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ROHM確立了可更大程度追求電源IC響應(yīng)性能的創(chuàng)新電源技術(shù)“QuiCurTM”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)確立了一種新電源技術(shù)“QuiCurTM”,可改善包括DC/DC轉(zhuǎn)換器IC在內(nèi)的各種電源IC的負(fù)載響應(yīng)特性*1(以下稱為“響應(yīng)性能”,指后級(jí)電路工作時(shí)的響應(yīng)速度和電壓穩(wěn)定性)。
2022-02-14
ROHM確立了可更大程度追求電源IC響應(yīng)性能的創(chuàng)新電源技術(shù)“QuiCurTM”
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最大化的發(fā)揮DC/DC轉(zhuǎn)換器的性能
升級(jí)后的DC/DC電源模塊具有更高的功率密度 - 幾十年來(lái),小功率的隔離型DC/DC電源模塊一直被用來(lái)提供低功率輔助電壓,有效地將負(fù)載需要的電源電壓與功率匹配。例如:用在模擬接口的負(fù)電位、安全隔離或單純?yōu)殡娐诽貏e敏感的區(qū)域形成獨(dú)立的地回路。
2022-02-11
DC/DC 電源模塊
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派恩杰SiC驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)新探索:如何避免誤開通?
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降,SiC MOSFET憑借整體性能優(yōu)于硅基器件一個(gè)數(shù)量級(jí)的優(yōu)勢(shì)正逐漸普及,獲得越來(lái)越多的工程應(yīng)用。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件,SiC MOSFET具有更小的導(dǎo)通電阻,更快的開關(guān)速度,使得系統(tǒng)損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化,因此廣泛...
2022-02-10
派恩杰 SiC驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 誤開通
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理想開關(guān)自身會(huì)帶來(lái)挑戰(zhàn)
隨著我們的產(chǎn)品接近邊沿速率超快的理想半導(dǎo)體開關(guān),電壓過(guò)沖和振鈴開始成為問(wèn)題。適用于SiC FET的簡(jiǎn)單RC緩沖電路可以解決這些問(wèn)題,并帶來(lái)更高的效率增益。
2022-02-10
理想開關(guān)自身會(huì)帶來(lái)挑戰(zhàn)
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如何快速了解預(yù)采購(gòu)的電源器件性能?
自第二次工業(yè)革命之后,人類社會(huì)的發(fā)展和電能深度綁定,電氣/電子設(shè)備被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、醫(yī)療、能源、交通、民生等各個(gè)領(lǐng)域。隨著用電設(shè)備從單一回路逐漸演變成為系統(tǒng),將電能合理、有效地分配給系統(tǒng)中的每個(gè)器件尤為重要。一個(gè)優(yōu)秀的電源管理系統(tǒng)不僅能夠保障系統(tǒng)的用電安全,更是設(shè)備做到高效節(jié)能...
2022-02-10
電源器件 性能
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適用于電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器的統(tǒng)一的LTspice AC模型
當(dāng)電源設(shè)計(jì)人員想要大致了解電源的反饋環(huán)路時(shí),他們會(huì)利用環(huán)路增益和相位波特圖。知道環(huán)路響應(yīng)可進(jìn)行預(yù)測(cè)有助于縮小反饋環(huán)路補(bǔ)償元件的選擇范圍。
2022-02-09
電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器 LTspice AC模型
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開關(guān)穩(wěn)壓器的封裝體積正變得越來(lái)越小
開關(guān)穩(wěn)壓器電路已經(jīng)存在多年,用戶可以選擇使用分立式組件來(lái)設(shè)計(jì)自己的產(chǎn)品,也可以購(gòu)買模塊化成品。如今,能夠滿足最新的效率、EMI和功率密度要求的技術(shù)讓模塊化方案獲得更多的青睞。
2022-02-09
開關(guān)穩(wěn)壓器 封裝體積
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SiC功率器件使用過(guò)程中的常見問(wèn)題集(上)
由于SiC 材料具有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的熱穩(wěn)定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度,因此能夠大大提高功率器件的性能表現(xiàn)。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件,SiC 器件具有更快的開關(guān)速度,更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。當(dāng)前碳化硅功率器件主...
2022-02-09
SiC功率器件 派恩杰
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基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管,基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上...
2022-02-08
基本半導(dǎo)體 碳化硅肖特基二極管
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