【導讀】碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
大幅降低儲能系統(tǒng)成本與提升效率的SiC技術(shù)
當前的SiC技術(shù)已經(jīng)相當成熟，可以適用在從千瓦到兆瓦功率的工業(yè)應用范圍中，影響了能源、工業(yè)和汽車等眾多領(lǐng)域。由于SiC器件運作時的溫度較低，及較小的磁性器件，因此在系統(tǒng)中所需的熱管理和電源器件的尺寸更小、重量更輕、成本更低，從而降低了整體BOM成本，同時也實現(xiàn)了更小的占用空間。
隨著SiC技術(shù)的快速發(fā)展，在電力傳輸系統(tǒng)也開始大量采用SiC解決方案，特別在ESS應用中，像是電動汽車充電系統(tǒng)，以及利用電池儲存電能的太陽能系統(tǒng)。這些系統(tǒng)中的DC/DC升壓轉(zhuǎn)換器、雙向逆變器（交流電和直流電互相轉(zhuǎn)換）、電池充電電路，都可以采用SiC技術(shù)的器件，將可提升3%的系統(tǒng)效率，以及提高50%的功率密度，并減少無源器件的體積和成本。
典型的ESS架構(gòu)將包含了電源（光伏）、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池充電機，以便將能量輸送到家庭端或輸送回電網(wǎng)的逆變器，在這三個電源模塊中采用SiC技術(shù)，將可以提高效率，減少尺寸、重量和成本。
例如，在ESS中對收集到的能源進行轉(zhuǎn)換，并將其用于存儲或為住宅／建筑供電時，必須進行DC/DC轉(zhuǎn)換，其將采用光伏應用的升壓轉(zhuǎn)換器來實現(xiàn)，SiC技術(shù)將比傳統(tǒng)的硅技術(shù)具有更高的系統(tǒng)效率和功率密度，其系統(tǒng)尺寸將可減少70%，能源消耗也可減少60%以上，系統(tǒng)成本則將會降低30%，使SiC技術(shù)成為ESS應用的最佳選擇。
家用或商用的ESS配置
具有更高的功率密度與系統(tǒng)效率的SiC解決方案
Wolfspeed針對ESS應用，推出了多款的SiC解決方案，像是肖特基二極管及MOSFET（具有高達100A額定電流封裝／196-A裸模封裝），以及WolfPACK系列器件中所使用的具有高達450A額定電流的功率模塊。這些產(chǎn)品可以適用于單相家用系統(tǒng)（5-15 kW），也可用于三相商用系統(tǒng)（30-100 kW），其架構(gòu)和電源電路拓撲基本相似，但是它們可以根據(jù)功率級別來進行調(diào)整。
以Wolfspeed參考設(shè)計CRD-60DD12N為例，這是一款采用碳化硅技術(shù)的60kW交錯升壓轉(zhuǎn)換器，其中包含幾個SiC MOSFET和二極管。在架構(gòu)上采用四路交錯并聯(lián)，可達到60kW的調(diào)節(jié)輸出功率，并同時在輸出850VDC時保持99.5%的效率。該設(shè)計包含兩個C3M0075120K MOSFET（具備開爾文源極引腳的TO-247-4L封裝），每路拓撲有兩個C4D10120D二極管和一個CGD15SGOOD2隔離式柵極驅(qū)動器。
在CRD-60DD12N參考設(shè)計中，若對不同開關(guān)頻率下的BOM成本進行了分析／對比，其在更高的頻率下（100kHz相對于60kHz），將得益于更小、更輕的器件／磁性材料，成本明顯降低，而冷卻系統(tǒng)可能會由于更高的運行溫度而增加一些成本。但總體來說，更高的頻率通常意味著更高的功率密度、更高的系統(tǒng)效率和更低的成本，因此SiC技術(shù)將能夠以更低的價格提供更好的性能。
基于碳化硅的60 kW交錯升壓轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計
支持先進的數(shù)字控制方案的參考設(shè)計
在應用SiC MOSFET進行簡單的兩階逆變器／AFE設(shè)計時，Wolfspeed的參考設(shè)計可在單相或三相模式下運行，充電和放電的峰值效率大于98.5%，突出了SiC在逆變器和DC/DC充電電路中的優(yōu)勢。該參考設(shè)計的轉(zhuǎn)換器部分包括一個簡單兩階AC/DC轉(zhuǎn)換器，兼容單相和三相連接，并且只有6個SiC MOSFET。這種配置雖然不像大多數(shù)的IGBT轉(zhuǎn)換器那樣成本低廉，但會在效率和損耗方面表現(xiàn)得更好。雖然也可以采用T型AC/DC轉(zhuǎn)換器，來提供了相似的開關(guān)頻率和效率，但這種轉(zhuǎn)換器往往擁有復雜的控制系統(tǒng)，并必須采用更多數(shù)量的部件，且其功率密度較低。
在這個參考設(shè)計中，直流輸出電壓可以高達900 V，而電池電壓通常在800 V左右。由于電及熱應力的影響，非常適合采用Wolfspeed公司的C3M0032120K 1200V 32-mΩ SiC MOSFET，其具有一流的品質(zhì)因子、易于控制和Vgs驅(qū)動特性、開爾文源極封裝等優(yōu)點，可以減少開關(guān)損耗和串擾等問題。
采用這種拓撲結(jié)構(gòu)適合于實現(xiàn)不同功能的先進數(shù)字控制方案，像是用于設(shè)計單相交錯PFC方案，或是采用DQ轉(zhuǎn)換的三相空間向量PWM方案，這些方案可以達成所有器件開關(guān)損耗的平衡，進而形成一個非常靈活的參考平臺。利用PWM控制開關(guān)將有助于檢測和功率消耗平衡，同時優(yōu)化熱性能，提高效率和可靠性。在單相充電的不同電壓、電流范圍，測量各種負載下的效率時，SiC的效率將高達98.5%，而IGBT的最高效率為96%，因此SiC的損耗降低約38%。在三相充電時，實現(xiàn)了相同的峰值效率，同時在系統(tǒng)和器件限制下的熱性能也運行良好。
