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電子展上金升陽科技展示系列產品
第76屆中國（上海）電子展的展商之一金升陽科技主要產品有AC-DC、DC-DC模塊電源、隔離變送器、隔離柵/安全柵、IGBT驅動器、LED驅動器。本屆電子展上，金升陽科技將重點展示其SMD系列、K78系列、6000VDC系列、三相四線制系列、LED驅動、IGBT驅動等系列產品，這些產品分別具有高隔離、高效率、高功率密度、表貼化易于自動化生產等優(yōu)勢?；诙嗄甑慕涷?，金升陽科技提出電源行業(yè)的發(fā)展趨勢，即：產品體積越來越?。划a品功率密度更高；產品實現(xiàn)積木化。
2010-11-03
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IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用研究
本文主要通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅動要求和保護方法等討論，介紹了的一種可驅動高壓大功率IGBT的集成驅動模塊HCPL-3I6J的應用。
2010-11-03
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IGBT產品及應用方案集中亮相PCIM-Asia2011
作為PCIM-Asia亞洲電力電子展的重要展品，每年6月份上海，各大知名企業(yè)（如英飛凌、富士電機、三菱電機、CT-Concept）的電力電子部門都將自己最新的IGBT相關產品呈現(xiàn)在業(yè)界同仁面前，與其一起亮相的，還有如株洲南車等國內自主研發(fā)生產IGBT的中國本土企業(yè)。業(yè)內知名企業(yè)的集體亮相，共同闡述業(yè)內最新發(fā)展趨勢。
2010-10-28
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正負脈沖電源用雙重保護電路的研究
針對正負脈沖電源中對IGBT保護的要求，提出并分析了一種廉價而簡潔的、適用于各種保護電路的控制電路，給出了設計時需要注意的問題。該控制電路對于實際操作中可能遇到的過載、瞬時過流、短路等現(xiàn)象能進行很好的監(jiān)測和控制。
2010-10-25
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扶持政策出臺 高壓變頻上游利好
據悉，在高壓變頻器中，約有一半的成本來自絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等電力電子元器件。相比中低壓變頻器，這類產品的價格與質量對高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對電力電子元器件行業(yè)的關注從來沒有放松過。2010年，他們發(fā)現(xiàn)國家對于電力電子元器件的重視程度也越來越高。
2010-09-07
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薄膜電容器模組在感應加熱中的應用
感應加熱技術,早期應用在家用電磁爐上.后來隨著高效,節(jié)能及環(huán)保的優(yōu)點越來越顯著,加上產品技術成熟及使用穩(wěn)定,感應加熱技術逐漸開始往工業(yè)領域發(fā)展.隨之設備內部的功率元器件(如整流橋,IGBT模塊,薄膜電容器等)要求越來越高,其可靠性及穩(wěn)定性決定了設備的使用安全及壽命.本文介紹薄膜電容器模組在感應加熱中的應用
2010-09-06
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電力電容器: 電動車用緊湊型直流鏈路PCC
PCC可裝于新型測評組合件中，根據具體功率輸出，反相器模塊可以適合中等混合驅動或全電氣傳動的應用場合。這些模塊是目前僅有的已批量生產的解決方案。該電力電容器的特點是體積填充系數接近1，由于采用了低電感匯流條，它們特別適合裝于IGBT模塊。該產品的應用可省略復雜的安裝程序以及其他電容器技術所要求的緩沖電容器和對稱電阻。
2010-08-30
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IR 推出絕緣柵雙極晶體管在線選擇工具，優(yōu)化電源管理設計
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優(yōu)化多種應用設計，包括馬達驅動、不間斷電源系統(tǒng) (UPS）、太陽能逆變器和焊接。
2010-08-20
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采用IGBT優(yōu)化軟開關應用中的損耗
IGBT技術進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終止”概念降低晶圓n襯底的厚度。本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200VRC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。
2010-08-11
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Avago Technologies強調新隔離柵驅動中的IGBT保護
Avago Technologies，今日宣布推出2.5A最大輸出驅動ACPL-H342和ACPL-K342光隔離IGBT柵驅動，該產品帶有嵌入式米勒箝位、軌至軌輸出電壓、欠壓鎖存(UVLO)電路和保護免受IGBT跨導和電流“直通”的影響，以便保證電源逆變器和電機控制應用程序安全有效。
2010-07-26
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IR推出新一代高傳導和低開關損耗600V溝道IGBT
IR推出新一代高傳導和低開關損耗600V溝道IGBT。
2010-06-24
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IGBT軟開關在應用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200VRC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。
2010-06-18
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