，具有悠久的歷史，前身可追溯到60年代成立的國營“揚州晶體管廠”，在半導體行業(yè)具有廣泛的影響力。
2023-03-21
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功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
“ 動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應用和學術研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進行。”
2023-03-03
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第三代半導體功率器件在汽車上的應用
目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經得到了普及應用，在電驅的話已經開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應用，當然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因為SiC的襯底良率還有長晶的速度很慢導致成本偏高。隨著工藝的改進，這些都會得到解決。
2023-02-21
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RS瑞森半導體LLC恒流方案的應用市場
首先介紹芯片具有的特性：RSC6105S系列芯片是適用于LLC諧振拓撲，帶有半橋驅動恒流控制電路的芯片，最高工作頻率在130KHZ。其中內部集成的模塊包括：邏輯輸入信號處理電路、欠壓檢測電路、過壓保護電路、過溫保護電路、CS反饋信號整流電路、誤差放大器電路、壓控振蕩電路、電流過零檢測電路（ZCD）、電平位移電路等模塊，可以自動設置死區(qū)時間，防止高端和低端輸出功率管的同時導通，使方案設計更簡單可靠，同時對功率器件的選擇精度放寬，便于備料。該系列芯片還具備開路保護、短路保護、過溫保護等保護功能。
2023-02-17
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有源鉗位技術解析
在風電、光伏、新能源汽車、工業(yè)變頻等大功率應用場合，主電路中母線電容到功率器件間存在較大雜散電感 (幾十到幾百nH)。功率器件在關斷時，由于雜散電感Ls的存在，通過Ls*di/dt感應產生浪涌電壓，此感應高電壓與前端母線電容電壓方向一致，因此功率器件兩端疊加的電壓尖峰會超過母線電壓，在過流或短路發(fā)生時甚至可能會超過功率器件的耐受電壓而導致?lián)p壞。功率器件保護方式有RC吸收回路、軟開關以及飽和壓降檢測限流等，其中RC吸收回路具有以犧牲回路效率為代價，同時可能帶來吸收回路溫度過高的風險。有源鉗位可以直接加在驅動回路里面，通過延緩驅動關斷來吸收浪涌能量，能夠有效減小尖峰電壓起到保護作用，因此有源鉗位方案具有占用面積小、成本低、響應速度快、可靠性高等優(yōu)點。
2023-01-13
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碳化硅器件動態(tài)特性測試技術剖析
提到動態(tài)特性，大家的第一反應一定是開關特性，這確實是功率器件的傳統(tǒng)核心動態(tài)特性。由于其是受到器件自身參數(shù)影響的，故器件研發(fā)人員可以根據(jù)開關波形評估器件的特性，并有針對性地進行優(yōu)化。另外，電源工程師還可以基于測試結果對驅動電路和功率電路設計進行評估和優(yōu)化。
2023-01-10
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車規(guī)碳化硅功率模塊 - 襯底和外延篇
中國汽車工業(yè)協(xié)會最新數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍，市場占有率達到25%。由此可見新能源汽車的發(fā)展已經進入了快車道。在這里我們注意到，由于里程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線系統(tǒng)獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線系統(tǒng)，讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊，由于碳化硅得天獨厚的優(yōu)勢，使得它非常適合用來制造高耐壓、高結溫、高速的MOSFET，這三高恰好契合了800V母線系統(tǒng)對于核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非常看好800V母線系統(tǒng)的發(fā)展，有一些研究機構，預測截至到2026年，SiC在整個功率器件市場的占比將達到12%以上。
2023-01-10
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電動車快速直流充電：常見的系統(tǒng)拓撲結構和功率器件
直流快速充電（以下簡稱“DCFC”）在消除電動車采用障礙方面的作用是顯而易見的。對更短充電時間的需求推動近400千瓦的高功率電動車快充進入市場。本博客將講述典型的電源轉換器拓撲結構和用于DCFC的AC-DC和DC-DC的功率器件的概況。
2023-01-06
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅動選型及供電設計要點
新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場景高頻驅動和高壓化的技術發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動芯片方案。最后，本文根據(jù)SiC MOSFET驅動對供電的特殊要求，對不同供電設計方案的優(yōu)劣勢進行了分析。
2023-01-05
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RS瑞森半導體碳化硅二極管在光伏逆變器的應用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關鍵因素。
2022-12-30
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氮化鎵柵極驅動專利：RC負偏壓關斷技術之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對于其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負壓關斷方案。
2022-12-22
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