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針對高壓應(yīng)用優(yōu)化寬帶隙半導(dǎo)體器件
自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來,通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù),可以使用特定的導(dǎo)通電阻來控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET,導(dǎo)通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設(shè)計的關(guān)鍵參數(shù)。電導(dǎo)率的主要行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是材料技術(shù)中的特定導(dǎo)通電阻與擊穿電壓(R sp與 V BD )。
2023-04-13
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知名半導(dǎo)體芯片制造企業(yè)——揚(yáng)州晶新微電子參展CITE2023
揚(yáng)州晶新微電子有限公司是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體芯片設(shè)計與制造的企業(yè),在功率器件和高頻小信號芯片生產(chǎn)制造方面深耕多年,具有悠久的歷史,前身可追溯到60年代成立的國營“揚(yáng)州晶體管廠”,在半導(dǎo)體行業(yè)具有廣泛的影響力。
2023-03-21
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功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
“ 動態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用雙脈沖測試進(jìn)行。”
2023-03-03
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第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車上的應(yīng)用
目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用,在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用,當(dāng)然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距,主要是因為SiC的襯底良率還有長晶的速度很慢導(dǎo)致成本偏高。隨著工藝的改進(jìn),這些都會得到解決。
2023-02-21
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RS瑞森半導(dǎo)體LLC恒流方案的應(yīng)用市場
首先介紹芯片具有的特性:RSC6105S系列芯片是適用于LLC諧振拓?fù)?,帶有半橋?qū)動恒流控制電路的芯片,最高工作頻率在130KHZ。其中內(nèi)部集成的模塊包括:邏輯輸入信號處理電路、欠壓檢測電路、過壓保護(hù)電路、過溫保護(hù)電路、CS反饋信號整流電路、誤差放大器電路、壓控振蕩電路、電流過零檢測電路(ZCD)、電平位移電路等模塊,可以自動設(shè)置死區(qū)時間,防止高端和低端輸出功率管的同時導(dǎo)通,使方案設(shè)計更簡單可靠,同時對功率器件的選擇精度放寬,便于備料。該系列芯片還具備開路保護(hù)、短路保護(hù)、過溫保護(hù)等保護(hù)功能。
2023-02-17
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有源鉗位技術(shù)解析
在風(fēng)電、光伏、新能源汽車、工業(yè)變頻等大功率應(yīng)用場合,主電路中母線電容到功率器件間存在較大雜散電感 (幾十到幾百nH)。功率器件在關(guān)斷時,由于雜散電感Ls的存在,通過Ls*di/dt感應(yīng)產(chǎn)生浪涌電壓,此感應(yīng)高電壓與前端母線電容電壓方向一致,因此功率器件兩端疊加的電壓尖峰會超過母線電壓,在過流或短路發(fā)生時甚至可能會超過功率器件的耐受電壓而導(dǎo)致?lián)p壞。功率器件保護(hù)方式有RC吸收回路、軟開關(guān)以及飽和壓降檢測限流等,其中RC吸收回路具有以犧牲回路效率為代價,同時可能帶來吸收回路溫度過高的風(fēng)險。有源鉗位可以直接加在驅(qū)動回路里面,通過延緩驅(qū)動關(guān)斷來吸收浪涌能量,能夠有效減小尖峰電壓起到保護(hù)作用,因此有源鉗位方案具有占用面積小、成本低、響應(yīng)速度快、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
2023-01-13
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碳化硅器件動態(tài)特性測試技術(shù)剖析
提到動態(tài)特性,大家的第一反應(yīng)一定是開關(guān)特性,這確實是功率器件的傳統(tǒng)核心動態(tài)特性。由于其是受到器件自身參數(shù)影響的,故器件研發(fā)人員可以根據(jù)開關(guān)波形評估器件的特性,并有針對性地進(jìn)行優(yōu)化。另外,電源工程師還可以基于測試結(jié)果對驅(qū)動電路和功率電路設(shè)計進(jìn)行評估和優(yōu)化。
2023-01-10
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車規(guī)碳化硅功率模塊 - 襯底和外延篇
中國汽車工業(yè)協(xié)會最新數(shù)據(jù)顯示,2022年1月至11月,新能源汽車產(chǎn)銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛,同比均增長1倍,市場占有率達(dá)到25%。由此可見新能源汽車的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了快車道。在這里我們注意到,由于里程焦慮和快速充電的要求,800V 電池母線系統(tǒng)獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線系統(tǒng),讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊,由于碳化硅得天獨(dú)厚的優(yōu)勢,使得它非常適合用來制造高耐壓、高結(jié)溫、高速的MOSFET,這三高恰好契合了800V母線系統(tǒng)對于核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非??春?00V母線系統(tǒng)的發(fā)展,有一些研究機(jī)構(gòu),預(yù)測截至到2026年,SiC在整個功率器件市場的占比將達(dá)到12%以上。
2023-01-10
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電動車快速直流充電:常見的系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率器件
直流快速充電(以下簡稱“DCFC”)在消除電動車采用障礙方面的作用是顯而易見的。對更短充電時間的需求推動近400千瓦的高功率電動車快充進(jìn)入市場。本博客將講述典型的電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和用于DCFC的AC-DC和DC-DC的功率器件的概況。
2023-01-06
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動選型及供電設(shè)計要點(diǎn)
新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_關(guān)頻率。碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體代表,具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn),更適合車載充電機(jī)OBC、直流變換器 DC/DC、電機(jī)控制器等應(yīng)用場景高頻驅(qū)動和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應(yīng)用特點(diǎn),介紹了車載充電機(jī)OBC和直流變換器DC/DC應(yīng)用中的SiC MOSFET的典型使用場景,并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動芯片方案。最后,本文根據(jù)SiC MOSFET驅(qū)動對供電的特殊要求,對不同供電設(shè)計方案的優(yōu)劣勢進(jìn)行了分析。
2023-01-05
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RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用,甚至超過 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻,這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
2022-12-30
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氮化鎵柵極驅(qū)動專利:RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強(qiáng)型GaN GIT功率器件,兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動IC,如上期所介紹的,英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利;而松下在這一技術(shù)方向下也是申請了不少專利,其中就包括采用RC電路的負(fù)壓關(guān)斷方案。
2022-12-22
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