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Fairchild 推出提供最低導通電阻和多種可選封裝的SuperFET II MOSFET系列

發(fā)布時間:2015-03-10 責任編輯:wenwei

【導讀】半導體行業(yè)的先驅者Fairchild推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列。全新的 SuperFET MOSET 系列將最低的導通電阻 (Rdson)、最低的輸出電容 (Coss) 和廣泛的可選封裝相結合,為設計師提高了靈活性,為制造商提高了產(chǎn)品的效率和可靠性。
 
美國加州圣何塞 – 2015 年 3 月 10 日— 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS)今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列,該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設計師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性,同時通過減少元件的使用從而減少這些設計的電路板空間。
 
FCS007. SuperFET MOSFET (PR)
 
Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范圍為 4.3 歐姆至業(yè)內(nèi)最低 60 毫歐的26個器件(均以各種標準封裝提供)組成,為設計師在針對特定應用采用最佳器件中提供更多選擇和靈活性。例如,F(xiàn)CD850N80Z 是該系列的主要成員,將 DPAK 中異常低的850 毫歐 Rdson(最大值)與比主要競爭產(chǎn)品低 6~11% 的Rdson (最大值)和低8~13% 的Coss (@400V)相結合,使其成為需要低導通電阻和尺寸受限的 LED 照明應用的理想之選。該系列的關鍵應用包括 LED 照明、LED 電視和家庭影院音響設備的電源、電源適配器、服務器、工業(yè)電源、輔助電源及微型太陽能逆變器。
 
 “借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 系列,制造商可提高產(chǎn)品的效率和可靠性。由于優(yōu)越的開關性能和低導通電阻,此系列的效率明顯優(yōu)于最接近的競爭產(chǎn)品,”Fairchild 的首席技術市場工程師 Wonhwa Lee 說。“新系列采用最新的超級結技術,實現(xiàn)小形狀因數(shù)及更勝以往的高效率,其耐用的內(nèi)置二極管在高 dv/dt 條件下可提高工業(yè)橋式電路的可靠性。” 
 
Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成員包括:
 
Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成員包括
                                (*: 開發(fā)中) 
 
800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性,加上出色的效率和熱特性,使其成為各種應用的理想之選。同時,多種可選封裝為設計師帶來巨大的靈活性,在尺寸受限的設計中尤為如此。要了解 Fairchild SuperFET II MOSFET 技術的更多信息,請訪問
https://info.fairchildsemi.com/FY15M03-PR_CN-800V_SuperFET_II_MOSFET_Family.html 
 
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