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英飛凌擴充GaN技術(shù)和產(chǎn)品組合,大幅度縮減電源尺寸和重量

發(fā)布時間:2015-03-25 責(zé)任編輯:susan

【導(dǎo)讀】2015年3月25日,英飛凌科技宣布擴充硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。英飛凌擁有增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺,專門為了優(yōu)化要求超高能效的高性能設(shè)備。GaN技術(shù)可以大幅度縮減電源尺寸以及減輕電源重量,該技術(shù)將為GaN產(chǎn)品在終端產(chǎn)品市場的發(fā)展創(chuàng)造新的機會。

英飛凌科技電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示:“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合,結(jié)合公司了所收購美國國際整流器公司的GaN平臺,以及我們與松下電器的伙伴關(guān)系,使其在前景光明的GaN市場上確立了領(lǐng)先的地位。按照我們‘從產(chǎn)品到系統(tǒng)’的策略,現(xiàn)在,我們的客戶可以根據(jù)其設(shè)備/系統(tǒng)要求,靈活選擇增強模式或級聯(lián)模式。與此同時,英飛凌致力于開發(fā)表面貼裝器件(SMD)和IC,以便GaN技術(shù)在更為緊湊的空間內(nèi)進一步充分發(fā)揮其優(yōu)越性能。舉個常見的實例來說,利用我們的GaN技術(shù),當(dāng)前市場上銷售的便攜式電腦充電器的尺寸和重量,可以被縮小并減輕至目前的四分之一。”
 
擴充后,英飛凌提供產(chǎn)品將包括專門的驅(qū)動器和控制器IC,它們有助于充分發(fā)揮GaN在各種拓撲和更高頻率下的優(yōu)越性。同時,通過收購International Rectifier公司, 更為廣博的專利組合、硅基GaN外延工藝和100V-600V技術(shù)等都得到了進一步加強。此外,通過與松下電器結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,英飛凌與松下電器將聯(lián)合推出結(jié)合了松下電器的常閉型(增強模式)硅基GaN晶體管結(jié)構(gòu)與英飛凌的表面貼裝器件(SMD)封裝的器件,推出易于使用的高能效600V GaN功率器件,這也將帶給客戶雙重貨源便利。
 
這樣一來,英飛凌為客戶提供了完備的系統(tǒng)知識,以及業(yè)界最全面的GaN技術(shù)和產(chǎn)品組合。不僅如此,英飛凌將憑借出類拔萃的生產(chǎn)工藝、量產(chǎn)能力和第二貨源渠道的優(yōu)勢,為客戶提供采用英飛凌SMD封裝的常閉型GaN功率器件。
 
相比于硅技術(shù)解決方案,硅基GaN技術(shù)能夠提高功率密度和能效,同時縮小器件尺寸,因此,非常適用于從諸如電視機電源和D類音頻放大器等消費電子產(chǎn)品,到服務(wù)器和電信設(shè)備中使用的SMPS。IHS發(fā)布的市場研究報告稱,面向功率半導(dǎo)體的硅基板GaN技術(shù)市場,將以高達50%以上的年均復(fù)合增長率(CAGR)增長,因此,到2023年,其市場容量將從2014年的1,500萬美元,增至8億美元。
 
供貨情況
   
2015年3月15日至19日,在北卡羅來納州夏洛特市舉辦的應(yīng)用電力電子會議暨展覽會(APEC)上,英飛凌和松下電器已展示采用DSO封裝的600V 70m?器件樣品。此外,還展出了增強模式和共源共柵配置器件??稍谂c客戶簽訂保密協(xié)議(NDA)的情況下,提供增強模式和級聯(lián)結(jié)構(gòu)的器件樣品。全面上市的中壓級聯(lián)結(jié)構(gòu)的GaN器件已向相應(yīng)的D類音頻系統(tǒng)客戶開放。

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