總體來說，在22kW逆變器／AFE的配置下，C3M0032120K SiC MOSTET和靈活的控制方案可以實現(xiàn)高效率（>98.5%），以及高功率密度（4.6 kW/L），并具備低損耗（60%），以及雙向充電等特性，可支持來自三相AC和單相AC輸入，也支持輸出200-800 VDC的電池電壓范圍。
在多個功率級別下充電（左）和放電（右）模式的AFE效率
更低成本與更易控制的隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計
在進行隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計時，主流的解決方案是半橋LLC和全橋LLC轉(zhuǎn)換器。Wolfspeed的CRD-22DD12N參考設(shè)計是一種22kW的解決方案，可配置成串級轉(zhuǎn)換器或單級兩階轉(zhuǎn)換器之中。串級轉(zhuǎn)換器可以使用650V Si MOSFET或SiC器件，但Si MOSFET通常會需要更多數(shù)量的部件，更高的導通損耗，更復雜的控制，以及更高的系統(tǒng)成本。使用SiC器件的單階兩電平轉(zhuǎn)換器可在更高的電壓（1200 V）和高達200 kHz的開關(guān)頻率下工作。SiC架構(gòu)的最大優(yōu)勢是更高的效率／更低的損耗，并具有一些額外的特性，如零電壓導通、低電流關(guān)斷和更低的電磁干擾EMI風險。這種拓撲結(jié)構(gòu)比串級轉(zhuǎn)換器的部件數(shù)更少，有助于降低系統(tǒng)成本，提供更簡單的控制。
22kW全橋CLLC DC/DC轉(zhuǎn)換器-串聯(lián)式（上）和單級兩電平（下）
在22kW設(shè)計上選擇功率器件時，Wolfspeed的C3M0032120K 1200V 32mΩ MOSFET將可提供最佳的電氣應力和熱特性來適配轉(zhuǎn)換器。此外，它的Vgs可以支持15V，使之更易驅(qū)動。它具備可變直流鏈路電壓控制，可依據(jù)感知的電池電壓來使系統(tǒng)效率達到最佳，并確保CLLC運行接近諧振頻率。當電池電壓較低時，可將控制模式切換到相移模式，便可降低增益，防止在諧振頻率范圍外低效率地運行。
如此一來，這代表著使用相同的硬件也可以在較低的輸出電壓下實現(xiàn)類似的高效率。如果需要更低的電池電壓，CLLC一次側(cè)可以設(shè)置為半橋運行，這將可進一步降低增益，但仍維持一定效率。由于其運行成本較低，熱設(shè)計不那么嚴格，故較低效率仍然可以接受。
這種設(shè)計的轉(zhuǎn)換器的效率值與逆變器參考設(shè)計相似，在大多數(shù)負載上的峰值效率為98.5%。在設(shè)計采用半橋模式之前，可變直流鏈路電壓和最終效率都保持在97%以上，這限制了充電時的效率和功率傳輸能力。一般來說，SiC MOSFET加上靈活的控制方案可以實現(xiàn)更高的效率（>98.5%的充電／放電效率）和更高的功率密度（8 kW/L），并支持單相AC和三相AC輸入的雙向充電。與硅相比，由于柵極驅(qū)動器具備的簡單性，可減少熱管理器件，部件數(shù)量更少，并可使用更小的磁性器件，同時可實現(xiàn)更高的效率和功率密度，進而系統(tǒng)成本得以明顯降低。
SiC和Si在尺寸和重量上的對比
總結(jié)
SiC器件具有更佳的熱性能、更快的開關(guān)速度和更低的損耗，由于其導通電阻對溫度的依賴性較低，使其相當適合工業(yè)應用，SiC MOSFET在較高溫度下的導通損耗較低，并能實現(xiàn)高頻開關(guān)。此外，高性能主體二極管支持更高可靠性的諧振轉(zhuǎn)換器應用，而較小的輸出電容使LLC轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)零電壓導通變得更為容易。
另一方面，SiC對比硅器件（額定650V）在尺寸／重量上也具有獨特優(yōu)勢。通常，硅器件還需要一個變壓器和諧振電感，而SiC配置可以整合變壓器／電感，將可節(jié)省了重量和空間。
Wolfspeed SiC器件系列可適應于應用的所有功率范圍，范圍從1千瓦到兆瓦不等，也可用于大功率模塊。Wolfspeed系列也有低階的離散式解決方案、中功率級別的WolfPACK模塊和高階的大功率模塊解決方案，設(shè)計人員可以在降低BOM成本和優(yōu)化實體尺寸／布局的同時，選擇多種不同的拓撲。
Wolfspeed還提供了多種拓撲的參考設(shè)計和評估工具套件，如AC/DC功率因子校正、降壓型／升壓型DC/DC、高頻DC/DC和雙向AC/DC、DC/DC和DC/AC工具套件。此外，SpeedFit設(shè)計仿真器有助于仿真系統(tǒng)級電路的特征，為通用拓撲建立模型，并為你的應用選擇合適的SiC器件。
無論是使用獨立式模塊還是大功率模塊，從住宅到工業(yè)的儲能應用，SiC都顯示出了巨大的商機，Wolfspeed的產(chǎn)品組合／資源可以在確保低成本、小空間的同時實現(xiàn)最靈活、可擴展、高性能的設(shè)計，將會是您在開發(fā)電源應用時最佳的選擇之一。
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