開關(guān)電源電路的炸機狀況總會成為每個電源工程師心中難以明喻的“痛”，里面昂貴的元器件如果出現(xiàn)炸機狀況，那么在設(shè)計過程中的成本就會大幅提升。當(dāng)然，這會使得工程師們無比肉痛，但我們總是在實踐中才能摸索和得出正確且豐富的經(jīng)驗。本文中匯總了工程師們在次級穩(wěn)壓反激電路中的實踐問題，并且對其進(jìn)行分析與整理，希望能夠解決一些對我們在電路設(shè)計中出現(xiàn)的炸機問題。

 

 

炸機問題可以分幾種情況，以2843系列為例，采樣電阻短接就直接使得電流環(huán)的功能失靈了，其次按照常理應(yīng)該是會進(jìn)入電壓控制的輸出反饋環(huán)路進(jìn)行穩(wěn)壓，且占空比始終開到最大。 但實際情況是去掉電流環(huán)流環(huán)路后，沒有了逐周期的電流檢測進(jìn)行矯正，電壓環(huán)路的速度是相對較慢的（無法實現(xiàn)輸入功率跟隨輸出功率的工作）。無法對電感這么大的慣性環(huán)節(jié)進(jìn)行有效調(diào)整， 所以環(huán)路震蕩，驅(qū)動進(jìn)入無序的模式（不再是定頻的）且輸入能量過剩，電感CCM模式?；谥罢f的只有電壓環(huán)工作與炸機的關(guān)系（環(huán)路必然是震蕩的）。

 

1.空載情況：由于輸出負(fù)載電流時分微小，電壓環(huán)的速度相對會快一些（相對于重載），模塊可能短時間內(nèi)不炸甚至一直不炸機。

 

2.帶載越重，電壓環(huán)的響應(yīng)越慢，輸入能量過剩情況約嚴(yán)重! 炸機速度越快。

 

3.重載也不一定會燒，現(xiàn)在很多都有斜坡補償和高低壓補償，如果補的比較多，IC還是可以有限流功能。

 

 

虛焊或者掉件，相當(dāng)于沒有RCD了，此時MOS的應(yīng)力會加大，一般是會超出MOS規(guī)格，使MOS工作在雪崩狀態(tài)，而且是重復(fù)性的。如果是裕量不足的馬上會炸MOS，也有可能暫時不炸，但進(jìn)一步看：在滿載狀態(tài)下持續(xù)烤機，隨著溫度的身高，MOS應(yīng)力會增加，MOS個體耐受力較弱的也會炸。

 

 

把bulk電容去掉，會導(dǎo)致母線電壓不穩(wěn)定，但還是可以正常開機。影響主要有以下幾點：

 

1)從空載到滿載的過程，輸出電壓會掉電壓，主要由于在低母線電壓的時候會觸發(fā)原邊過流保護(hù)。

 

2)此時變壓器會飽和，可能有噪音。

 

3)如果啟動電路從整流器前接，對啟動不會有影響；如果啟動從母線接，則會使啟動時間更長。

 

4)此時效率會很差，母線電壓波動越大效率越差。通常提高效率會采用的一招就是增大這電容。

符合安規(guī)很困難。因為AC L/N接入保險后面的電路，導(dǎo)致安全距離很難符合安規(guī)要求。這里主要說明兩點：

 

1)對于做過安規(guī)的都清楚，有open/short實驗，對于IC，任意兩個pin腳短路測試。短路后可以保護(hù)、沒輸出或者炸機，但要保證滿足以下兩點：

 

A.不能有起火、冒煙現(xiàn)象；

 

B.Hi-pot測試OK。上面的原理圖，當(dāng)將IC的HV pin和FB pin短路，HV的高壓會把連接到FB pin的光耦打壞。在這種情況下去測Hi-pot就會fail，存在安全隱患。那么該如何解決呢？可以在光耦的3、4pin并穩(wěn)壓管，但要注意穩(wěn)壓管的功率大小，選型不對仍然會把光耦打壞。

 

2)VCC繞組串接電阻。在安規(guī)的異常測試中，比如VCC繞組抽載，如果沒有串電阻可能會有變壓器過熱問題，損壞變壓器的絕緣，導(dǎo)致Hi-pot通不過，存在安全隱患。實際中可能很多都沒加，還是建議加上，還可以承受一定壓降利于VCC電壓，也可以當(dāng)跳線用。

 

以上為開關(guān)電源設(shè)計中實實在在出現(xiàn)的問題和炸機情況，其中包括了多種成因的分析以及實踐證明。希望以上的問題匯總能夠給工程師們帶來一些參考。降低一些在次級穩(wěn)壓反激電源設(shè)計中的炸機狀況。