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M675S02:IDT 推出最新系列低抖動(dòng) SiGe VCSO 產(chǎn)品
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布,已推出新的低抖動(dòng)硅鍺(SiGe)聲表面(SAW)壓控振蕩器(VCSO)產(chǎn)品系列。新的產(chǎn)品系列與 IDT 備受歡迎的 M675 系列和高性能計(jì)時(shí)產(chǎn)品組合相得益彰,采用更高頻率低抖動(dòng)振蕩器設(shè)計(jì),從而滿足光纖電信應(yīng)用的嚴(yán)格要求。
2012-02-29
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Mini K HV:TE推出緊湊型的預(yù)充式繼電器
TE Mini K HV 支持動(dòng)力電池的交換部件中的連接與切斷。作為一款緊湊型的預(yù)充式繼電器,Mini K HV直接在主充電繼電器工作之前,就用預(yù)充電電阻取代了對濾波電容的充電,從而在浪涌電流時(shí)保護(hù)了主繼電器的觸點(diǎn)。
2012-02-29
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TI宣布其MCU可支持 ARM? 的最新 Cortex CMSIS
日前,德州儀器 (TI) 宣布其基于 Stellaris? Cortex?-M4F 內(nèi)核的微控制器 (MCU) 現(xiàn)在可以支持 ARM? 的最新 Cortex 微控制器軟件接口標(biāo)準(zhǔn) (CMSIS)。除了 TI 的 StellarisWare? 軟件套件之外,通過簡化浮點(diǎn)、單指令多數(shù)據(jù) (SIMD) 和數(shù)字信號(hào)處理 (DSP) 運(yùn)算的可實(shí)現(xiàn)方案,ARM 的 CMSIS 庫也將幫助開發(fā)人員實(shí)現(xiàn) Stellaris LM4F 微控制器業(yè)界領(lǐng)先的優(yōu)勢。
2012-02-28
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NXP GreenChip電源IC確立低負(fù)載下效率和空載待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 近日宣布推出GreenChip? SPR TEA1716開關(guān)模式電源 (SMPS) 控制器IC——這是業(yè)界首款PFC和LLC諧振組合控制器,可在低負(fù)載下實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗,并且符合將于2013年生效的歐盟生態(tài)設(shè)計(jì)指令的要求。公司同時(shí)宣布推出多款采用超小封裝的高性價(jià)比SPF (反激式智能電源) IC,包括GreenChip SPF TEA1731以及TEA172x系列新品,這些器件均具有出色的空載性能。此外,恩智浦還推出了一款新型GreenChip同步整流 (SR) 控制IC——TEA1792。
2012-02-27
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HFP:TE的推出用于GSM850/900電源切換RF開關(guān)
TE Connectivity公司推出了用于GSM850/900的HFP開關(guān)。第三代信息和信號(hào)技術(shù)需要新的接收RF(射頻)信號(hào)的電路開關(guān)。GSM(全球移動(dòng)通信系統(tǒng))是蜂窩網(wǎng)絡(luò)使用最廣泛的頻率范圍。有了HFP,TE可直接滿足GSM850/900應(yīng)用中從824到960MHz頻段的電源切換RF開關(guān)的需求。
2012-02-24
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2012全球LTE手機(jī)競爭激烈
今年世界各地將有100多個(gè)移動(dòng)電信運(yùn)營商開始LTE商業(yè)運(yùn)作,諾基亞,索尼移動(dòng)通信和中國的中興,華為等廠商都將推出LTE手機(jī),這將加速2012年全球LTE手機(jī)市場競爭。
2012-02-23
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背光和照明市場需求增加緩減2012年LED供應(yīng)過剩
據(jù)DisplaySearch —過去一段時(shí)間由于LED背光液晶電視銷售減弱且LED照明成長緩慢,2011年LED出現(xiàn)了供大于求的局面,供需落差達(dá)30%。2012年,隨著背光和照明的市場需求回暖,過度供應(yīng)問題將得到有效緩解。根據(jù)NPD DisplaySearch季度LED供需市場預(yù)測報(bào)告Quarterly LED Supply/Demand Market Forecast Report指出,第一季度供需過剩比為19%,第二季度將進(jìn)一步下降至16%。
2012-02-23
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IMF:TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩(wěn)態(tài)小尺寸繼電器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒有像移動(dòng)手機(jī)連接器之類的終端設(shè)備,零瓦充電器就會(huì)停止從電網(wǎng)中取電, TE的IMF是專為這樣的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,其設(shè)計(jì)是對現(xiàn)有AXICOM IM繼電器產(chǎn)品線的補(bǔ)充。
2012-02-22
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Vishay 擴(kuò)充用于功率電子的重載電容器
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,擴(kuò)充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器,增添新容值和新封裝形式。
2012-02-22
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4G競逐大戲已經(jīng)開場 推廣標(biāo)準(zhǔn)是關(guān)鍵
從3G到4G,從追隨者變?yōu)橛螒蛞?guī)則制定者,中國正一步步建立自己的移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)體系。由中國主導(dǎo)的TD-LTE在1月18日正式成為4G國際標(biāo)準(zhǔn),這意味著下一代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)的全球征戰(zhàn)正式開場。但制定標(biāo)準(zhǔn)只是開始,推廣標(biāo)準(zhǔn)才是關(guān)鍵。只有以標(biāo)準(zhǔn)為支點(diǎn),占據(jù)全球競爭的制高點(diǎn),從而撬動(dòng)整個(gè)國家產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略的轉(zhuǎn)型升級,才是中國發(fā)展TD-LTE的意義所在。
2012-02-22
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件,它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性,又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn),近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是,IGBT的門極驅(qū)動(dòng)電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、快開關(guān)損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù),并決定了IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)特性。因此設(shè)計(jì)高性能的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù)。
2012-02-21
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Digi-Key與Ramtron 簽署全球經(jīng)銷協(xié)議
Digi-Key 公司是一家知名的電子元件經(jīng)銷商,被設(shè)計(jì)師們譽(yù)為業(yè)內(nèi)最廣泛的電子元件庫,提供立即發(fā)貨服務(wù),日前宣布已經(jīng)與 Ramtron International Corporation簽署全球經(jīng)銷協(xié)議。
2012-02-20
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