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電動(dòng)汽車空調(diào)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)——IGBT
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V 和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗，有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實(shí)現(xiàn)小型化，是電動(dòng)壓縮機(jī)的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-08-10
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門極驅(qū)動(dòng)器方案–––即插即用快速評(píng)估和測(cè)試
電力電子在當(dāng)今世界無處不在：半導(dǎo)體的隱藏功能，可實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用，從家電和消費(fèi)品到數(shù)據(jù)處理和無線網(wǎng)絡(luò)，再到日趨電子化的汽車。電力電子系統(tǒng)以極高能效在交流和直流形式之間以及直流電壓之間轉(zhuǎn)換電力，從而使更多的電能流向最終應(yīng)用。電源轉(zhuǎn)換的主要?jiǎng)恿κ情_關(guān)：功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體器件、SiC MOSFET和氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。在大多數(shù)拓?fù)渲?，這些晶體管以kHz至MHz的頻率開和關(guān)。
2020-08-10
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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置！
在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源時(shí)，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個(gè)FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會(huì)增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復(fù)，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器不斷變化的格局
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出 現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系 統(tǒng)。更高的開關(guān)頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺 寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率 開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本 文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些主要差異，以及柵 極驅(qū)動(dòng)器將如何為這些差異提供支持。
2020-08-04
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如何利用IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)？
反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)需要考慮各種因素。其中一些與自身技術(shù)相關(guān)，其它的與應(yīng)用相關(guān)。但是，正向壓降Vf 、反向恢復(fù)電荷Qrr 以及Rth與Zth散熱能力 終將構(gòu)成一種三角關(guān)系。
2020-07-27
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安森美將為丹佛斯提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)和丹佛斯宣布，公司將為丹佛斯硅動(dòng)力(Danfoss Silicon Power)供應(yīng)大功率IGBT和二極管，應(yīng)用于快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
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集成自舉二極管和快速過流保護(hù)的600V三相柵極驅(qū)動(dòng)器加速了三相電機(jī)應(yīng)用
三相電機(jī)運(yùn)行需要三相逆變器，其一般組成為：6個(gè)功率晶體管（MOSFETs或IGBTs）、控制晶體管的柵極驅(qū)動(dòng)器（一個(gè)或多個(gè)）、實(shí)現(xiàn)控制算法（速度、轉(zhuǎn)矩控制等）的控制邏輯電路（微控制器或微處理器）。
2020-06-29
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如何實(shí)現(xiàn)IGBT/MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電路？
IGBT 和功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件，柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于 IGBT，它們被稱為集電極和發(fā)射極。為了操作 MOSFET/IGBT，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極。
2020-03-26
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MOS管和IGBT管到底區(qū)別在哪？該如何選擇？
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-18
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趣味解讀IGBT模塊“續(xù)流二極管”
IGBT 模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？答：當(dāng) PWM 波輸出的時(shí)候，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的。
2020-03-11
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還在用硅基器件做開關(guān)電源？是時(shí)候考慮eGaN了
本文首先介紹相比基于傳統(tǒng)硅 (Si) MOSFET 或 IGBT 的高頻電源，基于 eGaN 開關(guān)元器件的高頻電源優(yōu)勢(shì)。接著會(huì)介紹如何使用 EPC、Texas Instruments 和 Navitas Semiconductor的 eGaN 功率級(jí)來構(gòu)建適用于電池充電或服務(wù)器農(nóng)場(chǎng)等應(yīng)用的 SMPS 設(shè)計(jì)。
2020-02-26
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IGBT 的工作原理是什么?
IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET 導(dǎo)通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
2020-02-24
- 是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗(yàn)法則？
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